Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

Відділ функціональних матеріалів і наноструктур

Завідуючий відділом

Назаров Олексій Миколайович

д. ф.-м. н., професор

Тел. +38 (044) 525-6177

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

Склад відділу

Лисенко Володимир Сергійович

гол. н. с., д. ф.-м. н., професор, чл. кор. НАН України

Тел./ факс. +38 (044) 525-6395

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Руденко Тамара Охримівна

Пров. н. с., д. ф.-м. н.

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Васін Андрій Володимирович

Пров. н. с., д. ф.-м. н.

тел. +38 (044) 525-6395

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Тягульский Ігор Петрович

Ст. н. с., канд. ф.-м. н.

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Гоменюк Юрій Вікторович

Ст. н. с., канд. ф.-м. н.

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Русавський Андрій Вадимович

Ст. н. с., канд. ф.-м. н.

тел. +38 (044) 525-6395

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Шапар Володимир Миколайович

Ст. н. с.

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Тягульский Станіслав Ігорович

Ст. н. с., канд. ф.-м. н.

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Гоменюк Юрій Юрійович

М. н. с.

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Євтух Валерій Анатолієвич

М. н. с., канд. ф.-м. н.

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

Кисіль Дмитро Вадимович

М. н. с., канд. ф.-м. н.

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

Слободян Олександр Михайлович

М. н. с., канд. ф.-м. н.

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Охолін Павло Миколайович

М. н. с.

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Степанов Володимир Григорович

Н. с.

ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Дрожча Ірина Іванівна

Пров. інж.

Смірна Віра Іванівна

Ст. технік

Лаб15-1  Лабораторія оптоелектронних молекулярно-напівпровідникових систем

Керівник Борщагівський Євген Григорович

Дослідження

Основні напрямки наукової і науково-технічної діяльності відділення:

  • Вивчення електричних, оптичних і фізико-хімічних властивостей нанокомпозитних світловипромінюючих матеріалів отриманих на базі диоксиду кремнію, аморфного карбіду кремнію, оксикарбіду кремнію і оксидів перехідних металів та розроблення технології їх отримання

  • Синтез і вивчення електричних і оптичних властивостей нанорозмірних вуглецевих і графенових структур та нанокомпозитних матеріалів на їх основі, як чутливих елементів в фотоелектричних і хімічних сенсорах

  • Вивчення процесів транспорту заряду і розробка методів електричного діагностування нанорозмірних та двовимірних транзисторних структур на ізоляторі

  • Дослідження структур органіка-неорганіка (з використанням нанониткових кристалів) для систем фотовольтаїки, перетворення та збереження енергії.

  • Розвиток плазмово-водневої технології упорядкування/модифікації тонкоплівкових наноструктурованих (нанорозмірних) напівпровідникових матеріалів і структур

  • Розробка теорії і матеріалів для антивірусної терапії на базі модифікованих наночастинок

Досягнення

Найбільш вагомі науково-технічні результати:

1. Вперше були досліджені і теоретично проаналізовані стохастичні емісійні струми в МДН-структурах (системи Si-SiO2, 4H-SiC-SiO2, 6H-SiC-SiO2) в області наднизьких температур, які пов’язані з тунельним обміном носіями між двома системами центрів з малими енергіями активації, розташованими в нанорозмірних прошарках проміжної стехіометрії на межі поділу аморфний діелектрик-напівпровідник та відповідними дозволеними зонами напівпровідника. Проведені дослідження виявили вплив процесів перезарядки центрів у перехідному шарі діелектрика на низькотемпературні характеристики МДН-транзисторів. Зокрема, за допомогою цих досліджень було доведено, що причиною аномально низької рухливості носіїв і низької крутизни в n-канальних 4H-SiC МОН транзисторах є пастки електронів з надзвичайно високою густиною (>1013 см-2), розташовані в оксікарбідному перехідному шарі і обумовлені природним поверхневим дефектом. Ці пастки є притаманними усім МОН-структурах на основі окисленого 4H-SiC, незалежно від режиму окислення, і відсутні в структурах на основі 6H-SiC. (В.І. Зіменко, Ю.В. Гоменюк, Р.Н. Літовський, В.С. Лисенко, О.М. Назаров, Т.О. Руденко, І.М. Осіюк, Т.М. Ситенко, І.П. Тягульський).  24  
Рис. 1. Типові спектри термоактиваційного струму в МОН структурах на основі (а) n-типу 4Н-SiC і (б) 6Н-SiC для різних величин зарядної напруги, прикладеної при температурі Т=250К. Швидкість нагріву 0.333К/сек [9].
 26
Рис. 2. Термоактиваційні струмові (ТАС) спектри, що вимірені за криогенних температур на структурах LaSiOX/n-Si (a) і LaSiOX/p-Si (b) з напругою зарядження, яка додавалася до структури за температурою 80 K. На вставці: спектри ТАС, що вимірялися після прикладання напруги за температурою 20 K, які пов’язані з пастками у перехідному шарі діелектрику [13].

 

2. Вперше був експериментально дослідженний вплив значних поперечних електростатичних полів на фундаментальні параметри надпровідності в високотемпературних надпровідникових кераміках. Встановлено, що індукована зовнішнім полем зміна концентрації вільних носіїв в тонких приповерхневих шарах високотемпературних надпровідникових кераміках призводить до збільшення критичної температури надпровідності, критичної густини струму та верхнього критичного поля, що доводить принципову можливість створення на основі таких матеріалів нових видів польових транзисторних надпровідникових приладів (Ю.В. Гоменюк, В.С. Лисенко, Т.М. Ситенко, І.П. Тягульський).
     22

 

3. Вперше було знайдено вплив водню на процеси низькотемпературного плазмового відпалу вакансійних дефектів і активацію легуючої домішки в кремнії та запропоновано і теоретично обгрунтовано фізичний механізм цих процесів (О.М. Назаров, А.С. Ткаченко, Т.О. Руденко, В.С. Лисенко).
     27
A.N. Nazarov, V.M. Pinchuk, T.V. Yanchuk, V.S. Lysenko, Ya.N. Vovk, S. Rangan, S. Ashok, V. Kudoyarova, E.I. Terukov, International Journal of Hydrogen Energy, vol. 26, pp.521–526 (2001).

 

4. Створені нові світловипромінюючи матеріали (плівкові і нанопорошкові) з високою ефективністю випромінювання зі спектром, наближеним до сонячного, на основі наноструктурованих аморфних сплавів SixC1-x та карбонізованого поруватого кремнію. Високотемпературні обробки та ефекти окислення дозволили виявити вплив перерозподілу водневих зв’язків Si-H та C-Н, а також формування sp2 вуглецевих нанокластерів, на електрофізичні, оптичні та магнітні властивості таких плівок і знайти умови покращення їх ефективності світловипромінювання. (А.В. Васін, А.В. Русавський, О.М. Назаров, В.Г. Степанов, В.М. Торбін, В.С. Лисенко).
Вперше біла люмінесценція із спектром випромінювання близьким до випромінювання сонця була знайдена в наноструктурованій сполуці типу a-Si(1-x-y)O(x)C(y), яка була синтезована за допомогою послідовної процедури високотемпературної обробки поруватого кремнію в атмосфері ацетилену та водневого пару.
 
10    
 
Yukari Ishikawa, A. V. Vasin, J. Salonen, S. Muto, V. S. Lysenko, A. N. Nazarov, N. Shibata, V.-P. Lehto, Journal of Applied Physics, v.104, 083522-1-6, 2008.
 

5.    Вперше показано, що у сильнолегованих безперехідних нанодротових транзисторах (приладах нової генерації) ефективна рухливість електронів  збільшується зі зменшенням ширини нанодроту, і у певному діапазоні роботи значно перевищує рухливість в об’ємному Si з цією самою концентрацією легуючих домішок, що обумовлено зменшенням Кулонівського розсіяння на іонізованих домішках в нанодротових транзисторах з нанорозмірним поперечним перетином. Ці результати є надзвичайно важливими, оскільки низька рухливість носіїв внаслідок високої концентрації домішок вважалась раніше фундаментальним обмеженням без перехідних нанодротових транзисторів. Крім того прилади можуть мати підпороговий нахил значно менший, ніж у ідеального МДН транзистору (60 mV/Dec) за рахунок процесу ударної іонізації і динамічного плаваючого потенціалу в каналі (Т.О. Руденко, О.М. Назаров, В.С. Лисенко разом з групою Ж.П.Коланжа, Національного інституту Тиндала, Корк, Ірландія).
 11
Схематичний вигляд і поперечний перетин багатозатворного безперехідного транзистора
 12
Ефективна рухливість електронів в безперехідних нанодротових транзисторах з різною шириною нанодроту: (а) в залежності від перевищення порогової напруги, VG-VTH;
(б) в залежності від густини носіїв заряду на одиницю площі затвору
(концентрація легуючої донорної домішки ND=5х1018 см-3, довжина каналу L=10 um; товщина кремнієвої плівки tSi=10 nm; еквівалентна товщина затворного діелектрику tEOT=1.3 нм) [1]
   
Підпороговий нахил безперехідного нанодротового транзистора в режимі ударної іонізації в каналі [4]

13 

6. Розроблені нові методи електричної характеризації тонкоплівкових КНІ транзисторів та наноприладів таких, як КНІ МДН транзистори з надтонкою кремнієвою плівкою, багатозатворні нанодротові і реброподібні транзистори (FinFET), нанодротові безперехідні (junctionless) транзистори (Т.О. Руденко, О.М. Назаров, В.С. Лисенко).
Зокрема, запропоновано новий фізично обґрунтований метод визначення порогової напруги придатний в новітніх КНІ МДН нанотранзисторах, в тому числі з нелегованим каналом, а саме, з положення мінімуму похідної відношення крутизни до току затвору по напрузі затвора. Працездатність і переваги запропонованого методу було підтверджено чисельнім моделюванням і експериментальними результатами, отриманими на нанорозмірних КНІ транзисторах зі структурою FinFET і ультра-тонкою плівкою КНІ (Т.О. Руденко, О.М. Назаров).
    Запропоновано новий метод визначення концентрації легуючої домішки і напруги плоских зон у багатозатворних нанодротових безперехідних КНІ транзисторах, що базується на застосуванні 2-D електростатичних ефектів. Метод потребує виміряння ємності затвор-канал в залежності від напруги затвору в транзисторах з різною шириною нанодроту і побудови середньої концентрації носіїв як функції напруги затвору. Працездатність методу продемонстровано на трьох-затворних нанодротових безперехідних КНІ транзисторах. (Т.О. Руденко, О.М. Назаров).
     23

7. Вперше за допомогою split-CV методу було експериментально визначено ефективну рухливість носіїв в реброподібних КНІ транзисторних структурах (FinFET) з нановимірними розмірами (Рис.1, 2). Виявлено загальні тенденції в поведінці рухливості носіїв в трьох-затворних FinFET структурах, що не залежать від матеріалу затвору і затворного діелектрика. Зокрема, знайдено, що в випадку нелегованих каналів має місце покращення рухливості дірок і деградація рухливості електронів вузьких FinFET транзисторних структурах порівняно з планарними структурами, що пояснюється різною орієнтацією верхньої (100) і бокових (110) поверхонь транзистора. Однак, в випадку сильнолегованих каналів має місце значне покращення (більш ніж в 2 рази) рухливості в вузьких FinFET транзисторних структурах порівняно з планарними структурами не тільки дірок, але і електронів. Несподіване покращення рухливості електронів в вузьких FinFET транзисторах при низьких і помірних щільностях носіїв пояснюється зменшенням Кулонівське розсіяння на іонізованих домішках і зменшенням поперечного електричного поля. Отримані результати дослідження рухливості забезпечують краще розуміння транспортних властивостей багатозатворних нановимірних КНІ транзисторних структур (Т.О. Руденко, О.М. Назаров, В.І. Кільчицька разом з IMEC і Католицьким Університетом Льовена, Льовен-ла-Нов, Бельгія)
     
 24
16     
Рис.3 Ефективна рухливість дірок (а) і електронів (б) в залежності від щільності носіїв в вузьких і дуже широких (квазі-планарних) трьох-затворних FinFET структурах з нелегованим каналом (HFin=55 нм, L=10 мкм) [1]
17     
Рис.4 Ефективна рухливість дірок (а) і електронів (б) в залежності від щільності носіїв в вузьких і дуже широких (квазі-планарних) трьох-затворних FinFET структурах з легованим каналом (NA=2x1018 cm-3, HFin=55 нм, L=10 мкм) [1]
18     
Fig.5 Effective electron (a) and hole (b) mobilities in the FinFETs with various fin widths and a TiN gate electrode and a HfO2 gate dielectric [4]

 

8. Визначені механізми захоплення та витоку заряду в елементах пам’яті із кремнієвими нановключеннями, які працюють як ізольований електрод, що дозволило запропонувати нові системи енергонезалежної пам’яті. (В.І. Турчаніков, В.А. Євтух, О.М. Назаров,).
Уніполярна пам'ять
   19
 
З роботи: V. A. Ievtukh, A. N. Nazarov, V. I. Turchanikov and V. S. Lysenko, Advanced Materials Research, Vol. 718-720, pp 1118-1123 (2013).

 

9. За допомогою хімічного модифікування поверхні нанопорошків пирогенного оксиду кремнію, були синтезовані нанопорошки SiO2:C, які виявили яскраву люмінесценцію в широкому діапазоні спектру, що наближений до спектру сонячного світла. Проведені дослідження ФЛ, структури і хімічного складу і розроблена фізична модель, яка пояснює широку смугу "білої" фотолюмінесценції. Результат увійшов до найзначущих наукових результатів відділення Фізики і астрономії НАНУ за 2016 рік.

