Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep07
dep-07-2016
Interaction of surface plasmon polaritons in heavily doped GaN microstructures with terahertz radiation
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 5922
G. A. Melentev, V. A. Shalygin, L. E. Vorobjev, V. Yu. Panevin, D. A. Firsov, L. Riuttanen, S. Suihkonen, V. V.Korotyeyev, Yu. M. Lyaschuk, V. A. Kochelap, and V. N. Poroshin // J. Appl. Phys. Vol. 119, 093104 (2016)