- Деталі
- Перегляди: 13417
Патент України № 131709 від 25.01.2019, бюл. № 2, Капуш О.А., Будзуляк С.І., Корбутяк Д.В., Демчина Л.А., Тріщук Л.І., Томашик В.М., Дремлюженко К.С., Ємець А.І., Джаган В.М., Єрмаков В.М., Косінов О.Г., Кульчицький Б.Н.
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України |
Патент України № 131709 від 25.01.2019, бюл. № 2, Капуш О.А., Будзуляк С.І., Корбутяк Д.В., Демчина Л.А., Тріщук Л.І., Томашик В.М., Дремлюженко К.С., Ємець А.І., Джаган В.М., Єрмаков В.М., Косінов О.Г., Кульчицький Б.Н.