- Деталі
- Перегляди: 14117
Патент України № 131709 від 25.01.2019, бюл. № 2, Капуш О.А., Будзуляк С.І., Корбутяк Д.В., Демчина Л.А., Тріщук Л.І., Томашик В.М., Дремлюженко К.С., Ємець А.І., Джаган В.М., Єрмаков В.М., Косінов О.Г., Кульчицький Б.Н.
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
|
Патент України № 131709 від 25.01.2019, бюл. № 2, Капуш О.А., Будзуляк С.І., Корбутяк Д.В., Демчина Л.А., Тріщук Л.І., Томашик В.М., Дремлюженко К.С., Ємець А.І., Джаган В.М., Єрмаков В.М., Косінов О.Г., Кульчицький Б.Н.