 

Васін А.В., Кисіль Д.В., Локшин М.М., Лисенко В.С., та інші, Спосіб синтезу люмінофору на основі нанокомпозиту SiO2:C та порошок люмінофору з білою люмінесценцією, виготовлений за даним способом// Патент на винахід № 108463, зареєстровано в Держреєстрі патентів України 27.04.2015)

A.V. Vasin, M. Adlung, V.A. Tertykh, D. Kysil, S. Gallis, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko Broad band (UV–VIS) photoluminescence from carbonized fumed silica: Emission, excitation and kinetic properties, Journal of Luminescence. v. 190 (2017) p.141.

Vasin A.V., Kysil D.V., Lajaunie L., Rudko G.Yu., Lysenko V.S., Sevostianov S.V., Tertykh V.A., Piryatinski Yu.P., Cannas M., Vaccaro L., Arenal R., Nazarov A.N. Multiband light emission and nanoscale chemical analyses of carbonized fumed silica. Journal of Applied Physics, 124. (2018) 105108-1-12.

A.V.Vasin, S.Muto,  Y.Ishikawa, D.V.Kysil, S.V.Sevostianov, O.F.Isaieva, G. Yu.Rudko, R.Yatskiv, S.Starik, V.A.Tertykh, A.N.Nazarov, V.S.Lysenko. Evolution from UV emission of phenyl groups to visible emission of pyrolytic nanocarbons dispersed in fumed silica: Alternative insight into photoluminescence of carbon nanodots// Journal of Luminescence. - 2020. - V. 219, P. 116926 (11 pages)

 

10. Вперше було продемонстровано і з’ясовано природу низькотемпературної модифікації із значним покращенням параметрів безперехідного польового транзистора на базі InGaAs за допомогою воднево-плазмової ВЧ обробки.

 

Структура польового транзистора

 

Значне покращення контактного опору стоку-витоку

 

Зменшення порогової напруги (а), підпорогового нахилу (б), збільшення максимального струму (с)

 

Збільшення рухливості носіїв в каналі транзистора

 

Gomeniuk Y.V., Gomeniuk Y.Y., Rudenko T.E., Okholin P.N., Glotov V.I., Nazarova T.M., Djara V., Cherkaoui K., Hurley P.K., Nazarov A.N. Effect of Low Temperature RF Plasma Treatment on Electrical Properties of Junctionless InGaAs. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 8 (2019) Q24-Q31.

 

11. Вперше проведена низькотемпературна рекристалізація аморфізованого іонною імплантацією тонкого шару германію і активація легуючої домішки за температури нижче 150С за допомогою воднево-плазмової ВЧ обробки.

 

Зменшення інтенсивності аморфного піка із досліджень Раманівської спектроскопії

 

Ефективна активація імплантованої домішки за низьких температур

 

Nazarov A. N., Yukhymchuk V. O., Gomeniuk Yu. V., Kryvyi S. B., Okholin P. N., Lytvyn P. M., Kladko V. P., Lysenko V. S., Glotov V. I., Golentus I. E., Napolitani E., Duffy R. Enhanced recrystallization and dopant activation of P+ ion-implanted super-thin Ge layers by RF hydrogen plasma treatment . Journal of Vacuum Science & Technology B, v. 35. (2017) 051203-1-8.

 

Розробки

Найбільш вагомі науково-технічні розробки:

1. Low-Cost SOI material and CMOS ICs
Було розроблено недорогу технологію отримання структур кремній-на-ізоляторі (КНІ) з одношаровими та багатошаровими внутрішніми діелектриками методамі лазерної та електронної рекристалізації тонких шарів полікремнію і вперше в СНД виготовлені на таких системах МДН-інтегральні схеми різного призначення, здатних працювати при температурах до 250°С та в умовах значних імпульсних електричних перешкод і доз гамма опромінювання. Інтегральні схеми мікропроцессорного набору на структурах КНІ, що були виготовлені разом з державним предприємством “Науково-дослідний інститут мікроприладів”, отримали високу оцінку щодо високочастотних властивостей та експлуатацїйної надійності порівняно з функціональнимі аналогами на об’ємному кремнію в таких організаціях, як НВО “Хартрон”, КБ “Електроавтоматика” (м. Дніпропетровськ). (В.І. Кільчицька, В.С. Лисенко, О.М. Назаров, Т.О. Руденко, О.М. Руденко).

   

11

Призначення КНІ КМОН інтегральної схеми

1
Інтегральна КМОН схема BA86P та її фрагменти

2. Розробка основ технології отримання неупорядкованих матеріалів на базі кремній-вуглецевих сплавів із високими світловипромінюючими властивостями у видимому діапазоні світла
Поруватий-SiO2
Разом із Японським Центром Чистих Керамік (Нагоя, Японія) розроблений принципово новий підхід для отримання наноструктурованого матеріалу, що виявляє інтенсивну білу фотолюмінесценцію. Цей матеріал представляє із себе нанокластери вуглецю вбудовані в матрицю оксида кремнию і виготовляється за допомогою окислення карбонізованної кремнієвої плівки. В зв’язку з тим, що процеси, які використовуються, проводяться в умовах термічної рівноваги, це значно покращує стабільність світловипромінюючого матеріалу порівняно із відомим методом іонної імплантації вуглецю в оксид кремнію.
   2
Спектр випромінювання отриманого матеріалу значно ближче до спектру сонячного випромінювання ніж той, який можна отримати за допомогою сучасних комерційних приладів на базі нітрида галію, що робить цей матеріал дуже цікавим і перспективним для використання у якості альтернативного напівпровідникового джерела білого світла. Особливим досягненням даного матеріалу є використання технології на базі кремнію, при якій відсутні хімічно агресивні та екологічно небезпечні матеріали, що використовуються при виготовленні джерел білого світла на базі нітрида галію.
Переваги нового матеріалу:
 - повний видимий спектр випромінювання, близький до натурального білого світла;
 - можливість керування кольоровим відтінком білого світла;
 - не містить важких металів.

Посилання: VASIN Andriy, TANI Yukari, SHIBATA Noriyoshi,SALONEN Jarno, LEHTO Pecca. «Light emitting material and its production method» Japanese patent № JP2009-18031(PA99M247) (2009).

Тонкі плівки a-SiO(x)C(y)
Розроблено метод низькотемпературного окиснення тонкої плівки a-SiC:H насиченої вуглецем і отриманої магнетронним розпорошенням, що дозволило отримати матеріал з сильною білою фотолюмінесценцією (див. фото).
4 
Посилання: А.В. Васін, М.М. Локшин, В.С. Лисенко, О.М. Назаров, А.В. Русавський «Спосіб одержання фотолюмінесцентного шару, що не містить рідкісноземельних металів» Патент України №102635 від 25.07.2013.

Нанопорошки a-SiO2:C
Загальна схема виготовлення нанопорошків
5 

Посилання: А.В. Васін, М.М. Локшин, В.С. Лисенко, О.М. Назаров, А.В. Русавський, В.А. Тьортих, Ю.М. Больбух, Р.Б. Козакевич «Спосіб виготовлення люмінофору, який не містить металевих домішок, та люмінофор з інтенсивною білою люмінесценцією, виготовлений за даним способом» Патент України №101295 від 11.03.2013.

 

3. Нові методи антивірусної терапії

Розвинуті фізичні основи нових методів антивірусної терапії з використанням локалізованих плазмон-поляритонних резонансів і разом з Інститутом хімії поверхні ім. Чуйка НАНУ виготовлено порошки, які базуються на складних наночастинках «Au-SiO2». Розробка використовується для лікування, як БАДи, в НПО «Міжнародний медичний центр», м.Київ. Україна

 

Лисенко В.С., Локшин М.М., Співак М.Я. Спосіб виготовлення медичних противірусних препаратів, що містять наночастинки, та препарат проти вірусів герпесу і грипу виготовлений за даним способом // Патент на винахід № 106101, зареєстровано в Держреєстрі патентів України 25.07.2014

V Lysenko, V Lozovski, M Lokshyn, et al. Nanoparticles as antiviral agents against adenoviruses, Adv. Nat. Sci.: Nanosci. and Nanotechnol. V. 9, N2 (2018) 025021.

 

4. Розроблені і виготовлені лабораторні зразки оптичних обертових з’єднувачів, які знаходять своє використання в оборонній промисловості України. 

 

Багатоканальний оптичний обертовий з’єднувач з волоконно-оптичним компенсатором.

 

Фото оптичного обертового з’єднувача

Схематичне зображення ООЗ.

1-обертова частина;

2- стаціонарна частина;

3-волоконно-оптичний компенсатор;

4 -механічний редуктор;

5-10 – світловоди.

 

Vladimir Shapar, “Principles of compensation of optical rays’ rotation and multi-channel optical rotary connectors,” Applied Optics, Vol. 57, No. 27, 2020, p.p. 8023-8033, 2018.

 

Семиканальний волоконно-оптичний обертовий з’єднувач з кільцевими волоконно-оптичними перетворювачами.

 

 

Широкосмуговий одноканальний волоконно-оптичний обертовий з’єднувач.

 

Обладнання

Технологічне обладнання

 Обладнання високотемпературної лазерної зонної перекристалізації (LZMR)

полікремнію для виготовлення структур кремнія-на-ізоляторі (КНІ)

1 

  1. Лазер  - CW YAG:Nd  (1.06 um)
  2. Оптична система перетворення лазерного променю в лінію (товщиною до 0.5 мм)
  3. Утримувач пластини (100 мм) з системою нагріву - 1000 - 1200°С

Товщина кремнієвої плівки – 100 - 300нм
Товщина внутрішнього діелектрика – 300 – 1000 нм

 

Обладнання для магнетронного висадження металевих та напівпровідникових

плівкових матеріалів (Катод 1М)
2

Обладнання має:
3 магнетрона для ВЧ розпорошення (13.6МГц)
2 магнетрона для розпорошення на постійному струмі
Температура підігріву до 400°С
Діаметр пластини до 160 мм

Обладнання для швидкісного відпалу пластин (RTA)

3 Відпал в інертній атмосфері (азот, аргон);
Температура відпалу – 400-1300°С;
Час відпалу – 0.4  – 90 с;
Діаметр пластини до 150 мм
Керування від комп’ютера.

Обладнання для ВЧ плазмового відпалу пластин (RFA)

4

5

Частота ВЧ розряду – 13.6 МГц;

Температура підігріву до 300°С;

Діаметр електроду – 0.5 м;

Потужність розряду до 3 Вт/см2

 

Чиста зона для хімічних обробок, отримування поруватого кремнію,

карбонізації і окиснення

6

 7

 8

 

 

Обладнання і устаткування для діагностування

Компьютерізований комплекс на основі оптичного мікроскопу

(Axioscop-1 Mat mot, Zeiss)

9

Комплекс оптичної мікроскопії на базі оптичного мікроскопу Axioscop 2 MAT mot має вирішувальну здатність біля 0.2 мкм і дозволяє отримувати і обробляти зображення за допомогою комп’ютера у режимах світлого і темного поля, полярізованного світла і інтереференційного контрасту.

Компьютерізований багатофункціональний комлекс для вимірювань ємносних і струмових характеристик багатошарових структур на основі аналізатора параметрів напівпровідникових приладів “Agilent” 4156C та LCR meter “Agilent” 4284A

10  “Agilent” 4156C
Методи вимірювання:
ВАХ (Т) стаціонарні, динамічні та імпульсні;
квазістатичні ВФХ
Струм вимірювання –
10-14А – 0.1А
Напруга вимірювання –
до ±30В
Температури вимірювання - 300-550К
Зондова станція для вимірювання на тестових елементах інтегральних схем на пластині
LCR meter “Agilent” 4284A&Keithley 6485
Діапазоні частот вимірювання ємності і провідності –
20 Гц – 1 МГц
Температурні вимірювання (на базі кріостата, запатентованого в Україні і Росії) – 80-350К
Методи вимірювання:
ВАХ (Т) стаціонарні, ВФХ (Т);
термоактиваційна струмова спектроскопія;
термоактиваційна ємнісна спектроскопія
адмітансна спектроскопія
 11

 

Компьютерізоване обладнання для діагностування елементів енергонезалежної памяті на базі МДН структур

12

 

13

14

 

  Обладнання для вимірювання ефекта Холла (ezHEMS1000)
Підтримує вимірювання методами Ван-дер-Пау і у конфігурації метода Холла
Магнітне поле 0.9 Tesla постійного магніту
Діапазони вимірювань
питомого опору: 10-4 - 109 Ohm-cm
рухливості: 1 - 107 cm2 / Volt-sec
концентрації носіїв заряду: 107 to 1021 cm-3
джерело струму: ±2 nA to ±20 mA, ±16V
мінімальне вимірювана напруга Холла: 0.1 uV
Pt-100 термометр опору
Повністю автоматизована послідовність вимірювань

 

 

 

Проекти

Участь у державних і міжнародних програмах і проектах

1. Державна програма Державного Комітета з Науки і Техніки України 4.4.1. “Розробка фізичних і технологічних основ створення багатофункціональних швидкодіючих інтегральних схем нової генерації, у тому числі трьохвимірної інтеграції, нових типів дискретних приладів і інтегральних сенсорів на базі систем кремній на ізоляторі” (1992-1994р) (Керівники В.С.Лисенко, О.М.Назаров)

2. Проект Фонду фундаментальних досліджень ДКНТУ 4.2/43 “Розробка теоретичних та експериментальних основ водневої технології упорядкування напівпровідникових матеріалів та їх оксидів” (1993-1994) (Керівник О.М.Назаров)

3. Проект 2.29. в рамках Державної цільової науково-технічної програми Розробка технологій та організація виробництва напівпровідникових мікросенсорів, електронних приладів та систем на їх основі для екологічного моніторингу та енергозбереження «Розробка конструкції і технології виготовлення високотемпературних КМОН ІС на КНІ структурах для систем збору та обробки інформації» (2003-2004) (КЕРІВНИКИ В.С.ЛИСЕНКО, О.М.НАЗАРОВ).

