Деталі

Перегляди: 3535

Технология изготовления светоизлучающих кремниевых наноструктур

№14 Отдел фотохимических явлений в полупроводниках
И.З. Индутный

Разработанная технология формирования светоизлучающих структур на основе нанокристаллов кремния в пористой матрице окисла с контролируемым размером нанокристаллов позволяет получать высокоэффективные светоизлучающие структуры на подложках большой площади, с заданным спектральным составом излучения (от 560 нм до 950 нм).

Электронно-микроскопическое изображение сечения светоизлучающей nc-Si-SiOx структуры.

Области применения.
Кремниевая фотоника, в частности, для создания кремниевых светодиодов, дисплейных, эмиссионных структур, оптического усиления и лазеров.
Технология запатентована, получен патент Украины № 75793 на изобретение «Способ получения светоизлучающего материала на основе кремния»,опубл.в бюл.«Промышленная собственность», №5 от 15.05.2006 г.