- Details
- Hits: 14115
Патент України № 131709 від 25.01.2019, бюл. № 2, Капуш О.А., Будзуляк С.І., Корбутяк Д.В., Демчина Л.А., Тріщук Л.І., Томашик В.М., Дремлюженко К.С., Ємець А.І., Джаган В.М., Єрмаков В.М., Косінов О.Г., Кульчицький Б.Н.
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine
|
Патент України № 131709 від 25.01.2019, бюл. № 2, Капуш О.А., Будзуляк С.І., Корбутяк Д.В., Демчина Л.А., Тріщук Л.І., Томашик В.М., Дремлюженко К.С., Ємець А.І., Джаган В.М., Єрмаков В.М., Косінов О.Г., Кульчицький Б.Н.