4. Проект 2.2.15.28 Державної цільової науково-технічної програми Нанотехнології та наноматеріали «Розроблення нанотехнологій виготовлення наноструктурованих кремній-карбонізованих матеріалів та розроблення на іх основі світловипромінюючих елементів у широкому діапазоні довжини хвиль» (2010 – 2014) (Керівник Лисенко В.С.)

5. Проект 3.5.1.21 Державної цільової науково-технічної програми Нанотехнології та наноматеріали «Розробка методів і комп’ютеризованного обладнання для електрофізичного діагностування елементів нанокристалічної пам’яті» (2010 – 2014) (Керівник Назаров О.М.)

6. Проект Цільової комплексної програми фундаментальних досліджень НАН України Фундаментальні проблеми наноструктурних систем, наноматеріалів, нанотехнологій «Діагностика і моделювання механізмів транспортування заряду в нанорозмірних кристалічних і аморфних шарах рідкоземельних оксидів і формування електронних станів на їх межах з напівпровідниками ІV групи і А3В5» (2010-2014) (Керівник Лисенко В.С.)

7. Проект 1.1.4 в рамках Державної цільової науково-технічної програми розроблення і створення сенсорних наукоємних продуктів "Розроблення і створення технології вирощування наноструктурованих карбонованих матеріалів кремнію та карбіду кремнію для опто- та мікроелектронних приладів " (2008 – 2017) (Керівники В.С.Лисенко, О.М.Назаров). 

8. Поект Програми наукового приладобудування НАН України “ Створення установки для дослідження нових функціональних наноматеріалів ” (2018-2019) (Керівник А.В.Васін)

9. Проект в рамках Цільової програми наукових досліджень НАН України Напівпровідникові матеріали, технології і датчики для технічних систем діагностики, контролю та управління «Створення високоточного гігрометру на новому принципі дії для неперервного вимірювання вологості природного газу в газотранспортних мережах» на (2018-2020) (Керівник В.М.Шапар).

10. Проект в рамках цільової науково-технічної програми НАН України Дослідження і розробки з проблем підвищення обороноздатності і безпеки держави “Малогабаритний оптичний обертовий з’єднувач високої надійності для безконтактної  передачі даних телеметрії і високочастотної широкосмугової інформації з обертових об’єктів на нерухомі” (2019) (Керівник В.М.Шапар).

 

Міжнародні проекти:

1. INTAS-93-2075 “Research of zone-melting recrystallization (ZMR) and development of technologies for preparation of multilayer silicon-on-insulator (SOI) microstructures with specific characteristics of insulator for the fabrication of integrated circuits” (1994-1997) (Team leader from Ukraine  A.N.Nazarov);
2. CRDF (США) UP2-291 “Plasma and hydrogen modification of semiconductor and dielectric properties” (1998-1999) (Team leader from Ukraine  A.N.Nazarov)
3. INCO-COPERNICUS 1998 N977048-SIER “Ligh-emitting device based on Er-doped amorphous silicon for operation with silica glass optical fibers” (1998-2000) (Team leader from Ukraine  A.N.Nazarov)
4. Проект НТЦУ 2332 «Технологія структур кремнієвих та карбід кремнієвих плівок на ізоляторі для високотемпературних мікроелектронних приладів» (2001-2002) Керівник – В.С.Лисенко
5. BMBF UKR01/054 (Німеччина) “Дослідження явищ люмінесценції та електричної пам’яті в діелектричних шарах SiO2, які мають нанокластери Si/Ge”, наказ Міносвіти і науки від 18 квітня 2001 року №321 (2001-2003) (Керівники: В.С.Лисенко, О.М. Назаров)
6. Network of Excellence, Contract # 506844 (Шоста рамочна програма ЄС) “Silicon-based nanodevices (SINANO)” (2004-2006) (Team leader from Ukraine  A.N.Nazarov)
7. Thematic Network on Silicon on Insulator (SOI) technology, devices and circuits (EUROSOI), Contract #506653 (Шоста рамочна програма ЄС) (2004-2006) (Team leaders from Ukraine  V.S.Lysenko, A.N.Nazarov)
8. CRDF (США) UKE2 – 2856-KV-07 “Research and Development of Amorphous SiXC1-X:H and Rare-Earth Doped Amorphous SiXC1-X:H films on Crystalline Si for Light-Emitting Devices ” (2007-2008) (Team leader from Ukraine  A.N.Nazarov)
9. Проект Фонду фундаментальних досліджень з Республікою Білорусь № Ф29.1/024  «Вивчення механізмів світловипромінення і переносу заряду в наноструктурованих шарах a-SiO2:C на кремнії для перспективних джерел білого випромінення» (2009-20010) (Керівники: О.М.Назаров, А.В.Васін)
10. Проект НТЦУ 5513 «Розробка технологій світловипромінюючих нанокомпозитних матеріалів SiO2:C для перспективних джерел білого світла» (2012-2013) Керівник – В.С.Лисенко

11. Проект НАН України — РФФД 2012 р "Фундаментальні характеристики і проблеми діагностики нанодротових та атомарнотонких польових приладів на основі алмазу, кремнію і графену" (2012-2013) Керівник - Мачулін В.Ф.

12. Проект НТЦУ 6263 " Перспективні функціональні наноматеріали на основі кремнію і вуглецю для сучасних датчиків і оптоелектроніки" (2018-2019) Керівники: Скришевський В.А., Назаров А.Н.

13. Проекти Ascent (Horizon 2020) з Інститутом Тиндалла, Корк, Ірландія: N059 (2017-2018 ) "Low-T Hydrogen Plasma Treatment of III-V MISFETs"; N103 (2018-2019) "Low-T Plasma Treatment of Si nanowires"; N163 (2019-2020) "Low-T Plasma Modification of MoS2 based structures" (керівник – Назаров О.М.)

 

 

Проекти з організації міжнародних семінарів:
1. Семінар НАТО “Фізичні та технічні проблеми КНІ структур і приладів на їх основі” Гурзуф, Крим 1994р (організатори В.С.Лисенко, О.М.Назаров, Ж.-П. Коланж (Бельгія));
2.    Семінар НАТО “Перспективи, наука і технологія новітніх приладів, виготовлених на базі систем напівпровідник на ізоляторі”, Київ 1998 (організатори В.С.Лисенко, О.М.Назаров; П.Хеммент (Велика Британія));
3.    Семінар НАТО “Прогрес в КНІ структурах і приладах, що працюють в екстремальних умовах”, Київ 2000 (організатори В.С.Лисенко, О.М.Назаров, Д.Фландре (Бельгія));
4.    Семінар НАТО “Наука і технологія структур напівпровідник-на-ізоляторі і приладів на їх основі, що працюють в жорстких умовах”, Київ 2004 (організатори О.М.Назаров, Ф. Балестра (Франція));
5.    Семінар НАТО “Нанорозмірні структури напівпровідник-на-ізоляторі і прилади на їх основі”, Судак, Крим 2006 (організатори О.М.Назаров, С. Холл (Велика Британія));
6.    Українсько-французький семінар (НАНУ-CNRS) «Матеріали, прилади і схема на основі напівпровідників-на-ізоляторі: фізика, технологія і діагностика (SOIMDC2010)», Київ 2010 (організатори О.М.Назаров, Ф. Балестра (Франція));
7.    Російсько-український семінар (НАНУ-РФФД) «Нанорозмірні системи та прилади на базі структур напівпровідник-на-ізоляторі», Звєнігород 2012 (Росія) (організатори О.М.Назаров, В. В’юрков (Росія))
8. Українсько-французький семінар (НАНУ-CNRS) «Характеризація і моделювання новітних нанорозмірних приладів виготовлених на основі систем напівпровідник на ізоляторі (SOIMDC2013)», Київ 2013 (організатори О.М.Назаров, Ф. Балестра (Франція));

9. Семінар НАТО “Функціональні матеріали і прилади для електроніки, сенсорики і збереження енергії”, Львів 2015 (організатори О.М.Назаров, Д. Фландр (Бельгія));

 

Публикації

2020

 
  1. Tang X., Raskin J.-P., Kryvutsa N., Hermans S., Slobodian O., Nazarov A. N., Debliquy M. An Ammonia Sensor Composed of Polypyrrole Synthesized on Reduced Graphene Oxide by Electropolymerization Sensors and Actuators B. Chemical. 305 (2) 127423 (2020)

  2. O.M. Slobodian, Yu.V. Gomeniuk, A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, P.N. Okholin, O.Yo. Gudymenko, O.Yu. Khyzhun, A.S. Nikolenko, P.M. Lytvyn, A. Korchovyy, R. Yatskiv, T. M. Nazarovа, V. G. Stepanov, D.V. Kisyl and A.N. Nazarov Graphitic Nanoporous Carbon Thin Films: Fabrication Method, Structural, Electrical and Gas Sensor Properties ECS Transactions, 97 (5) 151-156 (2020)

  3. A.V. Vasin, D.V. Kysil, S.V. Sevostianov, O.F. Isaieva, G.Yu. Rudko, R. Yatskiv, H. El Hamzaoui, B. Capoen, M. Bouazaoui, V.A. Tertykh and A.N. Nazarov Porous Silica as a Nanotemplate for the Solid State and Liquid Phase Synthesis of Luminescent Carbon Dots ECS Transactions, 97 (2) 91-96 (2020)

  4. A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, E.G. Bortchagovsky, Y.V. Gomeniuk, A.S. Nikolenko, V.V. Strelchuk, R. Yatskiv, S. Tiagulskyi, S. Prucnal, W. Skorupa, A.N. Nazarov Methane as a novel doping precursor for deposition of highly conductive ZnO thin films by magnetron sputtering Vacuum (2020), V. 174,P. 109199-1 – 109199-6

  5. A.V. Vasin, S. Muto, Y. Ishikawa, D.V. Kysil, S.V. Sevostianov, O.F. Isaieva, G. Yu.Rudko, R. Yatskiv, S. Starik, V.A. Tertykh, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko Evolution from UV emission of phenyl groups to visible emission of pyrolytic nanocarbons dispersed in fumed silica: Alternative insight into photoluminescence of carbon nanodots Journal of Luminescence (2020), V. 219, P. 116926

  6. T. Rudenko, A. Nazarov, S. Barraud, V. Kilchytska, D. Flandre A method for threshold voltage extraction in junctionless MOSFETs using the derivative of transconductance-to-current ratio Solid State Electronics (2020), V. 168, P. 107723

2019

 
  1. Slobodian O.M., Milovanov Yu.S., Skryshevsky V.A., Vasin A.V., Tang X., Raskin J.-P., Lytvyn P.M., Svezhentsova K.V., Malyuta S.V., Nazarov A.N. Reduced graphene oxide obtained using the spray pyrolysis technique for gas sensing Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 22 (1) 98-103 (2019)

  2. Vasin A., Kysil D., Isaieva O., Rudko G., Virnyi D., Sevostianov S., Tertykh V., Piryatinski Y. P., Starik S., Vaccaro L., Cannas M., Lysenko V., Nazarov A. Effect of Hydration Procedure of Fumed Silica Precursor on the Formation of Luminescent Carbon Centers in SiO2:C Nanocomposites Phys. Status Solidi A. 216 (3) 1800560 (2019)

  3. Gomeniuk Y.V., Gomeniuk Y.Y., Rudenko T.E., Okholin P.N., Glotov V.I., Nazarova T.M., Djara V., Cherkaoui K., Hurley P.K., Nazarov A.N. Effect of Low Temperature RF Plasma Treatment on Electrical Properties of Junctionless InGaAs ECS Journal of Solid State Science and Technology 8 (2) Q24-Q31 (2019)

  4. Slobodian O. , Rusavsky A, Vasin A., Khyzhun O.Yu., Gudymenko O., Kladko V., Nikolenko A., Tsykaniuk B., Lytvyn P., Gomeniuk Y., Fesenko O.M., Nazarov A. Highly porous carbon films fabricated by magnetron plasma enhanced chemical vapor deposition: Structure, properties and implementation Applied Surface Science, 496, 143735 (2019)

  5. Gumenjuk-Sichevska, J.V., Huber, R., Nazarov, A.N., Sergij V. Korinets, S. V. ,Gomenyuk, Y., Rudenko, T., Vuychik, M.V., Lysjuk, I.O., Danilov, S.N Electric and terahertz characterisation of FET based on BLG/h-BN 2019 IEEE 9th International Conference Nanomaterials: Applications & Properties (NAP)

  6. S. Kondratenko, V. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, O. Kondratenko, Y. Kozyrev, O. Selyshchev, V. Dzhagan, and D.R.T. Zahn Charge Carrier Transport, Trapping, and Recombination in PEDOT:PSS/n-Si Solar Cells ACS Appl. Energy Mater, 2019, V.2., P.5983−5991

