Склад відділу

 Лабораторія

Комплекс скануючої зондової мікроскопії

	Литвин Петро Мар'янович   Завідувач Центру канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.     +38 (044) 525-54-40 :p Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
	Корчовий Андрій Адамович   канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.     +38 (044) 525-83-93 : Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
	Мєшкова Ірина Андріївна   провідний інженер     +38 (044) 525-59-40 : Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 Лабораторія

Раманівсько-люмінесцентної та інфрачервоної Фур'є спектроскопії

	Ніколенко Андрій Сергійович Заступник завідувача Центру канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.     +38 (044) 525-60-53 :  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
	Стрельчук Віктор Васильович   док. фіз.-мат. наук, пр.н.с., професор     +38 (044) 525-64-73 :  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
	Коломис Олександр Федорович   канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.     +38 (044) 525-83-93 :  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Лабораторія

високороздільної Х-променевої дифрактометрії

Поліщук Юлія Олегівна   канд. фіз.-мат. наук, н.с.     +38 (044) 525-58-53 : Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 Комплекс

мас-спектрометричного аналізу та Х-променевої фотоелектричної спектроскопії

	Оберемок Олександр Степанович  канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.     +38 (044) 525-57-24 :  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
	Сабов Томаш Мар'янович   м.наук, н.с.     +38 (044) 525-57-24 :  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Лабораторія

спектральної багатокутової еліпсометрії

Кондратенко Ольга Сергіївна  канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.     +38 (044) 525-65-46 : Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Вимірювальний комплекс

для експресного контролю напівпровідникових матеріалів і нанорозмірних приладів

	Гоменюк Юрій Вікторович  канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.     +38 (044) 525-59-40 :  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
	Тягульський Ігор Петрович  канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.   : Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Лабораторія

"Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі"

	Рибалочка Андрій Володимирович  канд. т. наук, ст.н.с.     +38 (044) 525-59-37 : Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
	Калустова Дар'я Олександрівна  канд. т. наук, н.с.     +38 (044) 525-55-20 :  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Лабораторія

"Центр випробувань фотоперетворювачів та батарей фотоелектричних"

	Костильов Віталій Петрович  док. фіз.-мат. наук, професор, пр.н.с.     +38 (044) 525-57-88 :  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
	Черненко Володимир Васильович  канд. фіз.-мат. наук, с.н.с.     +38 (044) 525-57-34 : Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Обладнання

Лабораторія
Комплекс скануючої зондової мікроскопії

Обладнання 

• скануючий зондовий мікроскоп NanoScope IIIa Dimension 3000тм (Bruker Corp.);
• оптичний мікроскоп NU-2E (Carl Zeiss).

Можливості

• атомно-силова мікроскопія (АСМ) і спектроскопія;
• магнітна та електростатична мікроскопія;
• силова Кельвін-зонд мікроскопія;
• провідна та ємнісна мікроскопія (картографування та локальні ВАХ і ВФХ);
• наноіндентування і картографування пружних властивостей поверхонь;
• нанотрібологія та зносостійкість;
• елементи нанолітографії (механічна та електрична) і наноманіпуляцій;
• розмір об'єму сканування 100х100х4,5 мкм, максимальний діаметр зразків 200 мм, висота 15 мм;
• чутливість поверхневого потенціалу 0,1 мВ;
• діапазон струмів провідної АСМ від 1 пА до 1 мкА, напруги зміщення в діапазоні +/- 12 В;
• чутливість ємнісної мікроскопії 10-22Ф/Гц0,5, амплітуда змінної напруги від 0,1 до 15 В, частота від 5 до 100 кГц.
• діапазон навантажень при індентуваннві від одиниць нН до сотень мкН;
• набір методів цифрової оптичної мікроскопії, у тому числі стекова мікроскопія динамічного фокусу та фотограмметрія;
• атестовані метрологічні вимірювання геометрії елементів поверхонь мікронних та нанометрових розмірів.

Лабораторія

Раманівсько-люмінесцентної та інфрачервоної Фур’є спектроскопії

Обладнання 

• потрійний спектрометр Horiba Jobin-Yvon T64000 (200 ÷ 1700 нм): конфокальний мікроскоп UV-Visible-NIR Olympus BX41; моторизований XYZ скануючий столик з кроком 0,1 мкм (Marghauser GmbH); He-Cd лазер KIMMON KOHA IK5651R-G (325 та 442 нм), Ar-Kr лазер Stabilite 2018-RM Spectra Physics (488 нм), твердотільні лазери Spectra Physics EXLSR-532-150-CDRH (532 нм) та Toptica Photonics iBeam-Smart-785-S-WS (785 нм); оптичний мікро-кріостат RC102-CFM (3.5 ÷ 325 К) (CIA CRYO Industries); мікро-температурна комірка Linkam Scientific Instruments THMS600 (78 ÷ 900K);
• інфрачервоний (ІЧ) вакуумний Фур'є спектрометр Bruker Vertex 70V (12500 ÷ 50 см-1): приставки для вимірювання ІЧ спектрів оптичного пропускання, дифузного та дзеркального відбивання, ATR та ІЧ випромінювання; оптичні ІЧ гелієвий та азотний кріостати (3,5 ÷ 500 К).

