Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

 Лабораторія багатофункціональних композитних матеріалів

 

 borkovska


Зав. лабораторії

Борковська Людмила Володимирівна,

Канд.фіз.-мат.наук, с.н.с.

Тел.: +38 044 525 63 40

Ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Склад лабораторії

 

  Korsunska photo

 

Корсунська Надія Овсіївна,

Пров.н.с., доктор ф.-м. наук, професор,

тел. 525 72 34, ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.  

 

 markevich

 

Маркевич Ірина Василівна,

Пров.н.с., доктор ф.-м. наук, с.н.с

тел. 525 63 40

 bondarenko

 

Бондаренко Володимир Олександрович 

с.н.с., канд. ф.-м. наук, с.н.с.

тел. 525 57 75, ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 kashirina

 

Каширіна Наталія Іванівна

с.н.с., канд. ф.-м. наук, с.н.с. 

тел. 525 63 40, ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 kushnirenko

 

Кушніренко Володимир Іванович 

н.с. 

тел. 525 63 40 

 stara

 

Стара Тетяна Русланівна

 с.н.с., канд. ф.-м. наук

тел. 525 72 34, ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

 

 

Татарин Наталія Олегівна

інженер 2 категорії

тел. 525 63 40, ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

 

Khomenkova photo 

Хоменкова Лариса Юріївна

с.н.с., канд. ф.-м. наук, с.н.с.,

тел. 525 57 75, ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

 

 

 

Чорнобай Віталій Андрійович

пров. інженер

тел. 525 63 40, ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.  

 

 

  

 

 

 

Щербина Людмила Вікторівна

с.н.с., канд. техн. наук, с.н.с.

тел. 525 63 40, ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.  

 

 

 

 

 

Яструбчак Оксана Богданівна

канд.фіз.-мат.наук, докторант

тел. 525 57 75, ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

 

Дослідження

Основний науковий напрямок відділу — вивчення нерівноважних електронних та іонних процесів, які виникають у напівпровідникових матеріалах і приладах під дією світла, іонізуючих випромінювань, інжекції носіїв з контактів і р-n-переходів.

В останні роки наукова та науково-технічна діяльності у відділі проводяться за такими напрямками:

- експериментальне та теоретичне дослідження нерівноважних процесів у світло-випромінюючих наноструктурах на основі напівпровідників А2В6 (CdSe, CdTe, CdS, ZnSeта їх твердих розчинів ZnCdSe, ZnCdTe, CdSeTe) та А3В5 (InAs, InGaAs, InGaAsN, InGaAsSb), одержаних методами колоїдної хімії та молекулярно-пучкової епітаксії і перспективних для створення лазерів, світлодіодів та флуоресцентних маркерів біологічних об’єктів; дослідження впливу технологічних режимів виготовлення та зовнішніх обробок (термічних відпалів, опромінення та приєднання біомолекул) на структурні і люмінесцентні характеристики цих наноструктур з метою покращання їх випромінювальних характеристик та встановлення механізмів їх деградації.

- дослідження структурних та люмінесцентних характеристик оксидних шарів (SiO2 і Al2O3) з кремнієвими нанокристалами в залежності від технологічних режимів виготовлення та наступних термічних обробок з метою з'ясування механізмів формування нанокристалів та природи випромінювальних переходів, які відповідають за окремі смуги фотолюмінесценції, а також розробки методів керування їх оптичними характеристиками.

- дослідження процесів дифузії та дрейфу власних точкових дефектів та домішок (Cu, Ag, Mg) в моно- та полі-кристалічних напівпровідниках А2В6 (CdS, ZnS, ZnO) з метою встановлення природи центрів, які відповідають за окремі смуги домішкової фотолюмінесценції, та типів випромінювальних переходів, а також з’ясування можливості формування мілких акцепторів в матеріалах n-типу провідності .

- виготовлення нелегованої кераміки ZnO і ZnMgО і кераміки, легованої домішками І групи (Li, Na, K, Cu, Ag), та дослідження її структурних та люмінесцентних характеристик з метою отримання люмінофорів із спектром випромінюванням, близьким до білого світла.

