Compositionally Graded AlGaN Nanostructures: the Strain Distribution and X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

Національна академія наук України

Пошук

Деталі: Перегляди: 14043

H Stanchu, M Auf der Maur, AV Kuchuk, Yu I Mazur, M Sobanska, ZR Zytkiewicz, S Wu, Z Wang, G Salamo // Crystal Growth & Design, 2020, V.