Дослідження

Основні напрями досліджень

Розробка та дослідження елементної бази ІЧ та ТГц фотоелектроніки на основі напівпровідникових матеріалів.

Технологія виготовлення функціональних елементів для напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки;

Дослідження характеристик фотоприймачів для ІЧ та ТГц діапазону спектра.

Розробка та моделювання приймачів ІЧ та ТГц діапазонів спектра.

Моделювання і дослідження ТГц властивостей низьковимірних плазмонних детекторів на основі графену і квантових ям HgCdTe.

Моделювання розподілу теплових полів газотурбінних двигунів літальних апаратів за їх тепловим випромінюванням в ІЧ діапазоні спектру.

Дослідження фізичних властивостей напівпровідникових матеріалів та низьковимірних структур для багатоелементних матричних та лінійних приймачів ІЧ та ТГц випромінювання.

Дослідження поляризаційних спін-залежних явищ ТГц фоточутливості в епітаксійних шарах HgCdTe з метою виявлення їх вкладу в механізми ТГц відгуку приймачів випромінювання в діапазоні температур Т = 80-300К.

Cтворення і вивчення гібридних структур на базі кремнію з конкурентними світловипромінюючими та фотовольтаїчними властивостями, розробка BioFET сенсора для систем розпізнавання біологічних рідин.

Дослідження гібридних наноструктур на базі оксидів перехідних металів для спінтроніки та фотовольтаіки;

Розробка DLC/Cd(Zn)Te X/гамма детектора для моніторингу навколишнього середовища.

Досягнення

Досягнення тарезультати за останні три роки (за період 2018-2020 рр.)

Розроблено та реалізовано елементи технології формування приймачів випромінювання для інфрачервоного (ІЧ) та терагерцового (ТГц) діапазонів спектру різних форматів на основі вузькощілинних напівпровідників HgCdTe, InSb, InAs.

Розроблено та встановлено механізми функціонування покриттів на основі тонких плівок AlN та MgO на гнучких полімерних підкладках як фільтрів для ІЧ та ТГц спектральних діапазонів. (Спільно з інститутом металофізики НАНУ).

Розроблено метод отримання наноструктур Ag₂O на поверхні гетероепітаксійної плівки p-HgCdTe для приладів ІЧ та ТГц/суб-ТГц діапазонів спектра. Розробка захищена Патентом України (№ 112999, 2016 р.)

На базі надчутливої ПЗЗЕМ фото матриці формату 640х512 розроблено камеру видимого та ближнього діапазону хвиль з чутливістю кращої за 10^-3 люкс.

Проведені дослідження та впроваджено сучасні технології для виготовлення ТГц квазіоптики за допомогою технології3D друку, а саме - пошарове створення фізичного об'єкта по цифровій 3D-моделі. Освоєно та удосконалено процес виготовлення асферичних поверхонь лінздля ТГц ділянки спектру.

Розроблено дизайн елементів болометрів та польових транзисторів на основі наноструктур кадмій-ртуть-телур та композитних наноструктур на базі нановуглецевих матеріалів для детектування у ТГц та суб-ТГц діапазонах спектра.

Розроблено конструкцію польового транзистора на базі двошарового графену і виготовлено польовий транзистор з каналом, що являє собою ексфолійований шар графену, що розташований між двома шарами hBN, що управляється напругою двох затворів.

Розроблені технологічні режими створення омічнх контактів до планарної квантової ями і протестовано діелектричні покриття для створеня польового електроду до структури.

Розроблено інтегральний МДН-приймач мм та суб-мм діапазонів випромінювання електромагнітного спектру

Розроблено ТГц сканер для контролю поштових відправлень.

Розроблено багатофункціональний стенд для вимірювання параметрів напівпровідникових структур ІЧ та терагерцової фотоелектроніки.

Методом сонохімічного синтезу створені біосумісні бар’єрні гетероструктури (CaO-SiO₂)/Si, (2CaO-SiO₂)/Si та Ca₁₀(PO₄)₆(OH)₂/Si з фотовольтаічними властивостями в спектральному діапазоні від 500 нм до 1200 нм, а також зразки с іммобілізованими на поверхні функціональними групами класу амінів (-NH₂ ) та імінів (R1R2C=NR3) в якості біолінкерів.

Запропоновано та розроблено гібридний (фото/термо)електричний перетворювач сонячної енергії на основі багатошарової структури Fe₂O₃/Cr₂O₃/SiO₂/Si з покращеними фотоелектричними властивостями, що відповідає високій швидкості розділення фотоіндукованих зарядів.

Встановлено, що плазмохімічне осадження алмазоподібної вуглецевої плівки (DLC) на спеціально підготовлені кристали CdZnTe призводить, як результат пасивації, до ефекту зменшення струму витоку не менше ніж в 10 разів та збільшення питомого опору (10⁸®10⁹Ом) напівпровідникового матеріалу, що дозволяє підвищити робочі значення напруги зміщення в детекторній структурі DLC/CdZnTe і тим самим покращити ефективність детектуванняX/гамма-випромінювання.

Розробки

текст...

Обладнання

текст...

Проекти

текст... 

Публікації