Recombination mechanisms in doped n-type HgCdTe crystals and properties of diffusion p+-n-junctions based on them

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Ви тут: Головна

V.V.Tetyorkin, S.Ya.Stochanskii, F.F.Sizov // Semiconductors, 31, 290-293 (1997)

Навігаційний перегляд пошуку