  7. Kazuki Oguni, Koji Sato, Yosuke Ishii, Yukari Ishikawa, Shinji Kawasaki, Andrii Vasin, Shunsuke Muto Analysis of evolution of electron-radiation-induced defects in white-luminescent, carbonized, mesoporous silica nanocomposite using transmission electron microscopy/cathodoluminescence Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B 439 (2019) 22–33

2018

 
  1. Savchenko D., Vasin A., Muto Sh., Kalabukhova E., Nazarov A. EPR Study of Porous Si:C and SiO2:C Layers Phys. Status Solidi B, 255 (6) 1700559-1-6 (2018)

  2. Vasin A.V., Neshpor I.P., Mosina T.V., Vedel D.V., Rusavsky A.V., Kopeček J., Nazarov. A.N., Grigoriev O.N. Amorphous SiOxCy(:Er) films deposited by RF-magnetron sputtering on ZrB2–SiC ceramics: antioxidation and strengthening effects. Surface and Coating Technologies, 343 (6) 11-16 (2018)

  3. I.P. Neshpor, T.V. Mosina, O.M. Grigoriev, D.V. Vedel, A.V. Vasin, A.B. Rusavsky, and O.M. Nazarov Surface modification of ZrB2–SiC ceramics for improving their corrosion resistance Powder Metallurgy and Metal Ceramics, Vol. 57, Nos. 5-6, September, 2018 pp/277-284

  4. Slobodian O.M., Lytvyn P. M., Nikolenko A. S., Naseka V.M., Khyzhun O.Yu., Vasin A.V., Sevostianov S.V., Nazarov A.N. Low-Temperature Reduction of Graphene Oxide: Electrical Conductance and Scanning Kelvin Probe Force Microscopy Nanoscale Research Letters, 13. 139-1-11 (2018)

  5. Slobodian O.M., Tiagulskyi S.I., Nikolenko A.S., Stubrov Yu., Gomeniuk Y.V., Lytvyn P.M., Nazarov A.N. Micro-Raman spectroscopy and electrical conductivity of graphene layer on SiO2 dielectric subjected to electron beam irradiation Mater. Res. Express, 5, 116405-1-11 (2018)

  6. Vasin A.V., Kysil D.V., Lajaunie L., Rudko G.Yu., Lysenko V.S., Sevostianov S.V., Tertykh V.A., Piryatinski Yu.P., Cannas M., Vaccaro L., Arenal R., Nazarov A.N. Multiband light emission and nanoscale chemical analyses of carbonized fumed silica. Journal of Applied Physics, 124. 105108-1-12 (2018)

  7. Gomeniuk Y.V., Gomeniuk Y.Y., Okholin P.N., Nazarov T.M., Djara V., Cherkaoui K., Hurley P.K., Nazarov A.N. Low-Temperature RF Plasma Treatment Effect on Junctionless Pd-Al2O3-InGaAs MISFET ECS Transactions, 85. (8) 137-142 (2018)

  8. V. Lysenko, V. Lozovski, M. Lokshyn, Yu.V. Gomeniuk, A. Dorovskih, N. Rusinchuk, Yu. Pankivska, O. Povnitsa, S. Zagorodnya, V. Tertykh and Yu. Bolbukh Nanoparticles as antiviral agents against adenoviruses Advances in Natural Sciences: Nanoscience and Nanotechnology, vol.9, pp.025021-1 – 025021-8 (2018)

  9. K. Cherkaoui, A. Blake, Y.Y. Gomeniuk, J. Lin, B. Sheehan, M. White, P.K. Hurley, P.J. Ward Investigating positive oxide charge in the SiO2/3C-SiC MOS system AIP Advances, 2018, vol.8 (8), pp. 085323

2017

 
  1. Nazarov A. N., Yukhymchuk V. O., Gomeniuk Yu. V., Kryvyi S. B., Okholin P. N., Lytvyn P. M., Kladko V. P., Lysenko V. S., Glotov V. I., Golentus I. E., Napolitani E., Duffy R. Enhanced recrystallization and dopant activation of P+ ion-implanted super-thin Ge layers by RF hydrogen plasma treatment Journal of Vacuum Science & Technology B, v. 35. 051203-1-8. (2017)

  2. Kysil D. V., Vasin A. V., Sevostianov S. V., Degoda V. Ya, Strelchuk V. V., Naseka V. M., Piryatinski Yu. P., Tertykh V. A., Nazarov A. N., Lysenko V. S. Formation and Luminescent Properties of Al2O3:SiOC Nanocomposites on the Base of Alumina Nanoparticles Modified by Phenyltrimethoxysilane Nanoscale Research Letters, 12. 477-1-5 (2017)

  3. Vasin A.V., Rusavsky A.V., Kysil D.V., Prucnal S., Piryatinsky Yu.P., Starik S.P., Nasieka Iu., Strelchuk V.V., Lysenko V.S., Nazarov A.N. The effect of deposition processing on structural and luminescent properties of a-SiOC:H thin films fabricated by RF-magnetron sputtering Journal of Luminescence. 191. 102–106 (2017)

  4. C Byrne, B Brennan, R Lundy, J Bogan, A Brady, YY Gomeniuk, S Monaghan, PK Hurley, G HughesPhysical, chemical and electrical characterisation of the diffusion of copper in silicon dioxide and prevention via a CuAl alloy barrier layer system Materials Science in Semiconductor Processing 63, 2017, pp.227-236

  5. P. Zhao, A Azcatl, Y.Y. Gomeniuk, P. Bolshakov, M. Schmidt, S.J. McDonnell Probing Interface Defects in Top-Gated MoS2 Transistors with Impedance Spectroscopy ACS Applied Materials & Interfaces, 2017, vol.9 (28), pp. 24348-24356

2016

 
  1. P.N. Okholin, V.I. Glotov, A.N. Nazarov, V.O. Yuchymchuk, V.P. Kladko, S.B. Kryvyi, P.M. Lytvyn, S.I. Tiagulskyi, V.S. Lysenko, M. Shayesteh, R. Duffy RF plasma treatment of shallow ion-implanted layers of germanium Materials Science in Semiconductor Processing 42 (2016) 204–209

  2. T. Rudenko, A. Nazarov, V. Kilchytska, D. Flandre A review of special gate coupling effects in long-channel SOI MOSFETs with lightly doped ultra-thin bodies and their compact analytical modeling Solid-State Electronics 117 (2016) 66–76

  3. Volume 39 of Journal of Nano Research "Functional Nanomaterials and Devices" ISSN 1662-5250 Edited by: Prof. Alexei N. Nazarov, Prof. Volodymyr S. Lysenko, Prof. Denis Flandre and Dr. Yuri V. Gomeniuk
  4. T. Rudenko, S. Barraud, Y.M. Georgiev, V. Lysenko and A. Nazarov Electrical Characterization and Parameter Extraction of Junctionless Nanowire Transistors Journal of Nano Research ISSN: 1661-9897, Vol. 39, pp 17-33

  5. A. Vasin, I. Verovsky, V. Tyortykh, Yu. Bolbukh, D. Kisel, G. Rudko, Ye. Gule, Yu. Piryatinsky, S. Starik, A. Nazarov and V. Lysenko The effect of incorporation of hydrocarbon groups on visible photoluminescence of thermally treated fumed silica Journal of Nano Research ISSN: 1661-9897, Vol. 39, pp 80-88

  6. V. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, V.N. Kudina, N. Garbar, S. Kondratenko and Y.N. KozyrevPhysical Insights on Charge Transport Mechanism and the LF Noise Behavior in Oxidized Si Structures with Ge Nanoclusters Journal of Nano Research ISSN: 1661-9897, Vol. 39, pp 105-113

  7. V. Ievtukh and A. NazarovSilicon Nanocrystalline Nonvolatile Memory - Characterization and Analysis Journal of Nano Research ISSN: 1661-9897, Vol. 39, pp 134-150

  8. V. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, V.N. Kudina, N. Garbar, S. Kondratenko, Y.Y. Melnichuk and Y.N. KozyrevHopping Conduction in Structures with Ge Nanoclusters Grown on Oxidized Si (001) Journal of Nano Research ISSN: 1661-9897, Vol. 39, pp 178-188

  9. V. Shapar, V. Lysenko and A.V. BondarenkoMultichannel Fiber-Optic Ring Converters for Optical Sensors of Physical Quantities Journal of Nano Research ISSN: 1661-9897, Vol. 39, pp 221-227

2015

 
  1. A.V. Vasin, Y. Ishikawa, A.V. Rusavsky, A.N. Nazarov, A.A. Konchitz, V.S. Lysenko Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si1-xCx:H films Semiconductors: physics, quantum electronics, optoelectronics. – 2015. -vol.18. -No.1. -pp.63-70

  2. K. Cherkaoui, Y.Y. Gomeniuk, N. Daix, J. O’Brien, A. Blake, K.K. Thomas, E. Pelucchi, D. O’Connell, B. Sheehan, S. Monaghan, D. Caimi, L. Czornomaz, E. Uccelli, P.K. Hurley Electrical characterisation of InGaAs on insulator structures Microelectronic Engineering. – 2015. -vol.147. -pp.63–66

  3. V.A. Skryshevsky, Yu.S. Milovanov, I.V. Gavrilchenko, S.I. Tiagulskyi, A.V. Rusavsky, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov Impedance spectroscopy of single graphene layer at gas adsorption Phys. Status Solidi A 212, No. 9, 1941–1945 (2015)

2014

 
  1. A. Nazarov, F. Balestra, V. Kilchytska, D. Flandre, Functional Nanomateriuals and Devices for Electronics, Sensors and Energy Harvesting. –Heidelberg /New York/ Dordrecht / London, Springer 2014 (467 p.) - ISBN 978-3-319-08803-7

  2. S.I. Tiagulskyi, A.N. Nazarov, S.O. Gordienko, A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, T.M. Nazarova, Y.V. Gomeniuk, V.S. Lysenko, L. Rebohle, M. Voelskow, W. Skorupa, Y. Koshka Electroluminescent properties of Tb-doped carbon-enriched silicon oxide, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014. -vol.17, No.1. -pp.34-40

  3. A.N. Nazarov, S.O. Gordienko, P.M. Lytvyn, A.A. Stadnik, Y.Y. Gomeniuk, A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, T.M. Nazarova, V.S. Lysenko Carbon-rich nanostructurated a-SiC on Si heterostructures for field effect electron emission Advanced Materials Research. - 2014. -vol.854. -pp.59-67

  4. O. Naumova, B. Fomin, V. Popov, V. Strelchuk, A. Nikolenko, A. Nazarov An experimental study of properties of ultrathin Si layer with bonded Si/SiO2 interface Advanced Materials Research. - 2014. -vol.854. -pp.3-10

  5. T. Rudenko, R. Yu, S. Barraud, K. Cherkaoui, P. Razavi, G. Fagas, A.N. Nazarov On the mobility behavior in highly doped junctionless nanowire SOI MOSFETs Advanced Materials Research. - 2014. -vol.854. -pp.35-43

  6. D. Savchenko, E. Kalabukhova, A. Sitnikov, A.V. Vasin, S. Starik, O. Gontar, G. Rudko, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, V. Tertykh Magnetic resonance and optical study of carbonized silica obtained by pyrolysis of surface compounds Advanced Materials Research. – 2014. -vol.854. -pp.99-104

  7. V.S. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, S.V. Kondratenko, Ye.Ye. Melnichuk, Y.N. Kozyrev, C. Teichert Transport and photoelectric effects in structures with Ge and SiGe nanoclusters grown on oxidized Si (001) Advanced Materials Research. – 2014. –vol. 854. –pp.11-19

  8. A.V. Vasin Structural and Luminescent Properties of Carbonized Silicon Oxide Thin Layers"Functional Nanomaterials and Devices for Electronics, Sensors and Energy Harvesting", ed. A.Nazarov, F. Balestra, V. Kilchytska, D. Flandre, Springer -2014. -pp.297-322

  9. V.S. Lysenko, S.V. Kondratenko, Y.N. Kozyrev Photoexcitation and Recombination of Charge Carriers in Si/Ge Nanoheterostructures "Functional Nanomaterials and Devices for Electronics, Sensors and Energy Harvesting", Springer -2014. -pp.417-444

  10. T. Rudenko, M.K. Md Arshad, J.-P. Raskin, A.N. Nazarov, D. Flandre, V. Kilchytska On the gm/ID-based approaches for threshold voltage extraction in advanced MOSFETs and their application to ultra-thin body SOI MOSFETs Solid-State Electronics. – 2014. -vol.97. -pp.52–58

  11. Y. Melnichuk, S.V. Kondratenko, Y. Kozyrev, V.S. Lysenko Photoconductive mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on Si(100) surface Semiconductors: physics, quantum electronics, optoelectronics. – 2014. - vol.17. No4. - pp.331-335

  12. I.P. Tyagulskyy, S.I. Tiagulskyi, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, P.K. Hurley, K. Cherkaoui, S. Monaghan Charge Trapping Characterization of LaLuO3/p-Si Interfaces at Cryogenic Temperatures ECS Transactions, Dielectrics for Nanosystems 6: Materials Science, Procesing, Reliability and Manufacturing 2014, -vol.61, Issue 2, -pp.55-59

  13. A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, V.A. Tyortyh, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko Strong and tunable white photoluminescence from carbon incorporated nanostructural silica International Conference Nanoportugal 2014, February 12-14, 2014, Porto, Portugal, pp.94-95

2013

 
  1. T. Rudenko, A. Nazarov, V. Kilchytska, D. Flandre, V. Popov, M. Ilnitsky, V. Lysenko Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2013. -vol.16, No.3. -pp. 299-314

