Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-before
Механизм протекания тока в омическом контакте Au-Ti-Al-Ti-n+-GaN в диапазоне температур 4.2 – 300К
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 4775
Саченко А.В., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Капитанчук Л.М., Шеремет В.М., Свешников Ю.Н., Пилипчук А.С. // Физика и техника полупроводников . - 2014, Т. 48. С. 1344 –1347