Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-before
X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si (1 1 1) and Al2O3 (0 0 0 1) substrates
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 4301
Safriuk N.V., Stachu G.V., Kuchuk A.V., Kladko V.P., Belyaev A.E.,Machulin V.F. X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si (1 1 1) and Al2O3 (0 0 0 1) substrates // Semiconductor Physics. Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014, v. 16, p. 265-272