  2. A.N. Nazarov, A.V. Vasin, S.O. Gordienko, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, A.S. Nikolenko, A.S. Hirov, A.V. Rusavsky, V.P. Popov and V.S. Lysenko Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, - 2013. -vol.16, No.4. -pp. 335-341

  3. R. Yu, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, S. Das, I. Ferain, P. Razavi, M. Shayesteh, A. Kranti, R. Duffy, J.-P. Colinge Impact ionization induced dynamic floating body effect in junctionless transistors Solid-State Electronics. – 2013. - vol.90, No.12. - pp.28-33

  4. M.A. Negara, V. Djara, T.P. O’Regan, K. Cherkaoui, M. Burke, Y.Y. Gomeniuk, M. Schmidt, E. O’Connor, I.M. Povey, A.J. Quinn, P.K. Hurley Investigation of Electron Mobility in Surface-Channel Al2O3/In0.53Ga0.47As MOSFETs Solid-State Electronics. – 2013. -vol.88. -pp.37–42

  5. A.V. Vasin, Y.Y. Gomeniuk, A.V. Rusavsky, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, P.M. Lytvyn, O.G. Gontar, S.P. Starik, C. Nouveau and S. Ashok Nano- and micro-scale morphological defects in oxidized a-SiC:H thin films Phys. Status Solidi C. - 2013. -vol.10, No.4. -pp.619–623

  6. A.N. Nazarov, S.O. Gordienko, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, A.S. Nikolenko, A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, V.S. Lysenko and V.P. Popov Characterization of graphene layers by Kelvin probe force microscopy and micro-Raman spectroscopy Phys. Status Solidi C. - 2013. -vol.10, No.7–8. pp.1172–1175

  7. V.A. Ievtukh, A.N. Nazarov, V.I. Turchanikov and V.S. Lysenko Nanocluster NVM Cells Metrology: Window formation, Relaxation and Charge Retention Measurements Advanced Materials Research. - 2013. -vol.718-72. –pp.1118-1123

  8. V. Ievtukh, A. Nazarov, V. Turchanikov, V. Lysenko, A. Nassiopoulou Charge trapping processes at memory window formation in single- and double nanocrystal layered NVMs Microelectronic engineering – 2013. -vol.109. –pp.5-9

  9. N.M. Roshchina, P.S. Smertenko, V.G. Stepanov, L.V. Zavyalova, O.S. Lytvyn Some Properties of Thin Film Structures on the Base of ZnO Obtained by MOCVD Method Solid State Phenomena. – 2013. -vol.200. –pp.3-9

  10. I.P. Tyagulskii, S.I. Tyagulskii, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, K. Cherkaoui, P.K. Hurley Thermally activated analysis of LaSiOx/Si and GdSiOx/Si structures at cryogenic temperatures Microelectronic Engineering. - 2013. -vol.109. -pp.31–34

  11. T. Rudenko, A. Nazarov, R. Yu, S. Barraud, K. Cherkaoui, P. Razavi, G. Fagas Electron mobility in heavily doped junctionless nanowire SOI MOSFETs Microelectronic Engineering. - 2013. -vol.109. -pp.326–329

  12. T. Rudenko, R. Yu, S. Barraud, K. Cherkaoui and A. Nazarov Method for Extracting Doping Concentration and Flat-Band Voltage in Junctionless Multigate MOSFETs Using 2-D Electrostatic Effects IEEE Electron Device Letters. - 2013. -vol.34, No.8. -pp.957-959

  13. Y.Y. Gomeniuk, Y.V. Gomeniuk, A.N. Nazarov, S. Monaghan, K. Cherkaoui, E. O’Connor, I. Povey, V. Djara and P.K. Hurley Electrical Properties and Charge Transport in the Pd/Al2O3/InGaAs MOS Structure ECS Transactions. - 2013. –vol.58 (7). -pp.379-384

  14. S.O. Gordienko, A.N. Nazarov, P.M. Lytvyn, A.A. Stadnik, Y.Y. Gomeniuk, A.V. Rusavsky, A.V. Vasin, V.G. Stepanov, V.S. Lysenko, T.M. Nazarova Carbon-rich nanostructured a-SiC for cold emitters Electronics and Nanotechnology (ELNANO), 2013 IEEE XXXIII International Scientific Conference, -pp.76–79

  15. V.S. Lysenko, S.V. Kondratenko, Y.N. Kozyrev, V.P. Kladko, Y.V. Gomeniuk, Y.Y. Melnichuk, and N.B. Blanchard Surface reconstruction and optical absorption changes for Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si (100) surfaces Semicond. Sci. and Technology. – 2013. -vol.28. - p.085009-1 - 085009-9

  16. J. Lin, Y.Y. Gomeniuk, S. Monaghan, I.M. Povey, K. Cherkaoui, E. O’Connor, M. Power and P.K. Hurley An investigation of capacitance-voltage hysteresis in metal/high-k/In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor capacitors J. Appl. Phys. – 2013. -vol.114. -pp.144105

2012

 
  1. Y.V. Gomeniuk Determination of interface state density in high-k dielectric-silicon system from conductance-frequency measurements Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2012. –vol.15, No.1. -pp.1-7

  2. Y.V. Gomeniuk Current transport mechanisms in metal - high-k dielectric - silicon structures Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2012. –vol.15, No.2. -pp.139-146

  3. V. Lozovski, V. Lysenko, M. Spivak, V. Sterligov Interaction between viral particles and structured metal surface under surface plasmon propagation Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2012. –vol.15, No.1. -pp.80-82

  4. A. Vasin, A. Rusavsky, A. Nazarov, V. Lysenko, G. Rudko, Y. Piryatinski, I. Blonsky, Ja. Salonen, E. Makila, S. Starik Excitation effects and luminescence stability in porous SiO2:C layers Phys. Status Solidi A – 2012, -vol.209, No.6, -pp.1015–1021

  5. S.O. Gordienko, A.N. Nazarov, A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, V.S. Lysenko Correlation of nanostructure and charge transport properties of oxidized a-SiC:H films Phys. Status Solidi C. – 2012. –vol.9, No.6. –pp.1477–1480

  6. S. Tiagulskyi, A. Nazarov, I. Tyagulskii, V. Lysenko, L. Rebohle, J. Lehmann, W. Skorupa Shell model for REOx nanoclusters in amorphous SiO2: charge trapping and electroluminescence quenching Phys. Status Solidi C. – 2012. –vol.9, No.6. –pp.1468–1470

  7. Y.V. Gomeniuk, S.O. Gordienko, A.N. Nazarov, A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, V.G. Stepanov, V.S. Lysenko, D. Ballutaud, S. Ashok Effect of vacuum annealing on charge transport and trapping in a-Si1-xCx:H/c-Si heterostructures Journal of Non-Crystalline Solids. – 2012. –vol.358. – pp.168–173

  8. A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, K.I. Kholostov, V.P. Bondarenko, S.P. Starik Identification of nanoscale structure and morphology reconstruction in oxidized a-SiC:H thin films Applied Surface Science. – 2012. –vol.260. – pp.73–76

  9. T. Rudenko, A. Nazarov, I. Ferain, S. Das, R. Yu, S. Barraud, P. Razavi Mobility enhancement effect in heavily doped junctionless nanowire silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors Applied Physics Letters. – 2012. –vol.101. – pp.213502

  10. E. O’Connor, K. Cherkaoui, S. Monaghan, D. O’Connell, I. Povey, P. Casey, S.B. Newcomb, Y.Y. Gomeniuk, G. Provenzano, F. Crupi, G. Hughes, P.K. Hurley Observation of peripheral charge induced low frequency capacitance-voltage behaviour in metal-oxide-semiconductor capacitors on Si and GaAs substrates J. Appl. Phys. – 2012. –vol.111. – pp.124104

  11. S.I. Tiagulskyi, I.P. Tyagulskiy, A.N. Nazarov, T.M. Nazarova, N.L. Rymarenko, V.S. Lysenko, L. Rebohle, J. Lehmann, W. Skorupa Thermal Effect on Electroluminescence Quenching in SiO2 with Ge and ReOx Nanoclusters ECS Transactions. - 2012. –vol.45, No.5. – pp.161-166

  12. V.S. Lysenko, S.V. Kondratenko, Yu.N. Kozyrev, M.Yu. Rubezhanska, V.P. Kladko, Y.V. Gomeniuk, O.Y. Gudymenko, Ye.Ye. Melnichuk, G. Grenet, N.B. Blanchard Morphology and optical properties of tetragonal Ge nanoclusters grown on chemically oxidized Si(100) surfaces Ukr. J. Phys., 2012, vol.57, No.11, pp.1132-1140

  13. S.I. Tyagulskiy, I.P. Tyagulskiy, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, T.M. Nazarova, L. Rebohle, J. Lehmann, W. Skorupa Shell Model for Electroluminescence Quenching of Metal-Oxide-Silicon Light-Emitting Devices with SiO2 Enriched with ReOx Nanoclusters Proceeding of the XXXII International Conference ELNANO (Electronics And Nanotechnology) 2012, April 10-12, Kyiv, Ukraine, Kyiv 2012 -pp.55-57

2011

 
  1. A. Nazarov; J.-P. Colinge, F. Balestra, J.-P. Raskin, F. Gamiz, V.S. Lysenko Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications Heindelberg, Dorbrecht, London, New-York: Springer, 2011. - 456 p.

  2. A.V. Vasin, Sh. Muto, Yu. Ishikawa, A.V. Rusavsky, T. Kimura, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov Comparative study of annealing and oxidation effects in SiC:H and a-SiC thin films deposited by radio-frequency magnetron sputtering techniques Thin Solid Films. – 2011. –vol.519. -No.7. –pp.2218–222

  3. A.V. Vasin, Sh. Muto, Yu. Ishikawa, J. Salonen, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, P. Okholin Attribution of white-light emitting centers with carbonized surfacecarbon in nano-structured SiO2:C layers Thin Solid Films. – 2011. –vol.519. -No.12. –pp.4008–4011

  4. S.O. Gordienko, A.N. Nazarov, A.V. Rusavsky, A.V. Vasin, Yu.V. Gomeniuk, V.S. Lysenko, V.V. Strelchuk, A.S. Nikolaenko, S. Ashok Influence of oxidation temperature on photoluminescence and electrical properties of amorphous thin film SiC:H:O+Tb Physica Status Solidi C. – 2011. –vol.8. -No.9. –pp.2749–2751

  5. A.N. Nazarov, I. Ferain, N. Dehdashti Akhavan, P. Razavi, R. Yu, J.-P. Colinge Random telegraph-signal noise in junctionless transistors Applied Physics Letters – 2011. –vol.98. –pp.092111-1-3

  6. A.N. Nazarov, I. Ferain, N. Dehdashti Akhavan, P. Razavi, R. Yu, J.-P. Colinge Field-effect mobility extraction in nanowire field-effect transistors by combination of transfer characteristics and random telegraph noise measurements Applied Physics Letters. – 2011. –vol.99. –pp.073502

  7. V.S. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, V.V. Strelchuk, A.S. Nikolenko, S.V. Kondratenko, Yu.N. Kozyrev, M.Yu. Rubezhanska, C. Teichert Carrier transfer effect on transport in p-i-n structures with Ge quantum dots Phys. Rev. B. – 2011. -vol.84. -No.11. -pp.115425

  8. V.S. Lysenko, Yu.V. Gomeniuk, Yu.N. Kozyrev, M.Yu. Rubezhanska, V.K. Skylar, S.V. Kondratenko, Ye.Ye. Melnichuk, C. Teichert Effect of Ge nanoislands on lateral photoconductivity of Ge-SiOx-Si structures Advanced Materials Research. - 2011. –vol.276. -pp.179-186

  9. S.O. Gordienko, A.N. Nazarov, A.V. Rusavsky, A.V. Vasin, N. Rymarenko, V.G. Stepanov, T.M. Nazarova, V.S. Lysenko Influence of Hydrogen Plasma Treatment on a-SiC Resistivity of the SiC/SiO2/Si Structures Advanced Materials Research. - 2011. –vol.276. -pp.21-27

  10. Y.Y. Gomeniuk, Y.V. Gomeniuk, A.N. Nazarov, P.K. Hurley, K. Cherkaoui, S. Monaghan, P.E. Hellstrom, H.D.B. Gottlob, J. Schubert, J.M.J. Lopes Electrical Properties of High-K LaLuO3 Gate Oxide for SOI MOSFETs Advanced Materials Research. - 2011. –vol.276. -pp.87-96

  11. S.O. Gordienko, A.N. Nazarov, A.V. Rusavsky, A.V. Vasin, N. Rymarenko, V.G. Stepanov, T.M. Nazarova, V.S. Lysenko Influence of Hydrogen Plasma Treatment on a-SiC Resistivity of the SiC/SiO2/Si Structures Advanced Materials Research. – 2011. –vol.276. –pp.20-24

  12. Y.Y. Gomeniuk, Y.V. Gomeniuk, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, H.J. Osten, A. Laha Interface and Bulk Properties of High-K Gadolinium and Neodymium Oxides on Silicon Advanced Materials Research. - 2011. –vol.276. -pp.167-178

  13. Y.Y. Gomeniuk, Y.V. Gomeniuk, I.P. Tyagulskii, S.I. Tyagulskii, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, K. Cherkaoui, S. Monaghan, P.K. Hurley Transport and interface states in high-k LaSiOx dielectric Microelectronic Engineering. – 2011. –vol.88. –pp.1342–1345

  14. P.F. Zhang, R.E. Nagle, N. Deepak, I.M. Povey, Y.Y. Gomeniuk, E. O’Connor, N. Petkov, M. Schmidt, T.P. O’Regan, K. Cherkaoui, M.E. Pemble, P.K. Hurley, R.W. Whatmore The structural and electrical properties of the SrTa2O6/In0.53Ga0.47As/InP system Microelectronic Engineering. – 2011. –vol.88. –pp.1054-1057

  15. T. Rudenko, V. Kilchytska, M.K. Arshad, J.–P. Raskin, A. Nazarov, D. Flandre On the MOSFET threshold voltage extraction by transconductance and transconductance-to-current ratio change methods: Part I - Effect of gate-voltage-dependent mobility IEEE Transactions on Electron Devices. – 2011. –vol.58. –No.12. –pp.4172-4179

  16. T. Rudenko, V. Kilchytska, M.K. Arshad, J.–P. Raskin, A. Nazarov, D. Flandre On the MOSFET threshold voltage extraction by transconductance and transconductance-to-current ratio change methods: Part II - Effect of drain voltage IEEE Transactions on Electron Devices. – 2011. –vol.58. – No.12. –pp.4180-4188

  17. A.N. Nazarov, C.W. Lee, A. Kranti, I. Ferain, R. Yan, Akhavan N. Dehdashti, P. Razavi, R. Yu, J.-P. Colinge Comparative Study of Random Telegraph Noise in Junctionless and Inversion-Mode MuGFETs ECS Transactions. – 2011. –vol.35. –No.5. –pp.73-78

2010

 
  1. A. Nazarov, V. Turchanikov Complex Nature of Charge Trapping and Retention in NC NVM Structures Nanocrystals - ed. Yoshitake Masuda - Scyo – 2010 – 326 P.

