Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

Лабораторія фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики

1
Завідувач лабораторії
 
Костильов Віталій Петрович
д.ф.-м.н.
Тел./факс.: (044)525-5788
e-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

Склад відділу

 Анатолій

Саченко Анатолій Васильович

гол. н.с., д.ф.-м. н.

Тел.: (044)525-5734,

e-mail:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 Олександр Серба Олександр Андрійович

пров. н.с., к.ф.-м.н.

Тел.: (044)525-5734

 Володимир

Черненко Володимир Васильович

с.н.с., к.ф.-м.н.

Тел.: (044)525-5734,

e-mail:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 Ігор

Соколовський Ігор Олегович

н.с., к.ф.-м.н.

Тел.: (044)525-5734,

e-mail:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 3

Дверніков Борис Федорович

н.с.

Тел.: (044)525-5734,

e-mail:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 Марія

Мотозюк Марія Лук'янівна

пров. інженер

Тел.: (044)525-5734

 20121474 1879788322341468 3168038302265985405 o

Коркішко Роман Михайлович

м.н.с.

Тел.: (044)525-5734

 photo 2017-09-04 13-02-54

Власюк Віктор Миколайович

аспірант

Тел.: (044)525-5734

   

Склад лабораторії №36. Протягом 13 років до листопада 2009 року роботою відділу фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики керував його засновник і відомий як в Україні, так і за кордоном вчений в області фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки 2007 року Анатолій Петрович Горбань. Він створив дієвий творчий колектив науковців, здатний вирішувати складні наукові проблеми і отримувати вагомі практичні результати. Після реорганізації інституту у 2016 році, відділ фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики став структурною лабораторією. Зараз до складу колективу лабораторії входять доктори фізико-математичних наук: завідувач лабораторії та керівник Центру випробувань фотоперетворювачів та батарей фотоелектричних Костильов Віталій Петрович, головний науковий співробітник професор Саченко Анатолій Васильович (керівник групи теоретичних досліджень); кандидати фізико-математичних наук: провідний науковий співробітник Серба Олександр Андрійович (керівник технологічної групи), заступник завідувача відділу та заступник керівника Центру випробувань фотоперетворювачів та батарей фотоелектричних старший науковий співробітник Черненко Володимир Васильович (керівник експериментальної групи), науковий співробітник Соколовський Ігор Олегович і декілька співробітників без наукового ступеня.

 

Дослідження

Основні напрямки наукової і науково-технічної діяльності відділу:            

- теоретичне та експериментальне дослідження фізичних механізмів процесів фотоелектричного перетворення сонячної енергії в багатошарових фоточутливих структурах на основі кремнію та інших напівпровідників;

- розробка та виготовлення на основі моно- та мультикристалічного кремнію високоефективних фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії та фотоприймачів для видимої і ультрафіолетової області спектру електромагнітного випромінювання;

- метрологічні аспекти електричних та фотоелектричних вимірювань параметрів фотоперетворювачів, їх модулів та батарей;

- розробка і виготовлення контрольно-вимірювальної апаратури для визначення електричних та фототехнічних параметрів фотоперетворювачів, їх модулів та батарей.

Досягнення

 

Найбільш вагомі наукові і науково-технічні результати:

   ♦   Державні премії України у галузі науки і техніки (у складі авторів):

-          завідувачу відділу Горбаню А.П. - у 2007 році;

-          завідувачу відділу Костильову В.П. та

-          головному науковому співробітнику відділу Саченку А.В. - у 2012 році за роботу ”Ключові технології виробництва кремнієвих сонячних елементів та енергетичних систем на їх основі”.

♦   Премія НАН України імені Моргуліса Н.Д. за видатні роботи в галузі фізики поверхні та фізичної і наноелектроніки

-          головному науковому співробітнику відділу №41 Саченку А.В. із співавторами - у 2013 році за роботу ”Дослідження функціональних властивостей новітніх НВЧ приладів та методи їх діагностики”.

