Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-before
Measuring the depth profiles of strain/composition in AlGaN-graded layer by high-resolution x-ray diffraction
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 4421
Kuchuk A.V., Stanchu H.V., Chen Li, Ware M.E., Mazur Yu.I., Kladko V.P., Belyaev A.E., Salamo G.J. // Journal of Applied Physics – 2014 – V.116 – Issue 22, 224302