Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0.4Ga0.6As/GaAs з квантовими точками

V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine

National Academy of Sciences of Ukraine

Search

You are here: Home

Projects

Publications

dep06

dep-06-before

Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0.4Ga0.6As/GaAs з квантовими точками

Details: Hits: 9772

О.В. Вакуленко, С.Л. Головинський, С.В. Кондратенко, I.А. Гринь, В.В. Стрельчук // УФЖ T. 56, №4, C. 384-391 (2011)

Search

Nav view search

Navigation