           Одним з стратегічних завдань, які постали перед організованим у 1992 році Національним космічним агентством України (НКАУ), стало створення в Україні власної фотоенергетичної галузі, спроможної задовольнити потреби ракетно-космічного комплексу у високоякісних фотоелектричних батареях (БФ) і контрольно-перевірочній апаратурі БФ. З цією метою у 1993 році в рамках першої Національної космічної програми була започаткована тема “Геліоенергетика”. Головною організацією, відповідальною за виконання теми “Геліоенергетика” був призначений Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України. В рамках теми “Геліоенергетика” з 1994 по 1997 р. ІФН НАН України разом з іншими підприємствами і установами виконував НДДКР з розробки фотоелектричних батарей для космічних апаратів КА “Мікросупутник”. Керівник теми “Геліоенергетика” доктор фізико-математичних наук професор Горбань Анатолій Петрович за поданням НКАУ був призначений в 1996 році Головним конструктором фотоелектричних батарей для космічних апаратів типу “Мікросупутник”. Того ж року в ІФН НАНУ був створений науково-дослідний відділ Фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики, який увійшов до складу відділення Фізики поверхні та мікроелектроніки. Цей відділ очолив Горбань А.П. (на фото).

5

Виконано детальний аналіз впливу раніше не врахованих екситонних ефектів на процеси фотоелектричного перетворення в монокристалічному кремнії. Зокрема, шляхом порівняння теоретичних розрахунків з експериментом визначено параметр безвипромінювальної екситонної рекомбінації з участю глибокого рекомбінаційного рівня в кремнії. Розраховано вплив екситонної рекомбінації на граничну ефективність фотоперетворення в кремнієвих СЕ з дифузійними  p-n-переходами. Встановлено, що істотний вплив екситонів на ефективний час життя носіїв заряду в кремнії відбувається вже за умови, коли їх концентрація ще значно менша за концентрацію електронно-діркових пар. Показано, що включення екситонного каналу рекомбінації в залежності від типу провідності бази приводить до зменшення граничної ефективності фотоперетворення в кремнієвих СЕ на величину від 5 до 10 % (А.П. Горбань, А.В. Саченко, В.П. Костильов, Н.А. Прима, 2000-2003).

Розглянуто принципові особливості фотоперетворення в СЕ, виготовлених на основі полікристалічного кремнію. Показано, що при достатньо малих розмірах кристалітів (≤50 мкм) суттєвий вплив на величину ефективної довжини дифузії та на струм короткого замикання вносить рекомбінація на межах зерен. Істотне зростання струму короткого замикання та ефективності фотоперетворення відбувається у випадку, коли розміри кристалітів стають більшими за довжину біполярної дифузії в цьому матеріалі (мультикристалічний кремній). Проведено порівняння теоретичних розрахунків з експериментом і показано, що вони гарно узгоджуються між собою (А.П. Горбань, В.П. Костильов, В.Г. Литовченко, А.В. Саченко, А.А. Саріков, 2001 -2003).

Теоретично і експериментально досліджено спектральні залежності малосигнальної фотоерс розімкненого кола кремнієвих СЕ для випадку довільного співвідношення між товщиною бази d та довжиною дифузії електронно-діркових пар  L. Запропоновано методику визначення величини L та ефективних швидкостей поверхневої рекомбінації на фронтальній та тиловій поверхнях кремнієвих СЕ (А.П. Горбань, В.П. Костильов, А.В. Саченко, В.В. Черненко, 2001 )

