Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep08
dep-08-before
Compensation and carrier trapping in indium-doped CdTe: Contributions from an important near-mid-gap donor
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 7085
V. Babentsov, J. Franc, R.-B. James // Appl. Phys. Lett., V. 94, iss.5, pp. 052102-3, 2 February 2009