- розробка теоретичних методів та розрахунок енергетичної структури двохелектронних систем з урахуванням електрон-фононної взаємодії в напівпровідниках.

Досягнення

Найбільш вагомі результати, одержані у 2017 році:

- Експериментально підтверджено, що легування оксиду цирконію германієм з вмістом 15ат% і вище підвищує температуру кристалізації ZrO2 до 700°С, яка перевищує температуру кристалізації германію (550-600°С). Це дозволяє одержати нанокристали Ge, вбудовані в аморфну матрицю ZrO2. Встановлено, що утворення нанокристалів Ge відбувається внаслідок спінодального розпаду твердого розчину GeZrOx. Показано, що GeZrOx матеріали можуть бути використані для створення елементів пам’яті (Л.Ю. Хоменкова)

- Показано, що розподіл домішок ітрію та міді між поверхнею та об’ємом в нанопорошках ZrO2-Y-Cu залежить не тільки від температури відпалу, але і від типу вихідної сировини (нітрат або оксихлорид цирконію). Встановлено, що при використання оксихлодриду цирконію має місце також легування порошків іонами хлору внаслідок кулонівської взаємодії іонів міді та хлору, що сприяє утриманню міді в об’ємі зерен (Н.О. Корсунська, Л.Ю. Хоменкова)

- Виготовлено кераміку та плівки на основі суміші ZnO, MgO та TiO2 з яскравою білою фотолюмінесценцією, зумовленою випромінюванням власних дефектів гексагональної фази Zn1-хMgхO і переходами в іонах Мn4+ в кубічній фазі (ZnхMg1-х)2TiO4. Показано, що легування марганцем кераміки Mg2TiO4 в концентрації 1020 см-3 дозволяє одержати яскраву червону люмінесценцію з максимумом при 660 нм (Л.В. Борковська, І.В. Маркевич, Л.Ю. Хоменкова, Т.Р. Стара)

- Методом трафаретного друку виготовлено плівки Zn1-хMgхO і показано, що формування гексагональної фази ZnMgO починається з 700 °С і досягає Zn0.85Mg0.15O при 1000 °С. Показано, що термічний відпал в парах цинку дозволяє в 100 разів збільшити інтенсивність дефектної люмінесценції ZnMgO. Методом магнетронного розпилення виготовлені плівки ZnO, леговані іонами Tb3+ (3 ат %) та Yb3+ (0.3 ат %). Показано, що оптимальна температура термічного відпалу плівок для одержання люмінесценції рідкоземельних іонів лежить в межах 600-700 °С (І.В. Маркевич, Л.В. Борковська, Л.Ю. Хоменкова, Т.Р. Стара)

 

 

Серед найбільш вагомих наукових і науково-технічних результатів, одержаних у відділі у попередні роки, треба відзначити такі:

На основі теоретичного аналізу загальної схеми рекомбінаційних переходів у фотопровіднику (В.Є. Лашкарьов, М.К. Шейнкман), що містить кілька типів різних центрів рекомбінації й рівні прилипання основних носіїв заряду, був створений комплекс методів для спільного дослідження фотопровідності і рекомбінаційної люмінесценції, заснований на вивченні їх стаціонарних і, головним чином, кінетичних характеристик. (В.Є. Лашкарьов, І.Б. Єрмолович, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман, 1960—1968 рр.).

Вперше були визначені всі параметри (концентрації, енергетичні положення в забороненій зоні, переріз захоплення електронів і дірок, фотонів, що переводять електрони з валентної зони на центри й з центрів у зону провідності, ступінь електрон-фононної взаємодії) центрів фоточутливості та встановлені механізми випромінювальної рекомбінації в найбільш важливих напівпровідниках типу А2В6 (CdS, CdSe, CdSSe, ZnSe, ZnTe, CdTe, Zn), A3B5 (GaAs), A3B6 (GaSe, InSe) та ін. (В.Є. Лашкарьов, І.Я. Городецький, І.Б. Єрмолович, Н.О. Корсунська, О.В. Любченко, М.К. Шейнкман). Ці результати були покладені в основу розробки нових типів приймачів і перетворювачів світла для широкої області спектра електромагнітного випромінювання. Ця робота була відмічена державною премією СРСР в області науки і техніки (М.К. Шейнкман, 1984 р.).

