Поперечная фотоэдс в гетероэпитаксиальной структуре Ge-GaAs

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

Л.В. Шеховцов, А.В. Саченко, Ю.М. Шварц // Физика и техника полупроводников, т.29, вып.3, с.566-574 (1995)

Nav view search