Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Відділ фізики і технології низьковимірних систем
Лабораторія фотонних напівпровідникових структур
Лабораторія фізики і технології формування напівпровідникових структур
Лабораторія мікросхемотехніки приймачів випромінювання
Відділ кінетичних явищ та поляритоніки
Відділ функціональних матеріалів і наноструктур
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Деталі
Перегляди: 20277
A.G. Golenkov, F.F. Sizov, "Performance limits of terahertz zero biased rectifying detectors for direct detection" / Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 19, N 2. P. 129-138, 2016.