Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
lab02-1
Вплив комплексного легування на властивості шарів GaAs, отриманих методом рідинно-фазної епітаксії
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 2480
В.В. Козаченко, С.І. Круковський, Ю.Є. Ніколаєнко, Р.К. Савкіна, О.Б.Смірнов // Вісник Київського університету. Серія: фізико-математичні науки.- 2005.- № 4, c. 13-17.