V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine
National Academy of Sciences of Ukraine

Search

Effect of microwave and laser radiations on the parameters of semiconductor structures

Вид видання: Монографія
Рубрика: Технічні науки
Мова видання: Англійська
   
Посилання: Effect of microwave and laser radiations on the parameters of semiconductor structures / A.E. Belyaev, E.F. Venger, I.B. Ermolovich, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, G.S. Svechnikov,E.A. Soloviev, L.I. Fedorenko – Kyiv: Intac, 2002 192 p. 
Download: book_Konakova_book_2002.pdf (7.48 MB)
 EfMicandLaser
For a wide range of semiconductors (GaAs, GaP, InP, InSb, CdxHg1-xTe, SiC), as well as contact structures based on them, that are of importance in engineering, the monograph gives, in a systematized and generalized form, the results of investigation of their properties modification under action of high-power microwave radiations and nanosecond laser pulses. The physical models for production, annihilation and annealing of point defects and impurity-defect complexes in irradiated materials are considered. An analysis is made of the features of radiation-stimulated mass transport, chemical reactions, formation of new phases in various contact structures, and they are related to the parameters of surface-barrier structures. Much space is given to the elastic stress relaxation due to microwave radiation, depending on the initial impurity-defect condition of materials, their surface morphology and irradiation mode. The authors substantially lean on their own experience in this area. They pay special attention to the use of microwave and laser processing of semiconductor materials for improvement of their structural perfection and development, on their basis, of ohmic and barrier contacts having improved parameters.
 The monograph is intended for researchers and specialists engaged in semiconductor electronics. It may be of use also to lecturers, post-graduates and undergraduates dealing with the above problems.
 
У монографії систематизовані та узагальнені результати дослідження модифікації властивостей широкого класу технічно важливих напівпровідників (GaAs, GaP, InP, InSb, CdxHg1-xTe, SiC), і контактних структур на їх основі при дії на них потужних НВЧ випромінювань і наносекундних лазерних імпульсів. Розглянуті фізичні моделі виникнення, анігіляції та відпалу точкових дефектів і домішково-дефектних комплексів в опромінених матеріалах. Проаналізовані особливості стимульованих опроміненням процесів масопереносу, хімічних реакцій, утворення нових фаз у контактних структурах різної природи та встановлений їхній зв'язок із параметрами поверхнево-бар'єрних структур. Значне місце приділене релаксації пружних напружень, зумовленій впливом НВЧ опромінювання, залежно від вихідного домішково-дефектного стану матеріалів, морфології їхньої поверхні та умов опромінювання. Автори суттєво спираються на власний досвід у цій галузі та акцентують увагу на використанні НВЧ і лазерних обробок для поліпшення структурної досконалості напівпровідникових матеріалів і створення на їх основі омічних і бар'єрних контактів із поліпшеними параметрами.
 Монографія призначена для науковців і фахівців у галузі напівпровідникової електроніки. Вона може стати в пригоді також викладачам, аспірантам і студентам старших курсів, яким доводиться мати справу з вищевказаними проблемами.