Виконано теоретичний аналіз залежностей ефективних швидкостей поверхневої рекомбінації для кремнієвих сонячних елементів від рівнів легування p- та n-областей, враховуючи ефекти виродження та звуження ширини зон. Визначено умови мінімізації ефективних швидкостей поверхневої рекомбінації в залежності від рівня легування та товщини сильно легованих p+ та  n+- областей. Розглянуті теоретично залежності ефективних швидкостей поверхневої рекомбінації в інверсійних кремнієвих сонячних елементах від рівня освітленості. Показано, що у випадку, коли на поверхні існують сильні інверсійні чи збагачуючі вигини зон, ефективна швидкість поверхневої рекомбінації спочатку не залежить від рівня освітленості, а при великих рівнях ін’єкції, що перевищують концентрацію основних носіїв заряду в базі, починає лінійно зростати із збільшенням рівня освітленості. В той же час, коли на поверхні реалізуються початкові виснажуючі вигини зон, ефективна швидкість поверхневої рекомбінації, навпаки, зменшується із збільшенням рівня ін’єкції, починаючи зі значень, що більші за концентрацію неосновних носіїв заряду в базі (А. П. Горбань, В.П. Костильов, А.В. Саченко, І.О. Соколовський, 1999 – 2005).

Теоретично розрахована ефективність кремнієвих СЕ з тиловою металізацією для умов АМ0, АМ 1,5 та при концентрованому освітленні. Отримані залежності параметрів СЕ від ступеню концентрації освітлення для струму короткого замикання, напруги розімкненого кола та ККД фотоперетворення. Проведено порівняння розрахункових залежностей з експериментальними даними, взятими з цитованої літератури. Між ними отримано гарне узгодження. Розроблена оригінальна конструкція та виготовлені експериментальні зразки кремнієвих СЕ з тиловою металізацією. Проведено експериментальне дослідження фотоенергетичних параметри цих зразків. Виконано теоретичний та експериментальний аналіз роботи СЕ з тиловою металізацією у випадку низьких рівнів освітленості при наявності на фронтальній поверхні плаваючого p-n  переходу. Встановлено механізм погіршення таких параметрів як струм короткого замикання, напруга розімкненого кола та ефективність фотоперетворення із зменшенням освітленості (це - вплив рекомбінації в приповерхневій області просторового заряду) (А.П. Горбань, В.П. Костильов, А.В. Саченко, О.А. Серба, І.О. Соколовський, В.В. Черненко, 2007 – 2009).

Виконано теоретичний аналіз граничної ефективності сонячних елементів з квантовими ямами з врахуванням поверхневої рекомбінації, що відбувається на межах квантових ям та базового матеріалу СЕ. Показано, що величина поверхневої рекомбінації тим більша, а ефективність фотоперетворення тим менша, чим сильніше відрізняються постійні граток матеріалу квантових ям та базового матеріалу. На основі комп’ютерної програми SimWindows виконано чисельний розрахунок ефективності фотоперетворення в сполуках  A3B5 з квантовими ямами від рівня легування та рівня освітлення. Визначено умови, при яких ефективність фотоперетворення в СЕ з квантовими ямами буде більшою за ефективність фотоперетворення в стандартних СЕ (без квантових ям) (А.В. Саченко, І. О. Соколовський, 2007 – 2008).

Розробки

Найбільш вагомі науково-технічні розробки:

 - Розроблено високоефективні кремнієві сонячні елементи (СЕ) з дифузійно-польовими бар’єрами, що використовуються зокрема, в системах енергопостачання космічних апаратів. Детально досліджено їх фотоенергетичні параметри. Показано, що вони мають значно більшу короткохвильову чутливість порівняно з дифузійними аналогами. Встановлено, що ефективність фотоперетворення цих СЕ в умовах АМ 1,5 досягає високих значень - до 20%. В рамках Національної космічної програми України відповідно до Державних контрактів по темам “Мікросупутник” і “Попередження” була виконана НДДКР з розробки та виготовлення комплекту СБ, призначених для використання в системі енергопостачання українського космічного апарату нового покоління в якості первинного джерела енергії. Зазначені батареї, виготовлені з використанням розроблених колективом відділу №41 СЕ, мають електричну потужність, яка віддається в навантаження в умовах АМ0, не менше 180 Вт/м2, пройшли повний цикл автономних і комплексних випробувань та встановлені на льотному зразку КА КС5МФ2 “Мікрон”, успішний запуск якого здійснений у грудні 2004 року (А.П. Горбань, В.П. Костильов, А.В. Макаров, О.А. Серба, В.В. Черненко, Б.Ф. Дверніков, 1994-2004).

