Depth profiling of strain and carrier concentration by cleaved surface scanning of GaN Gunn-diode: confocal Raman microscopy

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

Національна академія наук України

Пошук

Деталі: Перегляди: 5085

Belyaev A.E., Strelchuk V.V., Nikolenko A.S., Romanyuk A.S., Mazur Yu.I., Ware M.E., DeCuir Jr E.A., Salamo G.J. // Semicond. Sci. Technol. – 2013. – V. 28, N.10. – p. 105011

Пошук

Навігаційний перегляд пошуку

Навігація