Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Відділ ростових технологій напівпровідникових матеріалів і структур
Відділ фізики і технології напівпровідникових структур та сенсорних систем
Лабораторія фізики і техніки модуляційної поляриметрії
Лабораторія багатофункціональних композитних матеріалів
Лабораторія напівпровідникових сенсорів УФ- та ІЧ- випромінювання
Лабораторія фізики і техніки сенсорної електроніки
Відділ фізико-технологічних основ сенсорного матеріалознавства
Відділ функціональних перетворювачів для сенсорної техніки
Перспективні та інноваційні розробки
Деталі
Перегляди: 21747
С.Г.
Гасан-заде // УФЖ, т.43, вып.5, с.604-606
(1998)
