Активационная проводимость и переход металл-диэлектрик в примесной зонелегированных кристаллов узкозонного CdxHg1-xTe

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

В.В. Богобоящий, С.Г. Гасан-заде, Г.А. Шепельский // Физика и техника полупроводников, т.34, вып.4, с.411-417 (2000)

Nav view search