 - Розроблено конструктивно-технологічні принципи створення кремнієвих сонячних батарей (СБ) підвищеної ефективності, призначених для використання в складі сонячно-акумуляторних блоків електроживлення наземної радіоелектронної техніки. З використанням розроблених СЕ дифузійно-польового типу в Спеціальному конструкторсько-технологічному бюро з дослідним виробництвом Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України були освоєні в дрібносерійному виробництві СБ з ефективністю не нижче 16% в умовах АМ1,5 і потужністю 0,1 та 2 Вт, призначені для комплектації розробленої по замовленню МНС України професійної дозиметричної та радіометричної апаратури нового покоління, яка експлуатується в польових умовах (А.П. Горбань, В.П. Костильов, А.В. Макаров, О.А. Серба, В.В. Черненко, Б.Ф. Дверніков, 1997-1999).

 - Розроблено та метрологічно атестовано сучасну стендову базу автоматизованого експресного вимірювання спектральних характеристик і фотоенергетичних параметрів сонячних елементів та сонячних батарей. На її основі створено перший в Україні Центр випробувань фотоперетворювачів та батарей фотоелектричних при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, атестований Українським державним науково-виробничим центром стандартизації, метрології та сертифікації Держспоживстандарту України (А.П. Горбань, В.П. Костильов, О.А. Серба, В.В. Черненко, Б.Ф. Дверніков, 1993 – 2009)

      Ці науково-технічні розробки неодноразово представлялись на різних міжнародних та вітчизняних виставках. Зокрема, у 2013 році відділ №41 приймав участь у наступних виставках: виставка спеціалізованого обладнання та технологій „Наука-виробницву”, XIV міжнародна виставка-ярмарка “Екологія-2013”, Загальнодержавна виставкова акція „Барвиста Україна”, XVI міжнародна виставка індустрії безпеки „Безпека-2013”, Ювілейна виставка наукових досягнень установ НАН України.

Обладнання

Обладнання та установки:

У відділі функціонує Центр випробувань фотоперетворювачів та батарей фотоелектричних, який є єдиною в Україні атестованою уповноваженими органами Держспоживстандарту на підставі Закону України „Про метрологію і метрологічну діяльність” вимірювальною лабораторією, акредитованою на технічну компетентність і незалежність з правом проведення вимірювань ряду важливих фотоелектричних, фотоенергетичних, фототехнічних і спектральних характеристик сонячних елементів, модулів і батарей (рис. 1).

Відповідно до розпорядження Кабінету Міністрів України від 28.08 2013 р. №650 науковий об’єкт „Центр випробувань фотоперетворювачів та батарей фотоелектричних Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова” Національної академії наук України (далі - Центр) внесено до Державного реєстру наукових об’єктів, що становлять національне надбання.

Стендова база Центру - унікальне метрологічно атестоване Національним науковим центром України «Інститут метрології» обладнання, розроблене і виготовлене спеціалістами відділу фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики ІФН спільно з фахівцями Спеціального конструкторсько-технологічного бюро з дослідним виробництвом ІФН. Стендова база Центру дозволяє проводити випробування з використанням як штучних імітаторів сонячного випромінювання, так і в натурних умовах при природному сонячному освітленні.