  2. E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, D.V. Savchenko, B. D. Shanina, A. V. Vasin, V. S. Lysenko, A. N. Nazarov, A. V. Rusavsky, J. Hoentsch, Y. Koshka The EPR study of the carbon and silicon related defects in carbon-rich hydrogenated amorphous silicon-carbon films Phys. Rev. B – 2010 –vol.81 –No.15. –pp.155319-1-9

  3. T. Rudenko, V. Kilchytska, S. Burignat et al. Experimental study of transconductance and mobility behaviors in ultra-thin SOI MOSFETs with standard and thin buried oxides Solid State Electronics. – 2010. –vol.54. –No.2. –pp.164-170

  4. T. Rudenko, V. Kilchytska, J.-P. Raskin et al. Special features of the back-gate effects in UTB SOI MOSFETs Abstracts of the 1-st Ukrainian-French Seminar "Semiconductor-on-Insulator Materials, Devices and Circuits: Physics, Technology and Diagnistics" & 6-th International SemOI Workshop “Nanoscaled Semiconductor-on-Insulator Materials, Sensors and Devices”, 2010, Kyiv, Ukraine. – 2010. –pp.18-19.

  5. D. Flandre, V. Kilchytska and T. Rudenko gm/Id method for threshold voltage extraction applicable in advanced MOSFETs with non-linear behavior above threshold Electron Device Letters. – 2010. –vol.31. –No.9. –pp.930-932

  6. J.-P. Colinge, C.-W. Lee, I. Ferain, N. Dehdashti Akhavan, R. Yan, P. Razavi, R. Yu, A. N. Nazarov, R. T. Doria Reduced electric field in junctionless transistors Applied Physics Letters. – 2010. -vol.96. -No.7. -pp.073510-1 -3

  7. C.-W. Lee, A. N. Nazarov, I. Ferain, N. Dehdashti Akhavan, R. Yan, P. Razavi, R. Yu, R. T. Doria, J.-P. Colinge Low subthreshold slope in junctionless multigate transistors Applied Physics Letters. – 2010. -vol.96. -No.10. -pp.102106-1 -3

  8. Y.Y. Gomeniuk, Y.V. Gomeniuk, A.N. Nazarov, P.K. Hurley, K. Cherkaoui, S. Monaghan, H.D.B. Gottlob, M. Schmidt, J. Schubert, J.M.J. Lopes, O. Engstrom Electrical Properties of LaLuO3/Si(100) Structures Prepared by Molecular Beam Deposition ECS Transactions. – 2010. –vol.33. –No.3. –pp.221-229

  9. A.N. Nazarov, S.I. Tiagulskyi, I.P. Tyagulskyy, V.S. Lysenko, L. Rebohle, J. Lehmann, S. Prucnal, M. Voelskow, W. Skorupa The effect of rare-earth clustering on charge trapping and electroluminescence in rare-earth implanted metal-oxide-semiconductor light-emitting devices Journal of Applied Physics. - 2010. -vol.107. -No.12 -p.123112 1-14

2009

 
  1. L. Rebohle, J. Lehmann, S. Prucnal, A. Nazarov, I. Tyagulskii, S. Tyagulskii, A. Kanjilal, M. Voelskow, D. Grambole, W. Skorupa, and M. Helm Anomalous wear-out phenomena of europium-implanted light emitters based on a metal-oxide-semiconductor structure J. Appl. Phys., vol.106, 123103-1-10 (2009)

  2. A.N. Nazarov, I.P. Tyagulskyy, S.I. Tyagulskiy, L. Rebohle, W. Skorupa, J. Biskupek, U. Kaiser Correlation between electroluminescence and charge trapping in multi-color Eu implanted Si-based light-emitting diodes Physica E 41, 902–906 (2009)

  3. Y.Y. Gomeniuk, Y.V. Gomeniuk, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, H.J. Osten, and A. Laha Interface and Bulk Properties of MBE-Grown Rare-Earth Metal Oxides on Silicon ECS Transactions, 25 (6) 353-358 (2009)

  4. A.V. Vasin, Y. Ishikawa, S.P. Kolesnik, A.A. Konchits, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, G.Yu. Rudko Light-emitting properties of amorphous Si:C:O:H layers fabricated by oxidation of carbon-rich a-Si:C:H films Solid State Sciences, vol.11, Issue 10, pp.1833-1837 (2009)

  5. L. Rebohle, J. Lehmann, A. Kanjilal, S. Prucnal, A. Nazarov, I. Tyagulskii, W. Skorupa, M. Helm The correlation between electroluminescence properties and the microstructure of Europium-implanted MOS light emitting diodes Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 267, No.8-9, pp.1217–1221 (2009)

2008

 
  1. L. Rebohle, J. Lehmann, S. Prucnal, A. Kanjilal, A. Nazarov, I. Tyagulskii, W. Skorupa, and M. Helm Blue and red electroluminescence of Europium-implanted metal-oxide-semiconductor structures as a probe for the dynamics of microstructure Applied Physical Letters, vol.94, pp.071908-1-071908-3 (2008)

  2. T. Rudenko, V. Kilchytska, N. Collaert, M. Jurczak, A. Nazarov, and D. Flandre Carrier mobility in undoped triple-gate FinFET structures and limitations of its description in terms of top and sidewall channel mobilities IEEE Transactions on Electron Devices, vol.55, No.12, Dec. pp.2567-2577 (2008)

  3. Y. Ishikawa, A.V. Vasin, J. Salonen, S. Muto, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, N. Shibata, V.-P. Lehto Color control of white photoluminescence from carbon-incorporated silicon oxide Journal of Applied Physics, vol.104, pp.083522-1-6 (2008)

  4. A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, T.M. Nazarova Hydrogen plasma treatment of silicon thin-filn structures and nanostructured layers Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, vol.11, No.2, pp.101-123 (2008)

  5. S. Prucnal, L. Rebohle, A. Nazarov, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulskii, W. Skorupa Reactivation of damaged rare earth luminescence centers in ion-implanted metal–oxide–silicon light emitting devices Applied Physics B: Lasers and Optics. vol.91, No.1, pp.123-126 (2008)

  6. A.V. Vasin, S.P. Kolesnik, A.A. Konchits, A.V. Rusavsky, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, Y. Ishikawa, and Y. Koshka Structure, paramagnetic defects and light-emission of carbon-rich a-SiC:H films Journal of Applied Physics, vol.103, pp.123710-1 -123710-7 (2008)

2007

 
  1. V. Turchanikov, A. Nazarov, V. Lysenko, E. Tsoi, A. Salonidou, A.G. Nassiopoulou Charging/discharching kinetics in LPCVD silicon nanocrystal MOS memory structure Physica E, vol.38, pp.89-93 (2007)

  2. S.Prucnal, J.M.Sun, A. Nazarov, I.P. Tyagulskii, I.N.Osiyuk, W.Skorupa Correlation between defect-related electroluminescence and charge trapping in Gd-implanted SiO2 layers Applied Physics B: Lasers and Optics. vol.88, No.2. -pp.241-244 (2007)

  3. T. Rudenko, V. Kilchytska, N. Collaert, M. Jurczak, A. Nazarov, V. Lysenko, D. Flandre Electrical properties of FinFET structures Sensor Electronics and Microsystem Technologies No.3 pp.13-18 (2007)

  4. S. Muto, A.V. Vasin, Y. Ishikawa, N. Shibata, J. Salonen and V-P. Lehto Nano-Order Structural Analysis of White Light-Emitting Silicon Oxide Prepared by Successive Thermal Carbonization/Oxidation of the Porous Silicon Materials Science Forum, vol. 561-565 pp.1127-1130 (2007)

  5. T. Rudenko, V. Kilchytska, N. Collaert, M. Jurczak, A. Nazarov, and D. Flandre Reduction of gate-to-channel tunnelling current in FinFET structures vol.51, Solid-State Electronics No.11-12, pp.1467-1473 (2007)

  6. A.V. Vasin, Y. Ishikawa, N. Shibata, J. Salonen, and V.-P. Lehto Strong White Photoluminescence from Carbon-Incorporated Silicon Oxide Fabricated by Preferential Oxidation of Silicon in Nano-Structured Si:C Layer Japanese Journal of Applied Physics, vol.46, No.19, pp.L465-L467 (2007)

  7. T. Rudenko, V. Kilchytska, N. Collaert, M. Jurczak, A. Nazarov and D. Flandre Substrate bias effect linked to parasitic series resistance in multiple-gate SOI MOSFETs IEEE Electron Device Letters, vol.28, No.9, pp.834-836 (2007)

  8. A. Vasin, Y. Ishikawa, N. Shibata, J. Salonen, V-P. Lehto Carbonization of porous silicon for 3C-SiC growth Materials Science Forum, vol.556-557, pp.167-170 (2007)

2006

 
  1. H.Ch. Alt, Y.V. Gomeniuk, F. Bittersberger, A. Kempf and D. Zemke Analysis of electrically active N-O complexes in nitrogen-doped CZ silicon crystals by FTIR spectroscopy Materials Science in Semiconductor Processing, vol.9, pp.114-116 (2006)

  2. A. Nazarov, I. Osiyuk, I. Tyagulskii, V. Lysenko, S. Prucnal, J. Sun, W. Skorupa, R.A. Yankov Charge trapping phenomena in high-efficiency metal-oxide-silicon light-emitting diodes with ion-implanted oxide Journal of Luminescence, vol.121. pp.213–216 (2006)

  3. M. Gungerich, P.J. Klar, W. Heimbrodt, K. Volz, K. Kohler, J. Wagner, A. Polimeni, M. Capizzi, H.Ch. Alt and Y.V. Gomeniuk Correlation of band formation and local vibrational properties of Ga0.95Al0.05As1-xNx with 0 ≤ x ≤ 0.03 phys. stat. sol. (c), 3, pp.619 (2006)

  4. Yu. Houk, B. Iniguez, D. Flandre and A. Nazarov C-continuous high-temperature model for low-doped accumulation mode silicon-on-insulator pMOSFETs Solid-State Electron., vol.50, pp.1261-1268 (2006)

  5. I.Z. Indutnyy, V.S. Lysenko, I.Yu. Maidanchuk, V.I. Min’ko, A.N. Nazarov, A.S. Tkachenko, P.E. Shepeliavyi, V.A. Dan’ko Effect of chemical and radiofrequency plasma treatment on photoluminescence of SiOx films Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, vol.9, No.1, pp.9-13 (2006)

  6. V. Vasin, S. P. Kolesnik, A. A. Konchits, V. I. Kushnirenko, V. S. Lysenko, A. N. Nazarov, A. V. Rusavsky and S. Ashok Effects of hydrogen bond redistribution on photoluminescence of a-SiC:H films under thermal treatment Journal of Applied Physics, vol.99, pp.113520 (2006)

  7. Y. Gomeniuk, A. Nazarov, Ya. Vovk, Yi Lu, O. Buiu, S. Hall, J.K. Efavi, M.C. Lemme Low-temperature conductance measurements of surface states in HfO2–Si structures with different gate materials Materials Science in Semiconductor Processing, vol.9, pp.980–984 (2006)

  8. Y. Lu, O. Buiu, I. Z. Mitrovic, S. Hall, P. Chalker, R. Potter, A. Nazarov, V. Lysenko, I. Tyagulskii, I. Osiyuk, Ya.Vovk Post Metallization Anneal Effects In HfO2 Based Capacitors With Various Gate Electrodes ECS Transactions, 1 (5), pp.517-528 (2006)

  9. H.Ch. Alt, Y.V. Gomeniuk and G. Mussler Splitting of the Local Mode Frequency of Substitutional Nitrogen in (Ga, In)(As, N) Alloys due to Symmetry Lowering Semicond. Sci. and Technology, vol.21, No.10, pp.1425-1431 (2006)

