Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Відділ структурного і елементного аналізу матеріалів і систем
Відділ іонно-променевої інженерії
Відділ оптики і спектроскопії напівпровідникових і діелектричних матеріалів
Відділ електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників
Лабораторія фізико-технологічних проблем твердотільної НВЧ електроніки
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Деталі
Перегляди: 4404
Pud S., Vitusevich S.A., Li J., Petrychuk M., Feste S., Danilchenko B., Offenhäusser A., Mantl S. // Journal of Applied Physics.-2013.-V. 113.-P. 124503-1-10