Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Пошук

Деталі
Перегляди: 4364
A. Sarikov, I. Lisovskyy, V. Naseka, et al // Solid State Phenomena, 2014.–V.205-206.–P.492–496
Деталі
Перегляди: 3908
A. Sarikov, I. Lisovskyy, M. Voitovych, et al // Advanced Materials Research, 2014.–V.854.–P. 69-74.
Деталі
Перегляди: 3902
Yu. Goltvyanskyi, I. Khatsevych, A. Kuchuk, V. Kladko, V. Melnik, P. Lytvyn, V. Nikirin, B. Romanyuk // Thin Solid Films, 564 (2014), 179–185
Деталі
Перегляди: 1730
І.П. Лісовський, А.В. Саріков, М.І. Сипко // Київ – Чернівці: Книги – ХХІ, 2014. – 384 с.
Деталі
Перегляди: 3884
V.P. Kladko, N.V. Safriuk, H.V. Stanchu, A.V. Kuchuk, V.P. Melnyk, A.S. Oberemok, S.B. Kriviy, Z.V. Maksymenko, A.E. Belyaev, B.S. Yavich // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014. V. 17, N 4. P. 317-324.

Більше статей...

  1. Stimulated oxygen impurity gettering under ultra-shallow junction formation in silicon.
  2. Oxygen gettering in low-energy arsenic or antimony ion implanted Cz-silicon.
  3. Structural and electrical properties of oxygen complexes in Cz and FZ silicon crystals implanted with carbon ions.
  4. Peculiarities of the Impurity Redistribution Under Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon.