- Деталі
- Перегляди: 5747
MoskvinP.P., SkybaG.V., DobryakovV.L., KolodiiM.A., RashkovetskyiL.V., KolomysO.F., RarataS.V., 2018, 4, p.36-42. http://www.vhht.dp.ua/arhiv-2018-4-2/
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України |
MoskvinP.P., SkybaG.V., DobryakovV.L., KolodiiM.A., RashkovetskyiL.V., KolomysO.F., RarataS.V., 2018, 4, p.36-42. http://www.vhht.dp.ua/arhiv-2018-4-2/