Влияние технологии изготовления на параметры границы раздела в классических и низкоразмерных структурах Si-SiO2

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Нові технології. Науковий вісник (КУЕІТУ), №2 (20), c.39-42 (2008)

Nav view search