Особливості технології формування металічних контактів до дискретних ІЧ та ТГц приймачів випромінювання на основі епітаксійних шарів CdHgTe

V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine

National Academy of Sciences of Ukraine

You are here: Home

З.Ф. Цибрій// Доповіді НАНУ.- 2019.- №9.- C. 34-40. https://doi.org/10.15407/dopovidi2019.09.034

Nav view search