М.К. Шейнкманом уперше був розглянутий новий тип взаємодії між центрами типу Оже, у якому енергія, яка виділяється при захопленні носія на центр, передається носію на сусідньому центрі. Тим самим був не лише теоретично запропонований новий механізм безвипромінювальної рекомбінації, але й пояснена група явищ міждомішкової взаємодії в напівпровідниках (В.І. Дякін, Є.А. Сальков, В.А. Хвостов, М.К. Шейнкман, Н.О.Корсунська, І.В.Маркевич, Т.В.Торчинська).

На основі теоретичного розгляду (М.К. Шейнкман, 1972 р.) вперше створена фізична модель неоднорідних систем, яка дозволила пояснити велику групу явищ довгочасової релаксації струму (так званої залишкової провідності) у різних напівпровідникових матеріалах (І.В. Маркевич, В.А. Хвостов, М.К. Шейнкман, 1973 р.).

На основі детального теоретичного аналізу (С.С. Остапенко) був розроблений комплекс поляризаційних методів дослідження люмінесценції й спектрів збудження фотоструму, що дозволило встановити ймовірні моделі основних центрів люмінесценції в матеріалах типу А2В6 (С.С. Остапенко, М.А. Танатар, М.К. Шейнкман).

Досліджений принципово новий тип нерівноважних процесів – процесів перетворення дефектів при збудженні світлом та рентгенівським випромінюванням або при інжекції носів заряду (Н.О. Корсунська, І.В. Маркевич, Т.В. Торчинська, М.К. Шейнкман). Детальне вивчення природи цих процесів («фотохімічних реакцій») у напівпровідниках А2В6 дозволило виявити кілька типів реакцій. Були з'ясовані природа та механізми цих процесів і показана їхня важлива роль у деградації різних оптоелектронних приладів, зокрема, фотоприймачів на основі напівпровідників А2В6.

Були проведені також експериментальні та теоретичні дослідження деградації електролюмінесценції світлодіодів на основі напівпровідників А3В5 (GaAs:Si, GaP:N), що дозволило запропонувати модель деградації і встановити типи і механізми рекомбінаційно-стимульованих реакцій дефектів, які її спричиняють (Т.В. Торчинська).

Були виявлені процеси перебудови та генерації дефектів під дією ультразвукових хвиль та лазерного випромінювання (С.С. Остапенко, Н.О. Корсунська, М.К. Шейнкман). Зокрема, показано, що ультразвук суттєво прискорює пасивацію воднем поверхневих центрів в полікристалічному кремнії (С.С. Остапенко).

Встановлені механізми деградації активних елементів лазерів з електронним збудженням на основі кристалів CdS. Виявлено, що поріг руйнування поверхні лазерних екранів на основі CdS залежить від технології їх виготовлення і визначається типом макродефектів: міжкристалітних границь у випадку кристалів, вирощених з надлишком сірки, та включень фази кадмію в кристалах, вирощених при надлишковому тиску пари кадмію (Н.О. Корсунська, О.Ф. Сингаївський, Г.С.Пекарь).

Проведені у відділі теоретичні та експериментальні дослідження електродифузії дефектів показали, що використання зовнішнього електричного дозволяє знизити температуру легування, безпосередньо виявити локальні центри, утворені домішковими атомами, прискорити і спростити визначення параметрів і механізмів дифузії досліджуваних дефектів, а також дозволяє проводити очищення кристалів від домішок.