Обладнання Центру надає можливість проведення незалежного і компетентного визначення ряду фотоелектричних, фотоенергетичних, фототехнічних та спектральних характеристик фотоперетворювачів, фотосенсорів, сонячних елементів, модулів і батарей та інших фоточутливих напівпровідникових приладів, а також ряду характеристик матеріалів на основі яких вони створюються. Виміри електричних, фототехнічних і фотоенергетичних параметрів здійснюються у відповідності з існуючими стандартами і розробленими методиками з автоматичною обробкою результатів вимірів. В процесі вимірів забезпечуються контроль і підтримання стандартних умов освітлення (АМ0 і АМ1,5) і температури за допомогою розроблених в Інституті імітаторів сонячного випромінювання з високим ступенем однорідності енергетичної освітленості в межах робочого поля. Обладнання Центру було успішно використане при виконанні ряду ДКР, зокрема, при виконанні в рамках Національної космічної програми України ДКР з розробки і виготовлення льотного комплекту сонячних батарей, призначеного для використання в системі енергопостачання космічного апарату КС5МФ2 „Мікрон”, запуск якого був проведений у 2004 р. Стендова база Центру періодично удосконалюється, проводяться роботи з поповнення його складу новим обладнанням.

Центр має три робочих місця (РМ):

            - РМ для електричних і фототехнічних випробувань сонячних батарей;

            - РМ для фототехнічних випробувань сонячних елементів;

            - РМ для визначення відносної спектральної характеристики фотоперетворювачів.

РМ укомплектовані наступним обладнанням і стандартними зразками:

- установкою для електричних і фототехнічних випробувань сонячних батарей, рис.2;

- вимірювачем фотоенергетичних параметрів сонячних модулів „Фотон-3”, рис.3;

- вимірювачем енергетичної освітленості ВЕО-01, рис.4;

- установкою фототехнічних випробувань сонячних елементів, рис.5;

- установка імпульсного тестування фотоелектричних модулів і батарей (БФ), рис. 6;

- установкою для визначення відносної спектральної характеристики фотоперетворювачів, рис. 7;

- зразковими фотоперетворювачами.

Крім того, у лабораторії функціонують:

-          автоматизована комбінована установка для визначення параметрів МДН структур імпульсним і диференціальним методами;

-          еліпсометр для визначення оптичних параметрів плівок;

-          установка вакуумного напилення УВН-2М2.

В стадії розробки перебуває установка для випробувань сонячних модулів і батарей на основі імпульсного імітатора сонячного випромінювання, рис.5.

 

 Рис.1. Свідоцтво про атестацію Центру випробувань фотоперетворювачів та батарей фотоелектричних.

 1

Основні технічні характеристики стендової бази Центру.

Назва величини або показника, що вимірюється

Діапазон вимірювань

Фотоперетворювачі

Батареї фотоелектричні

Відносна спектральна характеристика

від 200 до 1200 нм

---

Напруга розімкненого кола

від 0 до 1 В

від 0 до 80 В

Струм короткого замикання

від 0 до 5,12 А

від 0 до 8А

Коефіцієнт заповнення ВАХ

від 0 до 1

від 0 до 1

Коефіцієнт корисної дії

від 0 до 100 %

від 0 до 100 %

Напруга в точці максимальної потужності

від 0 до 1 В

від 0 до 80 В

Струм в точці максимальної потужності

від 0 до 5,12 А

від 0 до 8А

Максимальна електрична потужність

від 0 до 5 Вт

від 0 до 640 Вт

Температурний коефіцієнт струму

від 0 до 0,01 К-1

від 0 до 0,01 К-1

Температурний коефіцієнт напруги

від 0 до 0,05 К-1

від 0 до 0,05 К-1

Внутрішній послідовний опір

від 0 до 50 Ом

від 0 до 50 Ом

           

 6

Рис.2. Установкою для електричних і фототехнічних випробувань сонячних батарей.

Портативний вимірювач „ФОТОН-3” призначений для вимірювання фототехнічних параметрів сонячних елементів і фотоелектричних батарей (БФ) встановленою потужністю до 200 Вт в стандартних умовах АМ1,5, при стаціонарному сонячному або штучному (з використанням імітатора Сонця) освітленні. Створений в ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України вимірювач „Фотон-3” не має аналогів в Україні.

