Электронные свойства сульфидированной поверхности германия и границ раздела Ge-SiO2

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай // Поверхность, №4, с.68-73 (1998)

Nav view search