Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

Відділ фізики оптоелектронних приладів

stronski 
Керівник відділу
 
доктор фіз.-мат. наук
Стронський Олександр Володимирович
Тел.: 525-60-40; внутр.: 5-75
Ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Склад відділу

OleksenkoP.F

 

Олексенко Павло Феофанович

Чл.-кор. НАН України, доктор. тех. наук., професор, гол. наук. співр.
Тел.: 525-63-50; внутр.: 2-79
Ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
KretulisV.S   

Кретуліс Володимир Станіславович

наук. співр.
Тел.: 525-57-33; внутр.: 2-67
Ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 Goroneskul  

Горонескуль Віктор Юрійович

наук. співр.
Тел.: 525-57-33; внутр.: 3-67
Ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.  

 MinakovaI.E  

Мінакова Ірина Євгенівна

наук. співр.
Тел.: 525-57-33; внутр.: 2-67
Ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 Бачеріков  

Бачеріков Юрій Юрійович

провідний наук. співр., доктор фіз.-мат. наук 
Тел.: 525-73-64; внутр.: 7-23
Ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

   

Денисова Зінаїда Леонидівна

старший наук. співр., канд. фіз.-мат. наук
Тел.: 
525-62-70, внутр. 2-48
Ел. пошта: 

 

   

Велігура Людмила Іванівна

наук. співр., 
Тел.: 
525-62-70; внутр.: 3-55
Ел. пошта: 

 

 Zhuk  

Жук Антон Геннадійович

публікації

наук. співр., канд. фіз.-мат. наук
Тел.:
525-73-64; внутр.: 7-23
Ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

 Paiuk photo  

 

Паюк Олександр Петрович 

публікації

наук. співр.

Тел.: 525-60-40; внутр.: 5-75
Ел. пошта: 
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

 Bogoslovska  

 

Богословська Алла Борисівна

старший наук. співр., канд. фіз.-мат. наук
Тел.: 525-57-65, внутр. 2-00

 

 Bogoslovsky 2  

 

Богославський Сергій Олександрович

пров. інженер
Тел. 525-57-65, внутр. 2-00
Ел. пошта:

 

 

Костюкевич Сергій Олександрович 
 
 
к.ф.-м.н., с.н.с.
Тел.: 525-62-05, внутр. 3-93
Ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
 

Костюкевич Катерина Вікторівна 

публікації

к.ф.-м.н, с.н.с.

Тел.: 525-62-05, внутр. 2-23

Ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

Лисюк Віктор Олександрович 

публікації

к.ф.-м.н, с.н.с.

Тел.: 525-62-05, внутр. 3-93

Ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

Коптюх Анастасія Андріівна

Тел.: 525-62-05, внутр. 3-93

 

Погода Валерій Іванович 

Тел.: 525-62-05, внутр. 7-93

 

 

Велещук Віталій Петрович

с.н.с., канд. ф.-м. наук

Тел.: 525-60-40, внутр. 5-59

E-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

 

 

Власенко Олександр Іванович

 

д. ф.-м. наук, проф. г. н. с.

Тел.:525-60-97

E-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

 

Z Vlas

 

 

Власенко Зоя Костянтинівна

с.н.с., канд. ф.-м. наук

Тел.:525-60-97

E-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

Photo Gnatyuk-V face 10x13

 

 

Гнатюк Володимир Анастасійович

публікації

с.н.с., канд. ф.-м. наук

Тел.: 525-60-40, внутр. 6-58  

E-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

IMG 0016

 

 

Генцарь Петро Олексійович

с.н.с., канд. ф.-м. наук

Тел.: 525-60-40, внутр. 2-06  

E-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 

Levytskyi-2

 

Левицький Сергій Миколайович

публікації

с.н.с., канд. тех. наук

Тел.: 525-60-40, внутр. 6-58

E-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Лабораторія №10-2 "Технології матеріалів для оптоелектроніки"

Керівник Шутов Станіслав вікторович

 

Дослідження

       Відділ було засновано наприкінці 60-років двадцятого століття на базі наукової групи відділу №5 Інституту фізики напівпровідників НАНУ ім. В.Є. Лашкарьова та міжвідомчої лабораторії  Оптоелектроніки ВО «Точелектроприлад» і АН УРСР.

     Основне завдання відділу - розвиток цілеспрямованих фундаментальних та прикладних досліджень для вивчення можливостей оптоелектроніки і втілення її ідей в різні галузі приладобудування для систем автоматики, відображення та передачі інформації, інформаційно-вимірювальних систем, світлотехніки та сенсорики. Вирішення цієї проблеми дозволило співробітникам відділу розробити нові підходи і створити концепцію оптоелектроніки як креативної багатофункціональної технології сучасного приладобудування. Оптоелектроніка привнесла в електронне приладобудування нові напівпровідникові і оптичні матеріали та структури, широке коло фізичних явищ як електричної, так і хвильової природи, нові принципи побудови і конструктивно-технологічні рішення. Основні напрацювання і досягнення вчених відділу зроблені в таких напрямках:

Основними напрямками наукових досліджень і науково-технічних розробок є: 

(1) Формування і самоорганізація точкових дефектів і модифікація морфології поверхні у кристалах та плівках напівпровідників А2В6 та А3В5 при взаємодії з наносекундними імпульсами лазерного випромінювання для створення упорядкованих нано- і мікроструктур.

(2) Формування омічних і діодних структур на основі кристалів Cd(Zn)Te лазерними та іонно-плазмовими методами для неохолоджуваних детекторів рентгенівського і гамма випромінювання з високою енергетичною роздільною здатністю.

