V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine
National Academy of Sciences of Ukraine

Search

Відеозапис спогадів професора Рашби Емануїла Йосиповича

(Harward University, Cambridge, USA)

    Запрошуємо переглянути відеозапис спогадів професора Рашби Емануїла Йосиповича (Гарвардський ун-т, Кембридж, США) про розвиток теоретичної фізики напівпровідників у Києві в 60-х роках минулого століття та перспективи подальшого розвитку теорії твердого тіла.

Read more...

ДО УВАГИ СПІВРОБІТНИКІВ ІНСТИТУТУ

          З 1 вересня 2021 року в Україні запроваджується цільова модель формування та видачі «е-лікарняних» листків непрацездатності.

          Запровадження електронних лікарняних листків непрацездатності – важливий етап депаперизації не лише у сфері охорони здоров’я, але й у побудові системи ефективного електронного документообігу, що дозволить суттєво економити бюджетні кошти шляхом мінімізації корупційних ризиків видачі необґрунтованих лікарняних та спрощення процесу отримання страхових виплат.

Read more...

До уваги молодих учених!

З 1 вересня 2021 р. оголошуються конкурси на здобуття стипендій Президента України для молодих вчених і стипендій НАН України для молодих вчених (Розпорядження Президії НАН України № 404 від 09.08.2021 та відповідне інформаційне повідомлення додаються).

Оголошено конкурсний прийом до аспірантури

Інституту фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України

за за денною формою навчання (заочна форма на умовах конкурсу)

За спеціальностями:

  • 105-Прикладна фізика та наноматеріали;
  • 104-Фізика та астрономія;
  • 172-Телекомунікаціїта радіотехніка.

Документи приймаються до 7 вересня 2021 р.

Зарахування до аспірантури проводиться з 1 листопада 2021р.

Довідки за тел.+38(044)525-02-60,4-46, Пономаренко В.В.

 

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України оголошує конкурс постдокторальних досліджень за такими науково-дослідними темами:

  1. Високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційного та композиційного стану нітридних Al(In)GaN плівок, градієнтних шарів та нанодротів (керівник - в.о. заступника директора Інституту, зав. відділом «Структурного і елементного аналізу матеріалів і систем», чл.-кореспондент НАН України Кладько Василь Петрович).
  2. Нанокристали багатокомпонентних халькогенідів типу Cu2ZnSnS4 із катіонним заміщенням і модифікацією поверхні для тонкоплівкової фотовольтаїки (керівник - зав.відділом «Оптики і спектроскопії напівпровідникових і діелектричних матеріалів» д.ф.-м.н., професор Юхимчук Володимир Олександрович).

У програмі постдокторальних досліджень у НАН України можуть брати участь вчені, якіна момент завершення конкурсного відбору відповідають таким вимогам:

          - вік до 35 років включно;

- від дати захисту дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата наук або доктора філософії (Ph.D.) має пройти не більше 7 років;

- проведення досліджень за заявленими на конкурс тематиками наукових проектів;

- претендент не працює за основним місцем роботи у науковій установі НАН України, до якої він подає заявку для участі в програмі;

- претендент є громадянином України.

Претендент подає до наукової установи НАН України такі документи:

 

- підписану заяву про участь у програмі постдоків НАН України із назвою науково-дослідної теми, до виконання якої він хоче долучитися;

- професійне резюме (CV);

- мотиваційний лист (обсяг тексту не більше 500 слів);

- копію диплома про науковий ступінь;

- автореферат дисертації;

- письмові рекомендації від двох вчених з обраної галузі.

Документи приймаються до 30 вересня 2021 року. Додаткову інформацію Ви можете отримати у вкладених файлах (Постанова №245, Постанова №246).

Документи приймає Скляренко Олександр Олександрович, к. №234, тел. 3-46, 525-55-50.