Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

Shportko K., Revutska V, Paiuk O., Baran J., Stronski A., Gubanova A. and Venger E. – Compositional dependencies in the vibrational properties of amorphous Ge-As-Se and Ge-Sb-Te chalcogenide alloys studied by Raman spectroscopy – Optical Materials – 2017 – V.73 – P.489-496.