Патент України на корисну модель №83664 Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs

V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine

National Academy of Sciences of Ukraine

Search

Details: Hits: 4667

О.Є. Бєляєв, О.В. Бобиль, В.М. Іванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, С.В. Новицький, А.В. Саченко // Бюл. №18 29.09.2013.