Ви тут: ГоловнаПроектиPublicationsdep06dep-06-beforeВплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0.4Ga0.6As/GaAs з квантовими точками
Деталі
Перегляди: 9773
О.В. Вакуленко, С.Л. Головинський, С.В. Кондратенко, I.А. Гринь, В.В. Стрельчук // УФЖ T. 56, №4, C. 384-391 (2011)