За допомогою метода електродифузії встановлено вплив локальних центрів, пов’язаних з Cu і Ag, на фотоелектричні та люмінесцентні характеристики кристалів CdS, ZnO і ZnS, виявлено роль домішкових атомів у фотостимульованих реакціях дефектів в кристалах CdS:Cu та CdS:Ag, виявлено анізотропію дифузії Cu і Agв кристалах CdS в різних кристалографічних напрямках, знайдено і досліджено ефект "аномального" дрейфу в кристалах CdSe, показано, що «залишковими» донорами в ZnO є рухомі атоми міжвузловинного цинку і виявлений вплив їх перелокалізації під дією зовнішнього і внутрішніх електричних полів на екситонну і домішкову люмінесценції (І.В. Маркевич, Н.О. Корсунька, Л.В. Борковська, Л.Ю. Хоменкова, В.І. Кушніренко).

Встановлений механізм випромінювальних переходів, пов’язаних з центрами AgZnв кераміці ZnO. Показано, що AgZnстворює в ZnO мілкий акцепторний рівень, в той час як LiZn, NaZn, KZnє глибокими акцепторами, які зумовлюють люмінесценцію в області 580-620 нм.

В результаті теоретичного аналізу процесів дрейфу дефектів в електричному полі було показано, що процес електродифузійного очищення напівпровідника може бути значно підсилений завдяки деформаційним ефектам. Останнє може відбуватися навіть для незаряджених дефектів (Н.І. Каширина, М.К. Шейнкман).

М.К. Шейнкманом у 1983 р. було запропоновано альтернативне пояснення рекомбінаційно-стимульованої дифузії дефектів в напівпровідниках на основі дифузії дефектів у збудженому стані.

Запропонований новий механізм зміни дифузійного бар’єру вакансійних центрів в іонних кристалах, пов’язаний з захопленням двох електронів в антизв’язуючий стан. Числові розрахунки зміни дифузійного бар’єру вакансії при захопленні одного чи двох електронів в зв’язуючі та антизв’язуючі стани виконувались для вакансійних центрів (F- та F'- центри) в ЩГК. (Н.І. Каширіна, М.К. Шейнкман).

В 1978-2001 р.р. у відділі проводилися дослідження низькорозмірних органічних провідників, перспективних з точки зору реалізації нових механізмів надпровідності з високими критичними температурами. Шляхом систематичного вивчення електронних та коливальних спектрів вдалося пояснити важливі надпровідні властивості, специфічні для даного класу сполук (Походня К.І., Козлов М.Е.). Були з’ясовані умови стабілізації надпровідного стану у сполуках на основі біс-(етилендітіо)тетратіофульвалену (BEDT-TTF), які демонструють одні з найвищих значень критичних температур, проте схильні до діелектричних фазових переходів (Сушко Ю.В., Танатар М.А., Бондаренко В.О.).

Починаючи з 1994 р., у відділі проводяться дослідження напівпровідникових квантово-розмірних структур, зокрема, поруватого Si, одержаного хімічним та анодним травленням, оксидних шарів (SiO2 і Al2O3) з Si нанокристалами, одержаних магнетронним напиленням, а також структур з квантовими ямами та квантовими точками на основі сполук А2В6 і А3В5, вирощених методом молекулярно-пучкової епітаксії, і систем з квантовими точками на основі сполук А2В6, одержаними методами колоїдної хімії.

Проведені дослідження структур з Si нанокристалами в оксидних матрицях дозволили встановити внесок різних каналів випромінювальної рекомбінації носіїв (рекомбінації екситонів в Si нанокристалах та рекомбінації носіїв через дефекти в оксидній матриці) у спектри люмінесценції даних об’єктів в залежності від режимів їх одержання, а також його трансформацію в процесі старіння та під впливом зовнішніх обробок. Зокрема, проведене порівняння структурних та люмінесцентних характеристик шарів Si-SiO2 і Si-Al2O3 показало, що в шарах Si-Al2O3 формування Si нанокристалів при відпалі відбувається швидше, ніж в шарах Si-SiO2. В той же час спектр люмінесценції шарів Si-SiO2 визначається переважно рекомбінацією екситонів в Si нанокристалах, а шарів Si-Al2O3 - випромінюванням дефектів на інтерфейсі Si/Al2O3 або в оксидній матриці (Н.О. Корсунська, Л.Ю. Хоменкова, Т.Р. Стара).

