Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-before
Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 4034
Belyaev A.E., Pilipenko V.A., Anischik V.M., Petlitskaya T.V., Sachenko A.V., Klad’ko V.P., Konakova R.V., Boltovets N.S., Korostinskaya T.V., Kapitanchuk L.M., Kudryk Ya.Ya., Vinogradov A.O., Sheremet V.N. // SPQEO – 2013. – V16, №2 –P. 99–110