Функціональні особливості:

- визначення значень струму і напруги в заданих точках світлової ВАХ БФ;

- визначення величини енергетичної освітленості на поверхні БФ в процесі вимірювань;

- визначення температури в районі розміщення БФ;

- визначення струму короткого замикання, напруги розімкненого кола, вихідної електричної потужності, коефіцієнта заповнення світлової ВАХ, коефіцієнта корисної дії;

- обробка результатів вимірів по заданій програмі;

- представлення результатів вимірів і обчислень на екрані вбудованого LCD – дисплея.

Основні технічні параметри:

- діапазони вимірювання величини напруги на БФ - 0...1 В, 0...10 В, 0...20 В, 0...50 В;

- діапазони вимірювання величини струму через БФ - 0...0,25 А, 0...1А, 0...4А;

- тривалість процесу вимірювань – до 4 секунд;

- габаритні розміри - 250х160х90 мм;

 2

Рис.3. Вимірювачем фотоенергетичних параметрів сонячних модулів „Фотон-3”.

Вимірювач енергетичної освітленості ВЕО-01 призначений для вимірювання рівня енергетичної освітленості, створюваної сонячним електромагнітним випромінюванням в спектральному діапазоні 0,2-15 мкм, зокрема, при проведенні натурних фототехнічних випробувань фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії (сонячних елементів, модулів і батарей) в наземних спектральних умовах АМ1,5. Вимірювач може також використовуватися для вимірювання енергетичної освітленості, створюваної іншими джерелами електромагнітного випромінювання в зазначеному спектральному діапазоні.

Функціональні можливості і параметри:

- діапазони вимірювань енергетичної освітленості – 0…2000 Вт/м2 ,

                                                                                      – 0…10000 Вт/м2;

- приведена відносна похибка вимірювання енергетичної освітленості не більше:

          в діапазоні 50…2000 Вт/м2 5% ,

в діапазоні 50…10000 Вт/м2 10%;

- діапазон вимірювання температури   – 10-50°С;

- припустима похибка вимірювання температури ±1°С;

- час безперервної роботи не менше 8 годин;

- споживана електрична потужність не більше 110 мВт;

- габаритні розміри - не більше 70х160х210 мм;
- маса – не більше 1 кг.

  3

Рис.4. Вимірювачем енергетичної освітленості ВЕО-01.

 7

Рис.5. Установкою фототехнічних випробувань сонячних елементів.

Апаратура імпульсного тестування призначена для перевірки працездатності і визначення фототехнічних параметрів фотоелектричних модулів і батарей (БФ) встановленою потужністю до 320 Вт в стандартних умовах АМ0 і АМ1,5 імпульсним методом. Створена в ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України апаратура імпульсного тестування БФ не має аналогів в Україні. При розробці і виготовленні апаратури створені нові конструкторсько-технологічні рішення на рівні ноу-хау.

До складу апаратури імпульсного тестування БФ входять:

- імпульсний імітатор сонячного випромінювання на основі імпульсних ксенонових ламп пониженого тиску;

- автоматизований вимірювально-обчислювальний комплекс;

- виносний блок датчиків енергетичної освітленості і температури;

- ПЕВМ, принтер;

- програмне забезпечення процесів вимірювання і математичної обробки, представлення результатів вимірювань.

В процесі тестування БФ за час дії одного світлового імпульсу здійснюються:

- виміри значень струму і напруги в заданих точках світлових ВАХ БФ;

- виміри часової нестабільності енергетичної освітленості поверхні БФ;

- виміри просторового розподілу енергетичної освітленості і температури навколишнього середовища в області розміщення БФ;

- розрахунки струму короткого замикання, напруги розімкненого кола, величини вихідної потужності, коефіцієнта заповнення світлової ВАХ, коефіцієнта корисної дії БФ;

- обробка і представлення результатів вимірів у вигляді протоколів встановленої форми з виводом необхідної інформації на монітор і на принтер.