Для епітаксійних гетероструктур CdSe/ZnSe з квантовими точками ідентифіковані смуги люмінесценції, пов’язані з катіонними вакансіями, і показано, що вакансії, які утворюються в процесі росту, перешкоджають самоорганізації великих за розмірами квантових точок і зумовлюють швидке розчинення точок при термічних відпалах внаслідок стимуляції процесів латеральної дифузії (Л.В. Борковська, Н.О. Корсунська).

Вперше одержано аналітичний розв’язок системи рівнянь для моделі незалежного захоплення носіїв заряду в квантові точки сполук A2В6 і експериментально підтверджено, що ця модель задовільно описує процес термічного гасіння люмінесценції в епітаксійних структурах CdSe/ZnSe з квантовими точками. В той же час показано, що для структур InAs/InGaAs/GaAs з InAs квантовими точками в асиметричній InGaAs квантовій ямі термічне гасіння фотолюмінесценції описується моделлю двоступінчатого термічного викиду екситонів з квантових точок у квантову яму і з квантової ями в GaAs бар’єр (Л.В. Борковська, Н.О. Корсунська).

Встановлений механізм спектрального зсуву максимуму смуги випромінювання колоїдних квантових точок CdSe/ZnS типу ядро/оболонка при приєднанні до них біо-молекул. Цей ефект може бути покладений в основу методу реєстрації присутності іммунокомплексів і дозволяє істотно покращити точність іммунофлуоресцентного аналізу (Л.В. Борковська, Н.О. Корсунська, Л.В. Щербина). Запропонований новий механізм ефекту фотостимульованого підсилення інтенсивності люмінесценції колоїдних квантових точок CdSe під дією ультрафіолетового опромінення (Н.О. Корсунська).

          Встановлена залежність спектрів фотолюмінесценції колоїдних квантових точок CdSe, вміщених в полімерні матриці желатину та полі-вінілового спирту, від режимів синтезу та виявлена можливість їх керованої зміни низькотемпературними термічними відпалами на повітрі. Показано, що зміна спектру люмінесценції квантових точок при відпалах визначається характером фізико-хімічних перетворень в полімерній матриці на границі квантова точка/полімер. Виявлений ефект фотостимульованого підсилення люмінесценції квантових точок CdSe, вміщених в матрицю з полі-вінілового спирту, під дією видимого опромінення (Л.В. Борковська, Н.О. Корсунська).

      

 

            

Розробки

Найбільш вагомі науково-технічні розробки:

Bulk Crystals

Запропоновано спосіб синтезу кристалів з газової фази та одержано ряд монокристалів сполук А2В6 досконалої кристалічної структури (CdS, CdSe, CdTe, ZnO) (Б. М. Булах, Г.С. Пекарь, 1966-2003: Б. М. Булах, А.С. № 135227, СРСР, 01.06.60, А.С. № 209417, СРСР, 08.07.66; Б. М. Булах, Г.С. Пекарь, А.С. № 1678972, СРСР, 05.07.71).

 

Запропонований спосіб підвищення фоточутливості напівпровідникових сполук А2В6 (Н.О. Корсунська, І.В. Маркевич, М.Д. Моін, Є.О. Сальков, А.С. №982487, СРСР, 1982).

 

Запропонований спосіб виготовлення структур фотопровідник - прозорий контакт (Н.О. Корсунська, М.Д. Моін, І.Ю. Шаблій, А.С. №982486, СРСР, 1982).

Розроблений експресний метод контролю якості (прогнозування надійності) роботи фотоелектричних приладів на основі напівпровідників А2В6, який базується на тестуванні кристалів на протікання «фотохімічних реакцій» (Корсунська Н.О., Торчинська Т.В.,Шейнкман М.К., Маркевич І.В., А.С. №993174, СРСР, 1983).

Запропонований спосіб виготовлення фоточутливих елементів (Н.О. Корсунська, А. Байдулаєва, І.Я.Городецький, П.Є. Мозоль, А.С. №1091768, СРСР, 1984).

