Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Відділ структурного і елементного аналізу матеріалів і систем
Відділ іонно-променевої інженерії
Відділ оптики і спектроскопії напівпровідникових і діелектричних матеріалів
Відділ електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників
Лабораторія фізико-технологічних проблем твердотільної НВЧ електроніки
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Деталі
Перегляди: 6265
Belyaev A.E., Klyui N.I., Konakova R.V., Luk’yanov A.M., SveshnikovYu.M., Klyu A.M. Optical properties of irradiated epitaxial GaN films // Ukr. J. Phys., 2014, v. 59, p. 34-37