Основні технічні параметри апаратури імпульсного тестування:

- діапазон вимірювання величини напруги на БФ - 0... 40 В;

- діапазони вимірювання величини струму через БФ - 0... 4 А, 0... 8 А;

- тривалість світлового імпульсу –4 мс;

- величина енергетичної освітленості на поверхні БФ – до 1500 Вт/м2.

 5

Рис.6. Установка імпульсного тестування фотоелектричних модулів і батарей.

8

 Рис.7. Установка для визначення відносної спектральної характеристики фотоперетворювачів.

 

Проекти

Участь у державних і міжнародних програмах і проектах 

            Участь у державних програмах.

І. В рамках Національної космічної програми України:

            - НДДКР “Нове покоління фотоелектричних, термоелектричних і квантових перетворювачів сонячної енергії” (шифр “Геліоенергетика”), Державний контракт №4-5/94 від 20.04 1994 р. з Національним космічним агентством України, терміни виконання ІІ кв. 1994 р. - ІV кв. 1997 р., номер держреєстрації 0193V028586;

            - ДКР “Розробка ЕД, автономні випробування БФ і КПА, поставка зразка БФ для автономних випробувань СЕЗ, коректування КД”, Договір з ДКБ “Південне” №3-41/99ИФ від 01.12 1999 р., терміни виконання 1999 - 2000 рр., номер держреєстрації 0199V002833;

            - ДКР “Виготовлення і поставка комплекту БФ для ЕРТВ космічного апарату КС5МФ2 “Мікрон”, Договір з ДП “ВО ПМЗ ім. О.М. Макарова” №24-41/2001 від 05.06 2001 р., терміни виконання ІІ кв. 2001 р. - І кв. 2003 р., номер держреєстрації 0101V007740;

            ІІ. В рамках Державної програми України з питань ліквідації наслідків аварії на ЧАЕС:

            - ДКР “Розробка і виготовлення дослідних зразків універсальних сонячних батарей встановленою потужністю 2 Вт, призначених для електроживлення переносної дозиметричної апаратури в польових умовах”, Договір з МНС України №12-41/97 від 25.06 1997 р., терміни виконання ІІ кв. 1997 р. - ІІ кв. 1998 р., номер держреєстрації 0197V019534;

            - ДКР “Розробка і освоєння серійного випуску універсальних сонячних батарей встановленою потужністю 2 Вт для електроживлення переносної апаратури радіаційного контролю в польових умовах”, Договір з МНС України №1-41/99 від 16.03 1999 р., терміни виконання І кв. 1999 р. - ІV кв. 1999 р., номер держреєстрації 0199V002585.

            ІІІ. В рамках програм Державного комітету України з питань науки і технологій:

            - НДР “Розробка і впровадження кремнієвих сонячних елементів великої площі для силових енергетичних установок”, проект 5.21.04/207-93 Державної науково-технічної програми 5.21 “Ресурсозбереження”, розділ 5.21.04 “Нетрадиційні джерела енергії, в тому числі сонячні, вітрові і електрохімічні”, терміни виконання 1993 - 1994 рр., номер держреєстрації 0195V004799;

            - НДР “Розробка і впровадження кремнієвих сонячних батарей з високим ККД для автономного енергоживлення побутової і радіоелектронної техніки”, проект 04.10.00/009-95 науково-технічної програми 04.10.00 “Нетрадиційні і відновлювальні джерела енергії і ефективні системи їх використання”, терміни виконання 1995 - 1996 рр., номер держреєстрації 0396V006744. 

 Участь у міжнародних проектах.

Проект УНТЦ №4301 „Розробка лабораторної технології виготовлення гнучких сонячних елементів на основі телуриду кадмію”, терміни виконання 01.03 2009 – 28.02 2011 р.

Публікації

2019