Деталі

Перегляди: 3662

Технологія виготовлення світловипромінюючих кремнієвих наноструктур

№14 Відділ фотохімічних явищ в напівпровідниках
І.З. Індутний

Спектри фотолюмінесценції SiOx плівок, відпалених при 1000 °С. Криві 1, 2, 3, 4 відповідають кутам осадження 0, 30, 60
та 75 град.    

Характеристики розробки
Розроблена технологія формування світловипромінюючих структур на основі нанокристалів кремнію в поруватій оксидній матриці з контрольованим розміром нанокристалів, яка включає скісне осадження оксиду кремнію у вакуумі, термічний відпал, хімічну обробку та пасивацію високочастотною плазмою. В результаті формуються композитні шари з оксидною матрицею колоноподібної структури і включеннями нанокристалів кремнію, розміри яких визначаються параметрами технологічних процесів. Це дає змогу отримувати високоефективні світловипромінюючі структури на підкладках великої площі, з заданим спектральним складом випромінювання. Зокрема, положення максимуму фотолюмінесценції цих структур може змінюватись від 560 нм до 950 нм залежно від умов формування.

Області застосування
кремнієва фотоніка, а саме, вказані структури можуть бути використані для створення кремнієвих світлодіодів, дисплейних структур, оптичного підсилення та лазерів, емісійних структур.

Впровадження
Технологія запатентована, одержано патент України на винахід «Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі кремнію» № 75793 від 15.05.2006, публ. Бюл. №5 від 15.05.2006.