Можливості

• мікро-Раманівський, фотолюмінесцентний (ФЛ) та ІЧ аналіз випромінювальних властивостей, структури, хімічного складу, електронних і фононних збуджень в твердих тілах, фізико-хімічних характериcтик напівпровідників, хімічних сполук, наноструктур та нанокомпозитів з субмікронним просторовим розділенням;
• мікро-Раманівське і люмінесцентне 2D-3D просторове картографування: деформацій та хімічного складу; температури; концентрації і рухливості носіїв заряду; оптичного випромінювання наноструктур;
• оптичні низькотемпературні дослідження фононних, плазмон-фононних, електронних  збуджень, випромінювальної рекомбінації носіїв заряду в конденсованих системах;
• інфрачервона спектроскопія пропускання, ATR, дифузного та дзеркального відбивання;
• атестовані метрологічні вимірювання якихось штук згідно галузі.

Лабораторія
високороздільної Х-променевої дифрактометрії

Обладнання 

• високороздільний рентгенівський дифрактометр PANalytical X'Pert PRO MRD (Philips) з набором рентгено-оптичних компонент для використання в стандартній компланарній схемі дифракції, а також для дифракції в ковзній геометрії i рефлектометрії.

Можливості

• атомно-силова мікроскопія (АСМ) і спектроскопія;
• фазовий аналіз зразків різних форм та розмірів;
• структурний та фазовий аналіз тонких плівок в ковзній геометрії;
• Х-променева рефлектометрія;
• аналіз текстур: вимірювання полюсних фігур та визначення функцій розподілу орієнтації;
• структурний аналіз, визначеня залишкових напруг в режимах як Psi, так і Omega сканування;
• діагностика структурної якості за високороздільними картами розсіяння в околі вузлів оберненої гратки.
• Джерело випромінювання з довжиною хвилі CuKα (0,154 нм). Спектральна та кутова монохроматизація пучка здійснюється за допомогою чотирьох кратного асиметричного монохроматора Ge(220). Тримач зразків має 6 ступенів вільності, що дозволяє локально досліджувати як пласкі, так і зігнуті зразки по всій поверхні (максимальний розмір 100х100х21 мм).

Комплекс мас-спектрометричного аналізу та Х-променевої фотоелектронної спектроскопії

Обладнання 

• ATOMIKA 4000 квадрупольний іонно-зондовий мас-спектрометр вторинних іонів (... Inc); три джерела первинних іонів: ¹³³Cs⁺ та (¹⁶O²)⁺ для глибинного дослідження та ⁶⁹Ga⁺ для поверхневого аналізу (іонне мапування).
• INA-3 мас-спектрометр вторинних нейтралів (SNMS) (Leybold-Heraeus Inc.)
• Х-променевий фотоелектронний спектрометр Perkin-Elmer PHI 5600 LS (...Inc): рентгенівська джерело Al K-alpha (енергія 1486,6 еВ); іонна гармата для травлення зразків з енергією іонів до 5 кеВ.

Можливості

• ATOMIKA 4000: визначення елементного складу на поверхні зразків від водню до урану, концентрації на рівні від ppm до ppb. Профілювання домішок по глибині та розподіл домішок по поверхні зразків з роздільною здатністю не гірше 3 нм та 0,5 мкм, відповідно.
• INA-3: елементний аналіз в режимах прямого (DBM) і високочастотного (HFM) бомбардування. Діапазон мас 1- 250 а.о.м. Чутливість < 10 ppm. Гранична роздільна здатність по глибині < 1 nm.
• XPS: кількісний елементний від Li до U, аналіз поверхні з чутливістю до 0,1 ат.%; аналіз хімічних зв'язків на поверхні, що, зокрема, дозволяє визначити кількісний фазовий та хімічний склад; аналіз поверхні на глибину до 10 нм та по площі 0,5-1 мм х 3,5 мм..

Лабораторія
спектральної багатокутової елепсометрії

Обладнання 

• Спектральний еліпсометр з обертовим компенсатором SE-2000 SEMILAB (λ = 245-2150 нм, діапазон кута падіння 15°-90°, діаметр пучка 470 мкм x0.365мкм).

Можливості

• визначення оптичних констант (показника заломлення, коефіцієнта поглинання) і товщини плівок в багатошарових системах та об’ємних матеріалів. Типові об’єкти дослідження: тонкі металеві, діелектричні та напівпровідникові плівки (від мікронних до нанометрових розмірів); органічні шари і полімери; R&D матеріали, 2D та 3D наноструктури;
• комплексна пошарова характеризація та моделювання оптичних властивостей складових для багатошарових структур (для кожного шару окремо) з використанням відповідних дисперсійних залежностей;
• математичне моделювання оптичних констант  як функції довжини хвилі, або енергії фотона  в рамках Моделей  Коші, Селлмайєра та інші (прозора область), Лоренц, Гаусс, Таук-Лоренц та інші (область поглинання);
• спектроскопія пропускання плівок на скляних підкладках. 