2005

 
  1. T. Rudenko, V. Kilchytska, V. Dessard and D. Flandre A Revised Reverse Gated-Diode Technique for Determining Generation Parameters in Thin-Film Silicon-On-Insulator Devices and its Application at High Temperatures J. Appl. Phys, vol.97, May, pp.093718-1-9 (2005)

  2. V.I. Turchanikov, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, J. Carreras, B. Garrido Charge storage peculiarities in poly-Si–SiO2–Si memory devices with Si nanocrystals rich SiO2 Microelectronics Reliability, vol.45, pp.903–906 (2005)

  3. V.I. Turchanikov, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, J. Carreras and B. Garrido Charge trapping in Si-implanted SiO2-Si memory devices at high electric fields and elevated temperatures Journal of Physics: Conference Series, vol.10, pp.409–412 (2005)

  4. A. Nazarov, W. Skorupa, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulskii, V.S. Lysenko, R.A. Yankov Comparative Study of Charge Trapping in High-Dose Si and Ge-Implanted Al-SiO2-Si Structures Journal of The Electrochemical Society, vol.152. -No.2. -pp.F20-F25 (2005)

  5. Pradhan S.K., Nouveau C., Vasin A., Djouadi M.-A. Deposition of CrN coatings by PVD methods for wear resistance application Surface and Coating Technology vol.200 –No.1-4 –pp.141-145 (2005)

  6. T. Rudenko, N. Collaert, S. De Gendt, V. Kilchytska, M. Jurczak, and D. Flandre Effective mobility in FinFET structures with HfO2 and SiON gate dielectrics and TaN gate electrode Microelectronic Engineering, vol.80, pp.386-389 (2005)

  7. H.Ch. Alt, Y.V. Gomeniuk, F. Bittersberger, A. Kempf and D. Zemke Far-infrared absorption due to electronic transitions of N–O complexes in Czochralski-grown silicon crystals: Influence of nitrogen and oxygen concentration Appl. Phys. Lett., vol.87, 151909-1–151909-3 (2005)

  8. D. Lederer, V.Kilchytska, T. Rudenko, N.Collaert, D. Flandre, A. Dixit, K. De Meyer, J.-P. Raskin FinFET analogue characterization from DC to 110 GHz Solid-State Electronics, vol.49, No.9, pp.1488-1496 (2005)

  9. T.E. Rudenko, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulski, H.O. Olafsson, E.O. Sveinbjörnsson Interface trap properties of thermally oxidized n-type 4H-SiC and 6H-SiC Solid-State Electronics, vol.49, No.4, pp.545-553 (2005)

  10. A. Nazarov, J.M. Sun, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulski, V.S. Lysenko, W. Skorupa, R.A. Yankov and T. Gebel Light emission and charge trapping in erbium doped silicon dioxide films containing silicon nanocrystals Applied Physical Letters, vol.86, pp.151914-1-151914-3 (2005)

  11. J. Sun, W. Skorupa, T. Dekorsy, M. Helm and A. Nazarov On the mechanism of electroluminescence excitation in Er-doped SiO2, containing silicon nanoclusters Optical Materials, vol.27, pp.1050-1054 (2005)

  12. W. Skorupa, J.M. Sun, S. Pruchnal, L. Rebohle, T. Gebel, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk and M. Helm Rare earth implantation for silicon based light emission Solid State Phenomena, vol.108-109, pp.755-760 (2005)

  13. V.I. Turchanikov, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, O. Winkler, B. Spangenberg, H. Kurz Study of the unipolar bias recharging phenomenon in the nonvolatile memory cells containing silicon nanodots Materials Science and Engineering B vol.124-125, pp.517–520 (2005)

  14. A.N. Nazarov, J.N. Vovk, I.N. Osiyuk, A.S. Tkachenko, I.P. Tyagulski, V.S. Lysenko, T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, R.A. Yankov The Effect of Radio-Frequency Plasma Treatment on the Electroluminescent Properties of Violet Light-Emitting Germanium Implanted Metal-Oxide–Semiconductor Structures Materials Science and Engineering B vol.124-125, pp.458–461 (2005)

2004

 
  1. V.P. Kunets, N.R. Kulish, V.V. Strelchuk, A.N. Nazarov, A.S. Tkachenko, V.S. Lysenko, M.P. Lisitsa CdSSe quantum dots: effect of the hydrogen RF plasma treatment on exciton luminescence Physica E, vol.22, pp.804-807 (2004)

  2. A.N. Nazarov, Ya.N. Vovk, V.S. Lysenko, O. Kon’kov, E. Terukov Charge transport, trapping and electroluminescence in erbium diped a-Si:H/n-Si light-emitting heterodiodes Material Science and Engineering B105, pp.61-64 (2003)

  3. T. Gebel, L. Rebohle, J. Sun, W. Skorupa, A.N. Nazarov, and I.N. Osiyuk Correlation of charge trapping and electroluminescence in highly efficient Si-based light emitters Physica E, vol.16, pp.499-504 (2003)

  4. M.-A. Djouadi, A.V. Vasin, C. Nouveau, B. Angleraud, P.-Y. Tessier Deposition of boron nitride films by PVD methods: transition from h-BN to c-BN Surface and Coatings Technology No.180-181, pp.174-177 (2004)

  5. T. Rudenko, A. Rudenko, V. Kilchytska, S. Cristoloveanu, T. Ernst , J.-P. Colinge, V. Dessard, D. Flandre Determination of film and surface recombination in thin-film SOI devices using gated-diode technique Solid State Electronics, vol.48, No.3, pp.389-399 (2004)

  6. H.Ch. Alt and Y.V. Gomeniuk Local mode frequencies of the NAs-InGa nearest-neighbor pair in (Ga,In)(As,N) alloys Phys. Rev. B, 2004, vol.70, No.16, pp.161314-1–161314-4

  7. T. Gebel, L. Rebohle, R.A. Yankov, A.N. Nazarov, W. Skorupa Nanocluster-rich silicon dioxide layers: electroluminescence and charge trapping Microwave and Optical technology, edt. by J. Pistora, Proc. of SPIE, vol.5445, pp.284-289 (2004)

  8. H.Ch. Alt, Y.V. Gomeniuk, and B. Wiedemann Spectroscopic evidence for a N-Ga vacancy defect in GaAs Phys. Rev. B, vol.69, No.12, pp.125214-1–125214-6 (2004)

2003

 
  1. V. Mortet, A. Vasin, P.-Y. Jouan, O. Elmazria, M.-A. Djouadi Aluminium nitride films deposited by reactive triode sputtering for surface acoustic wave device application Surface and Coating Technology vol.176, No.1, pp.88-92 (2003)

  2. Y.V. Gomeniuk, H.Ch. Alt, U. Kretzer Far-infrared absorption due to shallow acceptors in semi-insulating GaAs in dependence on EL2 bleaching Phys. Stat. Sol. (b), vol.240, No.1, pp.139-147 (2003)

  3. H.Ch. Alt, Y.V. Gomeniuk, U. Kretzer Far-infrared spectroscopy of shallow acceptors in semi-insulating GaAs: evidence for defect interactions with EL2 Phys. Stat. Sol. (b), vol.235, No.1, pp.58-62 (2003)

  4. H.Ch. Alt, Y.V. Gomeniuk, G. Lenk and B. Wiedemann GaAsN formation by implantation of nitrogen into GaAs studied by infrared spectroscopy Physica B: Condensed Matter, vol.340-342, pp.394-398 (2003)

  5. A.N. Nazarov, V. Kilchytska, Yu. Houk, and D. Ballutaud Mechanisms of positive charge generation in buried oxide of UNIBOND and separation by implanted oxygen silicon-on-insulator structures during high-field electron injection J. Appl. Phys., vol.94, pp.1823-1832 (2003)

  6. H.Ch. Alt, Y.V. Gomeniuk, B. Wiedemann, H. Riemann Method to determine carbon in silicon by infrared absorption spectroscopy. Journal of the Electrochemical Society vol.150, No.8, pp.G498-G501 (2003)

  7. H.Ch. Alt, Y.V. Gomeniuk, G. Ebbinhaus, A. Ramakrishnan, H. Riechert Quantitative spectroscopy of substitutional nitrogen in GaAs1-xNx epitaxial layers by local vibrational mode absorption Semicond. Sci. and Technology, vol.18, pp.303-306 (2003)

  8. A.N. Nazarov, T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, I.N. Osiyuk, and V.S. Lysenko Trapping of negative and positive charges in Ge+ ion implanted dioxide layers subjected to high-field electron injection J. Appl. Phys., vol.94, pp.4440-4448 (2003)

2002

 
  1. A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko, T. Gebel, L. Rebohle and W. Skorupa Charge trapping and degradation in Ge+ ion implanted SiO2 layers during high-field injection Microelectronics Reliability, vol.42, pp.1461-1464 (2002)

  2. T. Gebel, L. Rebohle, W. Skorupa, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, and V.S. Lysenko Charge trapping in light-emitting SiO2 layers implanted with Ge+ ions Appl. Phys. Lett., vol.81, pp.2575-2576 (2002)

  3. V.S. Lysenko, I.P. Tyagulski, I.N. Osiyuk and Y.V. Gomeniuk Cryogenic investigations of SIMOX buried oxide parameters. In: Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions NATO ASI Series II (ed. by F.Balestra et al.), vol.58, Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, pp. 159-166 (2002)

  4. T. Rudenko, V. Kilchytska, J.-P. Colinge, V. Dessard, D. Flandre On the high-temperature subthreshold slope in thin-film SOI MOSFETs IEEE Electron. Device Lett. vol.23, No.3, pp.148-150 (2002)

  5. Ja. Vovk, A. Nazarov, V. Lysenko, O. Konkov, E. Terukov Study of Er-related defects in a-Si:H(Er)/c-n-Si heterostructures by thermally activated current spectroscopy Physica B, vol.308-310, pp.382-386 (2001)

  6. A.V. Vasin, L.A. Matveeva, V.O. Yukhymchuk Photoluminescence of the amorphous carbon in the a-C:C60 films prepared by deposition of the fullerene C60 Technical Physics Letters 28(7) pp. 592-594 (2002)

2001

 
  1. H.Ö. Ólafsson, E.Ö. Sveinbjörnsson, T.E. Rudenko, I.P. Tyagulski, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko Border traps in 6H-SiC metal-oxide-semiconductor capacitors investigated by the thermally-stimulated current technique Applied Physics Letters, vol.79, No.24, pp.4034-4036 (2001)

  2. A.N. Nazarov, Ja.N. Vovk, V.S. Lysenko, V.I. Turchanikov, V.A. Scryshevskii and S. Ashok Carrier transport in amorphous SiC/ crystalline silicon heterojunctions Journal of Applied Physics, vol.89, No.8, pp.4422-4428, (2001)

  3. V.S. Lysenko, I.P. Tyagulski, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs Phys. Quantum Electronics and Optoelectronics, vol.4, No.2, pp.75-81 (2001)

  4. A.N. Nazarov, V.M. Pinchuk, T.V. Yanchuk, V.S. Lysenko, Ya.N. Vovk, S. Rangan, S. Ashok, V. Kudoyarova, E.I. Terukov Hydrogen effect on enhancement of defect reactions in semiconductors: example for silicon and vacancy defects International Journal of Hydrogen Energy, vol.26, pp.521–526 (2001)

  5. V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, V.I. Kilchytska, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulskii, Y.V. Gomenyuk, I.P. Barchuk Thermally activated processes in the buried oxide of SIMOX SOI structures and devices Solid-State Electronics, vol.45. -No.4. -pp.575-584 (2001)

2000

 
  1. V.S. Lysenko, I.P. Tyagulski, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk Effect of oxide-semiconductor interface traps on low-temperature operation of MOSFETs Microelectronics Reliability, vol.40, pp.735-738 (2000)

  2. V.S. Lysenko, I.P. Tyagulski, I.N. Osiyuk and Y.V. Gomeniuk Effect of shallow oxide traps on the low-temperature operation of SOI transistors Science and Technologies for Novel SOI Devices, NATO Science Series, vol.73. Kluwer Academic Publishers, pp.307-313 (2000)

  3. V.S. Lysenko, I.P. Tyagulski, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure Semicond. Phys., Quantum Electronics and Optoelectronics, vol.3, No.3, pp.330-337 (2000)

  4. V.S. Lysenko, I.P. Tyagulski, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk Effect of traps in the transition Si/SiO2 layer on input characteristics of SOI transistors Microelectronics Reliability, vol.40, pp.799-802 (2000)

  5. N.V. Novikov, A.G. Gontar, S.I. Khandozhko, A.M. Kutsay, V.N. Tkach, V.Yu. Gorokhov, G.M. Belitsky, A.V. Vasin Protective diamond-like coatings for optical materials and electronic devices Diamond and Related Materials, vol.9, No.3-6, pp.792-795 (2000)

  6. A.N. Nazarov, V.I. Kilchitska, I.P. Barchuk, A.S. Tkachenko and S. Ashok, Radio freaquency plasma annealing of positive charge generated by Fowler-Nordheim electron injection in buried oxides in silicon J. Vac. Sci. Technol. B, vol.18(3), pp.1156-1164 (2000)

  7. I. Barchuk, V. Kilchytska, A. Nazarov Study of the positive charge buildup into buried oxide of SIMOX SOI structure during bias-temperature stress Microelectronics Reliability, vol.40, pp.811-814 (2000)

199x

 
  1. T. Rudenko, E. Sveinbjörnsson, and M. Sadeghi A simple method for the evaluation of the recombination parameters in SiC MOS structures Microelectronic Engineering, vol.48, pp.273-276 (1999)

