Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Проекти
Publications
dep06
dep-06-2018
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects(VSi-VC)0 (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
Деталі
Перегляди: 15018
B.D. Shanina, V.Ya. Bratus //
SPQEO
. (2018) 21 N3 255-230.