Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Відділ ростових технологій напівпровідникових матеріалів і структур
Відділ фізики і технології напівпровідникових структур та сенсорних систем
Відділ фізико-технологічних основ сенсорного матеріалознавства
Відділ функціональних перетворювачів для сенсорної техніки
Перспективні та інноваційні розробки
Деталі
Перегляди: 18161
S.V. Plyatsko, J.E. Kulumbetov, A.A. Osmonalieva, G.K. Tolbaeva, "Operation property of PbTe by laser epitaxy", / Herald of the IUK, Bishkek, 2016. P.71-77.