Академік АН УРСР

Вадим Євгенович Лашкарьов

(7.10.1903 – 1.12.1974)

Ювілейний буклет (до 100-річчя  дня народження)

7 жовтня 2023 року виповнюється 120 років від дня народження академіка АН УРСР Вадима Євгеновича Лашкарьова – видатного вченого, організатора та першого директора Інституту фізики напівпровідників Національної Академії наук України. Нині Інститут носить ім’я Вадима Євгеновича.

В.Є. Лашкарьов народився в 1903 році в Києві в сім’ї юриста. Його батько Євген Іванович до революції був прокурором Київської судової палати.

Серед попередніх поколінь Лашкарьових – велика постать російської дипломатії 18‑го століття – Сергій Лазаревич Лашкарьов, предки якого вийшли зі старовинного грузинських дворян – Лашкарішвілі. Багато століть раніше вони приїхали до Росії разом із царем Вахтангом.

Заслуги Сергія Лазаревича як дипломата, який переконав кримського хана Шагін-Гірея зректися заступництва Османської імперії і приєднатися до Росії, були високо оцінені Катериною II. Серед нащадків Сергія Лазаревича Лашкарьова – відомі державні діячі, журналісти, вчені. Серед далеких родичів Вадима Євгеновича по лінії батька – видатний авіаконструктор Ігор Іванович Сікорський. Після закінчення Київського інституту народної освіти (так називався Київський національний університет ім. Тараса Шевченка) Вадим Євгенович навчався в аспірантурі науково-дослідної кафедри фізики Київського політехнічного інституту (1924–27 рр.), одночасно працюючи там викладачем, а потім доцентом.

Його дослідження були присвячені фізиці рентгенівського випромінювання та розробці апаратури для рентгеноструктурного аналізу. Зокрема, він розробив оригінальний метод визначення коефіцієнта заломлення рентгенівських променів. Здібності В.Є. Лашкарьова як теоретика зіграли величезну роль в його подальшій науковій творчості. Вони проявилися вже тоді, коли він опублікував свої перші теоретичні роботи про рух матерії та світла у гравітаційному полі.

Назви робіт В.Є. Лашкарьова 20-х років – «До теорії гравітації», «До теорії руху матерії та світла в гравітаційному полі», «Виведення коефіцієнта захоплення Френеля з теорії квантів світла» – ілюструють широке коло його інтересів, пов’язаних із новою фізикою.

В.Є. Лашкарьов брав участь в організації Інституту фізики АН України, в якому працював завідувачем відділу рентгенофізики у 1929–30 роках. На запрошення академіка А.Ф. Іоффе у 1930 р. він переїжджає до Ленінграда, де протягом п’яти років спочатку керує відділом рентгенівських променів, а потім відділом дифракції електронів у Фізико-технічному інституті. У цей період В.Є. Лашкарьов виконує піонерські роботи зі встановлення розподілу електронної густини та потенціалу у твердому тілі, і написав першу в СРСР монографію «Дифракція електронів». За ці роботи йому без публічного захисту дисертації було присуджено вчений ступінь доктора фізико-математичних наук.

Одночасно він працює доцентом Ленінградського політехнічного інституту.

З 1934 по 1939 р. В.Є. Лашкарьов працював завідувачем кафедри фізики Архангельського медичного інституту, вивчаючи біофізику нервових волокон.

У 1939 р. В.Є. Лашкарьов на запрошення Академії наук УРСР повертається до Києва, де очолює відділ напівпровідників Інституту фізики Академії наук УРСР та кафедру фізики Київського університету. Його науковий напрямок круто змінюється, і в 1941 році з’являються його класичні роботи з дослідження запорного шару міднозакисних випрямлячів за допомогою термозонда, які привели до відкриття р-n переходу. В.Є. Лашкарьов вперше з’ясував роль останнього у вентильному фотоефекті. Відкриття р-n переходу, що лежить в основі роботи широкого класу сучасних напівпровідникових приладів, на той час випереджало розвиток технології германію та кремнію, на основі яких потім були створені напівпровідникові діоди, тріоди та інтегральні схеми.

У роки Великої Вітчизняної війни В.Є. Лашкарьов працював в Уфі та Москві, куди був евакуйований Інститут фізики. Водночас він очолював лабораторію у галузевому НДІ Міністерства електронної промисловості, де працював з оборонної тематики та створив міднозакисні випрямлячі для польових військових радіостанцій.

