Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-before
Effect of microwave treatment on current flow mechanisms in Au-TiBx-Al-Ti-n(+)-n-n(+)-GaN-Al2O3 ohmic contacts
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 5554
Belyaev, A. E. ; Boltovets, N. S. ; Vitusevich, S. A. ; Ivanov, V. N. ; Konakova, R. V. ; Kudryk, Y. Ya. ; Lebedev, A. A. ; Milenin, V. V. ; Svechnikov, Y. ; Sheremet, V. N. // Semiconductors 44, 745 - 751 (2010) [10.1134/S1063782610060102]