The temperature dependence of the resistivity of ohmic contacts based on gallium arsenide and indium phosphide in the 4.2

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України

Національна академія наук України

Пошук

Деталі: Перегляди: 19352

Sachenko A.V., Belyaev A.E., Boltovets N.S., Konakova R.V., Vitusevich S.A., Novitskii S.V., Sheremet V.N., Pilipchuk A.S. // Technical Physics Letters.–2016. – V.42, N.6. – P. 649-651

Пошук

Навігаційний перегляд пошуку

Навігація