У 1944 році на запрошення Президента Академії наук УРСР, академіка А.А. Богомольця, В.Є. Лашкарьов знову повертається до Києва, а в 1945 році його обирають академіком Академії наук УРСР. З 1947 до 1951 року він працював у Президії Академії наук УРСР, спочатку академіком-секретарем Відділення фізики, а потім членом Президії.

Наступні роки були найпліднішим періодом його творчої діяльності. Було виконано низку дуже важливих робіт з фотоелектрорушійних сил у закису міді. В.Є. Лашкарьов розробив їх теорію і показав, що невентильна електрорушійна сила визначається дифузією неосновних носіїв струму, рух яких викликає біполярну дифузію від освітленого електрода в глибину зразка. Було визначено роль контактів, характеристики яких визначають знак і розмір фото-е.р.с. Він розробив теорію конденсаторної е.р.с. та показав вплив на неї поверхневих зарядів. Було розвинено теорію нестаціонарної фотопровідності; передбачено та реалізовано експериментально можливість керування нею зовнішнім електричним полем.

При цьому було введено загальноприйняті у даний час поняття про розтягнуту та стиснуту полем довжину дифузійного зміщення. В.Є. Лашкарьовим виконано роботи з біполярної провідності, теоретично розглянуто явище впливу поля на підтиснення носіїв струму до одного з контактів та затягування їх углиб зразка. Таким чином, було розкрито механізм інжекції – найважливішого явища, на основі якого працює більшість напівпровідникових приладів. В.Є. Лашкарьов уперше виявив і досліджував суперлінійну фотопровідність у CdS, а також явище фотоактивації виходу фотоструму. Ідея екситонного механізму фотозбудження виявилася дуже плідною.

У 1948 р. Лашкарьовим розпочато піонерські дослідження поверхневих явищ у напівпровідниках, вплив адсорбції газів на поверхневу провідність та контактну різницю потенціалів. Було отримано теоретичну залежність, що пов’язує роботу виходу, вигин зон, величину поверхневого заряду та зміни поздовжньої провідності. Ці явища набувають величезного значення при переході від дискретних приладів до інтегральних мікросхем та створення хімічних сенсорів.

Створення у США транзисторів на основі Gе стимулювало директивні органи Радянського Союзу поставити завдання щодо розробки та виробництва вітчизняних германієвих транзисторів. До вирішення цих завдань у 1950 р. було залучено відділ фізики напівпровідників ІФ АН УРСР на чолі з В.Є. Лашкарьовим. Почалися комплексні наукові дослідження у тісному співтоваристві як з інститутами Академії наук СРСР, так і з НДІ промислових міністерств електронної промисловості та кольорової металургії. Було розроблено технологію вирощування кристалів Gе та ефективні методи його очищення та легування, визначено розчинність та коефіцієнти дифузії електрично-активних домішок, освоєно методи дослідження їх об’ємних та поверхневих характеристик, створено зразки діодів та тріодів, освоєно методи контролю стабільності параметрів напівпровідникових приладів у різних експлуатаційних умовах.

В.Є. Лашкарьов очолював Інститут до 1970 р. В Інститут вливаються нові вчені, значно розширюється його тематика. Знову посилюється інтерес до напівпровідників А^IIB^VI та фотоелектричних явищ у них як у теоретичних, так і в експериментальних дослідженнях, в яких В.Є. Лашкарьов бере активну участь.

В.Є. Лашкарьов приділяв велику увагу підготовці наукових кадрів. З 1944 р. він завідував кафедрою фізики у Київському державному університеті, започаткував там спеціалізацію «Фізика напівпровідників», а потім першу в СРСР кафедру напівпровідників, якою керував до 1958 року.

Протягом кількох років В.Є. Лашкарьов був головою наукової ради союзної Академії наук з проблеми «Фізика напівпровідників». Обіймаючи цю посаду, він дуже багато зробив для розвитку науки про напівпровідники в Україні. Водночас, він плідно працював на посаді головного редактора «Українського фізичного журналу».

В.Є. Лашкарьов зробив неоціненний внесок у становлення фізики напівпровідників як самостійної дисципліни. З його ім’ям пов’язано становлення та розвиток фізики та техніки напівпровідників в Україні. Створенню школи В.Є. Лашкарьова сприяли його талант, широка ерудиція, глибоке знання фізики, швидка орієнтація у нових напрямах, величезна особиста привабливість.