Resistance formation mechanisms for contacts to n-GaN and n-AlN with high dislocation density

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

Національна академія наук України

Пошук

Деталі: Перегляди: 5331

Sachenko A.V., Belyaev A. E., Boltovets N.S., Zhilyaev Yu.V., Klad’ko V.P., Konakova R.V., Kudryk Ya.Ya., Panteleev V.N., Sheremet V.N. // Phys. Stat. Sol. (C). –2013. – V.10., №3. – P. 498–500

Пошук

Навігаційний перегляд пошуку

Навігація