Вимірювальний комплекс 
для експресного контролю напівпровідникових матеріалів і нанорозмірних приладів

Обладнання 

• оптичний мікроскоп Axioskop 2 MAT (Сarl Zeiss);
• аналізатор параметрів напівпровідникових структур Agilent 4156;
• вимірювач LCR Agilent 4284;
• прецизійне джерело живлення Keithley 6487;
• пікоамперметр Keithley 6485;
• чотиризондова установка з можливістю нагріву зразка до 120 ^oС;
• азотний кріостат з двома зондами для вимірювань в діапазоні температур 77 - 350 К;
• система вимірювання ефекту Холла ezHEMS™ (NanoMagnetic Instruments). 

Можливості

• електрофізичні дослідження напівпровідникових структур в режимах постійного та змінного струму;
• на постійному струмі: вольт-амперні характеристики (діапазон напруг - 0.01 - 200 В, діапазон струмів - 10 пА - 20 мА);
• на змінному струмі (діапазон частот 50 Гц - 1 МГц):
  вольт-фарадні характеристики;
  адмітансна спектроскопія (G, C vs. V, T);
  імпедансна спектроскопія (R, X vs. V, T);
  
• Холл вимірювання: вольт-амперні характеристики, опір, питомий опір, поверхневий опір, магнітоопір, концентрація носіїв, рухливість Холла, коефіцієнт Холла як функції температури. Вимірювання проводяться в режимі постійного струму / в постійному магнітному полі (± 0,976 Тесла) в діапазоні температур 80 - 775 К. Зразки у конфігурації ван дер Пау та Холла;
  
• цифрова оптична мікроскопія: світле та темне поле, поляризаційний контраст, люмінесценція, диференційно-інтерференційний контраст.

Лабораторія
"Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі"

Обладнання 

• спектрометр Instrument Systems CAS 140 CT 151M (діапазон довжин хвиль 360 – 830 нм);
• інтегруюча сфера Instrument Systems ISP 2000 (внутрішній діаметр 1,9 м);
• гоніофотометр для світильників і ламп Everfine GO-2000 (до 60 кг та до 2x2 м);
• джерело живлення Agilent 6812B;
• багатоканальне джерело живлення HAMEG HMP4040;
• тепловізор FLIR SC305 та багатоканальний вимірювач температури YF-500.

Можливості

• абсолютні вимірювання спектрального складу випромінювання розширеного видимого діапазону довжин хвиль (Вт/нм);
• вимірювання електричних параметрів живлення/споживання: напруга (В), струм (A), коефіцієнт потужності (PF), напруги завад на контактах у діапазоні частот 100 кГц - 30 МГц та т.і.
• визначення: енергетичної потужності випромінювання (Вт), світлового потоку (лм), світлової віддачі (лм/Вт), координат колірності (x, y), корельованої колірної температури (ССТ, К), індексу кольоропередачі (Ra), фотосинтетичного фотонного потоку (мкмоль/сек), ефективності фотонного потоку (мкмоль/Дж);
• визначення температурних режимів роботи внутрішніх та зовнішніх елементів світильників;
• вимірювання просторового розподілу фотометричних параметрів освітлювальних пристроїв з формуванням IES-файлів для проектування та візуалізації освітлення за світовим стандартом програмного забезпечення для світлодизайну DiaLux.

Лабораторія
"Центр випробовувань фотоперетворювачів та батарей фотоелектричних" 

Обладнання 

• установка для визначення відносної спектральної характеристики фотоперетворювачів;

• установка для фототехнічних випробувань сонячних елементів (СЕ);

• установка для електричних і фототехнічних випробувань сонячних батарей (модулів);

• контрольно-перевірочна апаратура вимірювач фотоенергетичних параметрів сонячних фотоелектрич­них модулів ФОТОН-3;

• зразкові фотоперетворювачі (еталонні сонячні елементи);

• лазерний еліпсометр.

Можливості 

• атестований уповноваженими державними органами України  на  технічну  компетентність  і незалежність  з правом проведення  вимірювань показників  фотоелектричних  перетворювачів  і батарей  фотоелектричних.  При  проведенні випробувань  використовуються  стаціонарний  і імпульсний  імітатори  сонячного випромінювання,  а  також  метрологічно атестовані еталонні сонячні елементи;
• галузь  атестації  Центру – наземне  і космічне фотоенергетичне приладобудування;
• визначення фотоенергетичних і електричних параметрів СЕ і модулів в широкому діапазоні рівнів освітленості та в стандартних умовах;
• отримання спектральних характеристик чутливості і спектральних залежностей зовнішнього і внутрішнього квантового виходу;
• безконтактне вимірювання спектральних залежностей поверхневої фотонапруги напівпровідників;
• визначення оптичних констант і товщини діелектричних плівок і просвітлюючих (антивідбиваючих) покриттів.

Документи

Інформація про обладнання та методи дослідження (завантажити буклет)

Положення про ЦККНО

Регламент