 |
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України |
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики Відділ структурного і елементного аналізу матеріалів і систем Publications dep02 dep-02-2017 Enhanced recrystallization and dopant activation of P+ ion-implanted super-thin Ge layers by RF hydrogen plasma treatmentAlexei N. Nazarov, a) Volodymyr O. Yukhymchuk, Yurii V. Gomeniuk, Sergiy B. Kryvyi, Pavel N. Okholin, Petro M. Lytvyn, Vasyl P. Kladko, Volodymyr S. Lysenko, Volodymyr I. Glotov, Illya E. Golentus, Enrico Napolitani, Ray Duffy. // Journal of Vacuum Science and Technology, B, V.35, Issue 5, 051203 (2017). http://doi.org/10.1116/1.4996139