Запропонований спосіб одержання фоточутливих тонкоплівкових гетерепереходів (Атдаєв Б.С., Булах Б.М., Горягдиєв Г., Рахлін М.Я., Шейнкман М.К., А.С. № 1356917, СРСР, 01.08.87)

Запропонований спосіб одержання твердих розчинів халькогенідів металів ІІ групи твердофазним заміщенням (Булах Б.М., Друзь Б.Л., Євтухов Ю.Н., Сальков Є.О., А.С. № 1637379, СРСР, 13.04.89; Булах Б.М., Друзь Б.Л., Євтухов Ю.Н., Томсон А.В. А.С. № 1637378, СРСР, 13.04.89)

Запропоновано метод покращення промислової технології створення AlGaAs/GaAs гетероструктур для фотоелементів космічного призначення. Результати дослідження характеристик подвійних GaAlAs-структур використані при створені світлодіодів АЛ307ЛМ на заводі чистих металів, м. Світловодск (Т.В. Торчинська).

 

Запропонований спосіб вирощування фоточутливих монокристалів халькогенідів кадмію з низьким вмістом протяжних дефектів (Корсунська Н.О., Маркевич І.В., Пекарь Г.С., Сінгаївський О.Ф., 1992 р.). На основі запропонованого способу вирощені кристали CdS з унікально високою оптичною міцністю, низькою густиною дислокацій, включень та малокутових границь. З одержаних кристалів виготовлені та апробовані в НВО «Платан» робочі елементи потужних лазерів із збудженням електронним пучком. Запропонована технологія впроваджена в НВО «Платан», м. Фрязіно (МЕП СРСР), НДІ Матеріалознавства, м. Зеленоград (МЕП СРСР) та ФІАН СРСР, м. Москва. (Пекарь Г.С., Сінгаївський О.Ф.) (Клімова Н.В., Корсунська Н.О., Маркевич І.В., Пекарь Г.С., Сингаївський О.Ф., патент Росії №1831894 (1992).

     CdS Screen

 

doping cleaning optic transm  Запропоновано метод низькотемпературного експресного легування та очищення кристалів А2В6 (І.В. Маркевич, Н.О. Корсунська, Л.В.Борковська, Л.Ю. Хоменкова). doping cleaning photolum

 

porous Si 

Відпрацьована технологія одержання шарів макро- та нано-поруватого Si з керованими люмінесцентними властивостями методом анодного травленням (Б. М. Булах, 1991-1999 рр.).

porous Si AFM

Запропонований безконтактний та неруйнівний метод контролю просторового розподілу концентрації вільних носіїв та компенсуючої домішки у комерційних пластинах та епітаксійних плівках SiC, заснований на співставленні просторового розподілу інтенсивності фотолюмінесценції і термостимульованої люмінесценії (Н.О. Корсунська, 2005).

ZnO ZnMgO PL Відпрацьований метод одержання нелегованої та легованої елементами І групи кераміки ZnO та ZnMgO (І.В. Маркевич, Т.Р. Стара, В.І. Кушніренко).    

ZnO ZnMgO Eg

Запропонована методика підвищення інтегральної інтенсивності люмінесценції епітаксійних структур CdZnTe/ZnTe шляхом додавання в процесі росту тонкого шару CdTe в CdZnTe квантову яму ((Н.О. Корсунська, Л.В. Борковська).

Запропоновано методику реєстрації біомолекул, сполучених з колоїдними квантовими точками CdSe, за змінами у спектрах люмінесценції квантових точок, які спостерігаються при нанесенні розчину квантових точок на тверді підкладки та наступному низькотемпературному відпалі (Н.О. Корсунська, Л.В. Борковська).
            BioComplex reg


Обладнання

-     Установка СДЛ-2 для вивчення спектрів фотолюмінесценції (в спектральному діапазоні 220-2000 нм) та спектрів збудження люмінесценції (в спектральному діапазоні 200-1000 нм)

-     Оптичний кріостат для вимірювання спектрів фотолюмінесценції та оптичного пропускання в діапазоні температур 4,2-300 К, оснащений регулятором температури «Утрекс»