  2. A.N. Nazarov, I.P. Barchuk, V.S. Lysenko and J.P. Colinge Association of high-temperature kink-effect in SIMOX SOI fully depleted n-MOSFET with bias-temperature instability of buried oxide Microelectronic Engineering, vol.48, pp.379-382 (1999)

  3. V.S. Lysenko, I.P. Tyagulski, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk and A.K. Mikhnov Electrical characterization of the amorphous SiC-pSi structure Microelectronic Engineering, vol.48, pp.265-268 (1999)

  4. T. Rudenko Evaluation of generation and recombination parameters of SOI MOS structures from gated-diode measurements Electron Technology, v.32, No.1/2, pp.110-115 (1999)

  5. D. Ballutaud, A. Boutry-Forveille and A. Nazarov Hydrogen thermal stability in buried oxides of SOI structures Microelectronic Engineering, vol.48, pp.359-362 (1999)

  6. E.I. Terukov, B.J. Ber, V.Kh. Kudoyarova, V.Yu. Davydov, A.N. Nazarov, Ja.N. Vovk, and S. Ashok Hydrogen-enhanced transformation of electrical and structural properties of thin subsurface ion implanted silicon layer in SiO2-Si systems Solid State Phenomena, vol.69-70, pp.595-600 (1999)

  7. Y.V. Gomeniuk, V.S. Lysenko, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulski, M.Ya. Valakh, V.A. Yukhimchuk, M. Willander, C.J. Patel Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique Semicond. Phys., Quantum Electronics and Optoelectronics, vol.2, No.3, pp.74-80 (1999)

  8. T. Ernst, S. Cristoloveanu, A. Vandooren, T. Rudenko, and J.-P.Colinge Recombination current modeling and carrier lifetime extraction in dual-gate fully-depleted SOI devices IEEE Trans. Electron. Dev., vol.46. No.7, pp.1503-1509 (1999)

  9. V.S. Lysenko, I.P. Tyagulski, V.Z. Lozovski, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk, V.N. Varyukhin Electric field effects at the surface of high-temperature superconductors Journal de Physique IV, vol.8, pp.Pr3-305–Pr.3-308 (1998)

  10. A.N. Nazarov, V.M. Pinchuk, T.V. Yanchuk, V.S. Lysenko and S. Ashok Enhanced activation of implanted dopant impurity in hydrogenated crystalline silicon Phys. Rev. B, vol.58, No.7, pp.3522-3525 (1998)

  11. V.S. Lysenko, T.E. Rudenko, A.N. Nazarov, V.I. Kilchitskaya, A.N. Rudenko, A.B. Limanov, J.-P. Colinge High-temperature characteristics of zone-melting recrystallized silicon-on-insulator MOSFETs Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, vol.1, No.1, pp.101-107 (1998)

  12. A. Boutry-Forveille, D. Ballutaud, and A.N. Nazarov SIMS study of deuterium distribution and thermal stability in ZMR SOI structures Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, vol.1, No.1, pp.108-111 (1998)

  13. V.S. Lysenko, I.P. Tyagulskii, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk, C.J. Patel, O. Nur, M. Willander The electrical assessment of Si1–xGex/Si heterostructures Journal de Physique IV, vol.8, pp.Pr. 3-87–Pr. 3-90 (1998)

  14. V.S. Lysenko, I.P. Tyagulski, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk and I.I. Tkach Thermally stimulated characterisation of shallow traps in the SiC/Si heterojunction J. Phys. D: Appl. Phys., vol.31, No.13, pp.1499-1503 (1998)

  15. T.E. Rudenko, V.I. Kilchitskaya, A.N. Rudenko Diffusion model for high-temperature off-state currents in SOI MOSFETs Microelectronic Engineering, vol.36, No.(1-4), pp.367-370 (1997)

  16. I.P. Barchuk, V.I. Kilchitskaya, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, T.E. Rudenko, S.V. Djurenko, A.N. Rudenko, A.P. Yurchenko, D. Ballutaud and J.-P. Colinge Electrical Properties and Radiation Hardness of SOI Systems with Multilayer Buried Dielectric IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.44, No.6, pp.2542-2552 (1997)

  17. V.S. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, I.P. Tyagulskii, I.N. Osiyuk, V.Z. Lozovski, V.N. Varyukhin Flux pinning under the strong electrostatic field in the BiPbSrCaCuO film Physica C, vol.281, No.4, pp.303-309 (1997)

  18. A.N. Nazarov, J.-P. Colinge and I.P. Barchuk Research of high-temperature instability processes in buried dielectric of full depleted SOI MOSFETs Microelectronic Engineering, vol.36, pp.363-366 (1997)

  19. A.N. Nazarov, V.M. Pinchuk, T.V. Yanchuk, V.S. Lysenko Quantum-chemical investigations of atomic hydrogen effect on Frenkel pears annihilation in silicon Modelling Simul. Mater. Sci. Eng., vol.4. -No.4. –pp.323-333 (1996)

  20. V.S. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, I.P. Tyagulskii, I.N. Osiyuk, V.Z. Lozovski, V.N. Varyukhin Thermally activated dissipation and upper critical magnetic field under the strong electrostatic field in the BiPbSrCaCuO thin film Journal de Physique IV, vol.6, pp.C3-271–C3-276 (1996)

  21. T.E. Rudenko, A.N. Rudenko, A.N. Nazarov and V.S. Lysenko Characterization of SOI by capacitance and current measurements with combined gated diode and depletion-mode MOSFET structure Microelectronic Engineering, vol.28, pp.475-478 (1995)

  22. V.S. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, V.Z. Lozovski, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulski, V.N. Varyukhin Dissipation behaviour and critical currents under the strong electrostatic field in the BiPbSrCaCuO thin film Proc. of Symposium on Low Temperature Electronics and High Temperature Superconductivity, Reno, Nevada, 21-26 May, The Electrochem. Soc. Inc., Pennington, pp.148-154 (1995)

  23. V.S. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulskii Investigation of traps in the nSiC-pSi interface at cryogenic temperatures Microelectronic Engineering, vol.28, pp.205-208 (1995)

  24. V.S. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, V.Z. Lozovski, I.P. Tyagulskii, V.N. Varyukhin Electric field effect on excess conductivity in high-Tc superconductor Physica C, vol.235-240, pp.2631-2632 (1994)

  25. Y.V. Gomeniuk, V.S. Lysenko, V.Z. Lozovski, I.P. Tyagulskii Critical currents in oxygen implanted YBCO thin films under magnetic and electrostatic fields Physica C, vol.214, No.1-2, pp.127-132 (1993)

  26. Y.V. Gomeniuk, V.S. Lysenko, V.Z. Lozovski, I.P. Tyagulskii Excess conductivity and thermally activated dissipation studies under strong electrostatic field in YBaCuO Solid State Communications, vol.85, No.7, pp.643-646 (1993)

  27. Y.V. Gomeniuk, V.S. Lysenko, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulskii The behavior of minority carriers in thermally stimulated studies of the Si-SiO2 interface Physica Stat. Solidi (a), vol.140, pp.173-178 (1993)

  28. V.S. Lysenko, P.S. Kopev, A.N. Nazarov, G.A. Naumovets, V.B. Popov, A.S. Tkachenko, A.M. Vasiliev, and V.M. Ustinov Thermal Reactivation of Nonradiative Recombination Centers in Hydrogenated AlxGa1-xAs:Si Phys. Stat. Sol. (a) 139, 541-547 (1993)

  29. Y.V. Gomeniuk, R.N. Litovski, V.S. Lysenko, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulskii Current stochasticity of field emission of charge from traps in the transition layer of implanted MIS structures Applied Surface Science, vol.59, pp.91-94 (1992)

  30. Y.V. Gomeniuk, V.Z. Lozovski, V.S. Lysenko, I.P. Tyagulskii, V.N. Variukhin Effect of strong electrostatic field on the properties of YPrBaCuO ceramics Physica Stat. Solidi (a), vol.132, pp.155-161 (1992)

  31. Y.V. Gomeniuk, V.S. Lysenko, V.Z. Lozovski, I.P. Tyagulskii, V.N. Variukhin Superconductivity enhancement at the surface of YPrBaCuO ceramic in strong electric field Soviet Journ. Low Temp. Phys., vol.18, No.12, pp.913-916 (1992)

  32. Y.V. Gomeniuk, R.N. Litovski, V.S. Lysenko, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulskii Thermally stimulated field emission of charge from traps in the transition layer of Si-SiO2 structures Applied Surface Science, vol.55, pp.179-185 (1992)

  33. Y.V. Gomeniuk, N.I. Kliuy, V.Z. Lozovski, V.S. Lysenko, A.S. Prokofiev, B.N. Romaniuk, T.N. Sytenko, I.P. Tyagulski Effect of electrostatic fields on critical current of Y-Ba-Cu-O films implanted by oxygen ions Superconductivity (in Russian), vol.4, pp.762-764 (1991)

  34. V.V. Artamonov, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, V.V. Strelchuk, M.Ya. Valakh and I.M. Zaritskii Relaxation of amorphous structure of implanted Si under RF plasma treatment: Raman and EPR study Semicond. Sci. Technol., vol.6, pp.1-4 (1991)

  35. A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, S.A. Valiev, M.M. Lokshin, A.S. Tkachenko, and I.A. Kunitskii Flash Lamp Annealing and RF Plasma Annealing of Al-SiO2-Si Structures Phys. Stat. Sol. (a) vol.120, pp.447-456 (1990)

  36. V.V. Artamonov, M.Ya. Valakh, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, V.V. Streltchuk Raman scattering in ion-implanted silicon exposed to RF plasma treatment Appl. Phys. A., vol.51, pp.434-436 (1990)

198x

 
  1. M.Ya. Valakh, V.S. Lysenko, G.Yu. Rudko, N.E. Shahraychuk, A.N. Nazarov Enhanced activation of implanted phosporus in Si under RF plasma treatment Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. (B), vol.44, No.3, pp.146-148 (1989)

  2. V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, S.A. Valiev, I.M. Zaritskii, T.E. Rudenko, and A.S. Tkachenko EPR and TSCR Investigations of Implanted Al-SiO2-Si Systems Treated with RF Plasma Discharge Phys. Stat. Sol. (a) vol.113, pp.653-665 (1989)

  3. V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, G.A. Naumovets, V.B. Popov, and A.S. Tkachenko Manifestation of Hydrogen in Al-SiO2-Si Structures Subjected to a RF Plasma Annealing Phys. Stat. Sol. (a) vol.112, K9-K12 (1989)

  4. V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, I.M. Zaritskii, G. Serfozo, G. Battistig, J. Gyulai, and L. Dozsa RF Plasma Modification of Heavily Destroyed Ion Implanted Subsurface Silicon Layers Phys. Stat. Sol. (a), vol.115, pp.75-80 (1989)

  5. V.S. Lysenko, I.N. Osiyuk, V.I. Turchanikov, A.N. Nazarov Transformation of Si-SiO2-Al structures under RF plasma treatment Appl. Surf. Science, vol.39, No.2, pp.388-391 (1989)

  6. V.S. Lysenko, T.N. Sytenko, O.V. Snitko, V.I. Zimenko, A.N. Nazarov, I.N. Osiyuk, T.E. Rudenko, I.P. Tyagulskii Interrelation between surface states and transition layer defects in Si-SiO2 structures Solid State Commun., vol.57, No.3, pp.171-174 (1986)

  7. V.S. Lysenko, M.M. Lokshin, A.N. Nazarov, and T.E. Rudenko RF Plasma Annealing of Implanted MIS Structures Phys. Stat. Sol. (a) vol.88, pp.705-712 (1985)

  8. R.N. Litovskii, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, T.E. Rudenko, S.B. Kaschieva, and N.R. Nedev The Influence of Defect Surface Layers on the Capacitive Properties of MOS Structures Phys. Stat. Sol. (a) vol.77, pp.699-707 (1983)

  9. V.S. Lysenko, T.N. Sytenko, V.I. Zimenko, O.V. Snitko Investigation of Traps in the Transition Region of Si-SiO2 Structures at Cryogenic Temperatures Phys. Stat. Sol. (a), vol.71, pp.619-626 (1982)

  10. V.S. Lysenko, R.N. Litovskii, A.N. Nazarov, and V.P. Kulichrov Temperature Dependence of Capacitance-Voltage Characteristics in Implanted MOS Structures Phys. Stat. Sol. (a) vol.70, pp.719-728 (1982)

  11. V.S. Lysenko, T.N. Sytenko, V.I. Zimenko, I.P. Tyagulskii, O.V. Snitko Energy Spectra of Shallow Traps in Si-SiO Structures Implanted with Boron Ions at Various Implantation Energies Phys. Stat. Sol. (a), vol.59, pp.115-119 (1980)

197x

 
  1. V.S. Lysenko, and A.N. Nazarov Formation and Annealing of Radiation Damage in Boron Ion Implanted MOS Structures Phys. Stat. Sol. (a) vol.52, pp.211-216 (1979)

  2. V.S. Lysenko, and A.N. Nazarov Effect of Laser Beam Irradiation on the Electrophysical Properties of the Interface in Boron Ion Implanted MIS Structures phys. stat. sol. (a) vol.49, pp.405-411 (1978)

  3. V.S. Lysenko, A.V. Sachenko, A.P. Dubchak, A.N. Nazarov, V.T. Atamanenko, M.M. Lokshin and Yu.Ya. Polishuk Properties of MOS Structures after B+ Ion Bombardment phys. stat. sol. (a) vol.38, pp.131-138 (1976)