-     Установка для вивчення спектрів фотолюмінесценції (в спектральному діапазоні 470-2000 нм) та спектрів збудження люмінесценції (в спектральному діапазоні 200-1000 нм) на базі ІКС-12 та МДР-23;

-     Установка для вимірювання електричних параметрів зразків, а також для дослідження спектрів фотоструму та термостимульованої провідності;

-     Установка для синтезу кристалів з газової фази;

-     Установка для напилення контактів на базі ВУП 5;

-     Установка для вимірювання ємнісних (C-V) та воль-амперних (I-V) характеристик;

-     Вимірювальний комплекс для дослідження кінетичних характеристик напівпровідникових сполук (електропровідність, коефіцієнт Зеєбека, магнетоопір, коефіцієнт Хола ) в інтервалі температур 300К-1.3 К.

-     Вимірювальна система для дослідження електропровідності у широкому діапазоні температур та гідростатичних тисків (до 15 кБар).

Проекти

- тема ІІІ-4-16 "Фізика та технологія багатофункціональних матеріалів та структур на основі оксидів металів, кремнію, сполук А3В5 та А2В6, призначених для використання у новітніх приладах оптоелектроніки, мікроелектроніки та НВЧ техніки" (2016-2020)

- тема ІІІ-41-17, проект «Розробка методів одержання багатофункціональних композитних матеріалів та наноструктур на основі оксидів металів»

- проект  «Леговані композитні оксидні матеріали для фотонних застосувань» в рамках українсько-французського науково-технічного співробітництва  за програмою  «Дніпро» (керівник Маркевич І.В., 2017-2018)

- тема ІІІ-10-15, проект «Одержання методами друкованої електроніки та дослідження шарів твердих розчинів на основі оксиду цинку як матеріалу для джерел білого випромінювання та детекторів ультрафіолетового випромінювання»

- проект  «Оксидні матеріали з високою діелектричною сталою, що містять нанокластери кремнію або германію, для застосування в мікроелектроніці та фотоніці» в рамках українсько-французського науково-технічного співробітництва  за програмою  «Дніпро» (керівник Хоменкова Л.Ю., 2015-2016)

- тема № ІІІ-4-11 "Фотоелектричні, оптичні та флуктуаційні явища у світловипромінюючих широкозонних напівпровідникових сполуках, у напівпровідникових структурах мікро- і наноелектроніки та розробка технологічних методів їх одержання" (керівник Корсунська Н.О., 2011-2015)

- проект № 2.2.1.14-ДП Розробка методик формування наноструктурованих об’єктів на поверхні напівпровідників типу А2В6 методами хімічного травлення та колоїдного синтезу в розчинах, впровадження їх в твердотільні матриці і дослідження оптичних та електрофізичних властивостей” Державної цільової науково-технічної програми “Нанотехнології та наноматеріали” (2010-2014 рр.);

- проект «Розробка технологічних методів одержання та дослідження фізичних властивостей шарів оксиду цинку як матеріалу для джерел білого випромінювання» за темою № ІІІ-10-12 "Розробка сучасних напівпровідникових матеріалів і структур для опто-, мікро- і сенсорної електроніки" (2012-2014 рр);

- проект «Вдосконалення методів виготовлення люмінесцентних квантово-розмірних структур сполук А2В6 для потреб оптоелектроніки і медицини» за темою №: ІІІ-41-12 «Розвиток технологічних методів створення нових функціональних матеріалів і структур для сучасної електроніки, інформаційної техніки та сенсорики» (2012-2014 рр.).

Співробітники відділу також активно співпрацюють з науковцями з України, а саме:

- ІФХ ім. Л.В. Писаржевського НАН України,

- ІМБГ НАН України,

- Національний технічний університет України «КПІ»,

- Київський національний університет імені Тараса Шевченка,

а також із закордонними установами:

- Центр дослідження іонів, матеріалів та фотоніки Національного центру наукових досліджень Франції,

- Національний політехнічний інститут, Мексика,

- Університет Південної Флориди, США,

- Раках Інститут фізики Хебрю Університету, Ізраїль.

Публікації

2017