(3) Лазерно-індуковане формування параметризованих міток у прозорих діелектриках (скло і полімери) нелегованих та зі світлопоглинаючими домішками (наночастинками, нанокристалами) та створення стабільних люмінесцентних центрів у світлочутливих матеріалах на основі хромонів для запису інформації і створення зображень.

(4) Процеси природної та індукованої зовнішніми полями деградації світлодіодних структур, у тому числі наноструктур. Створення методів і засобів діагностики та контролю insitu надійності світловипромінюючих структур. 

 (5) Діагностика, розробка та виготовлення лазерних та антилазерних систем та комплексів. 

(6) Розробка фізичних основ для створення нових матеріалів, нанокомпозитних середовищ, Керування фізико-хімічними властивостями матеріалів, дослідження фізики процесів взаємодії електромагнітного випромінювання з такими середовищами/ Створення на основі розроблених середовищ елементів та приладів оптоелектроніки;

(7) Дослідження фотоелектичних властивостей напівпровідників та наноструктурованих середовищ; дослідження закономірностей впливу на люмінесцентні характеристики та мікроструктурні перетворення у дисперсійних двохкомпонентних матеріалах, що обумовлені рядом низькоенергетичних зовнішніх впливів; моделювання та отримання багатофункціональних наноструктурованих середовищ; розробка елементів електролюмінесцентних та сенсорних приладів.

(8) Оптоелектронні сенсори, напівпровідникові оптичні перетворювачі випромінювання та пристрої інтегральної оптики. Інструментальне забезпечення метеорологічного і екологічного моніторингу навколишнього атмосферного середовища шляхом розробки методів, структури побудови і створення дослідних зразків технічних моделей оптоелектронних сенсорів з високими техніко-економічними характеристиками.         

(9)  Розробка промислово-застосовних неруйнівних точних способів дослідження напівпровідникових приладів та напівпровідникові датчики температури для роботи в екстремальних умовах.

(10) Розробка та виготовлення експериментального обладнання та оснастки та дослідження процесів гетероепітаксійного росту сполук системи А3В5 із рідкої фази.

(11) Розробка експериментальних методик виготовлення дослідних зразків високотемпературних діодів на основі приладових структур AlGaN/InGaN/GaN  і політипів SiC.

     Переважна більшість робіт проводиться в галузі напівпровідникового матеріалознавства та сенсорних систем, фізики процесів взаємодії електромагнітного випромінювання з середовищами. Здійснюються фундаментальні дослідження і розробка фізичних основ для створення нових матеріалів, нанокомпозитних середовищ та їх практичних застосувань для створення елементів оптоелектроніки, оптоелектронних сенсорів, напівпровідникових оптичних перетворювачів випромінювання та пристроїв інтегральної оптики.

     Відділ фізико оптоелектронних приладів проводить наукові дослідження за науковими напрямками фізика процесів взаємодії електромагнітного випромінювання з речовиною, оптоелектроніка і напівпровідникове матеріалознавство та сенсорні системи. 

     Вивчення фізико-хімічних процесів у халькогенідних напівпровідниках під дією лазерного та електронного опромінювання, розробка реєструючих середовищ для запису інформації на оптичні диски та технологія виготовлення та тиражування голографічних захисних елементів. Дослідження процесів надщільного запису інформації у нанорозмірних середовищах та розробка оптичних систем зчитування інформації на основі дифракційних структур для біосенсоріки. Дослідження нових технологічних можливостей підвищення чутливості біо-хімічних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу (ППР) та розробка нових сенсорних технологій на основі оптичних тонкоплівкових перетворювачів для вирішення практичних задач екології, медицини та ветеринарії. Основою дослідницької стратегії є підхід, який реалізується у співпраці із дослідницькими групами (заключені договори про співпрацю з НТУУ «КПІ», Каменець-Подільським національним університетом, НДІ ФХП БГУ (Мінськ), проводилися спільні роботи з науковцями КНУ ім. Т.Шевченка, НТУУ «КПІ»,Чехії, Словаччини, Фінляндії, Білорусі, Молдови), що працюють в напряму отримання матеріалів та структур із новими фізичними властивостями та їх модифікації в процесі отримання або відповідними обробками після етапу отримання. Стратегія досліджень передбачає встановлення причинно-наслідкових зв’язків між технологіями отримання і структурними властивостями об’єктів, їх фізико-хімічними характеристиками і характером перебігу процесів взаємодії електромагнітного випромінювання з речовиною та інших фізичних процесів. 

    Важливим напрямом досліджень є розробка, створення та дослідження оптоелектронних датчиків метеорологічного та екологічного моніторингу повітряного середовища.

   На теперішній час фокус досліджень спрямований на розробку фізичних основ для створення нових матеріалів, нанокомпозитних середовищ, керування їх фізико-хімічними властивостями, створення на їх основі елементів з унікальними властивостями та приладів оптоелектроніки. Дослідження фізичних процесів в наноструктурованих середовищах, буде включати особливості взаємодії наноструктурованих середовищ з електромагнітним випромінюванням, локалізацію домішки у наночастинках при їх легуванні; спін-поляризований транспорт в таких середовищах; підвищення квантового виходу дисперсних люмінофорів в залежності від нанорозмірів, особливості прояву магнітних властивостей. Також будуть продовжені роботи по розробці, створенню та дослідженню оптоелектронних датчиків метеорологічного та екологічного моніторингу повітряного середовища. 

   Перспективні плани на найближчі роки включають розробку багатофункціональних спектрофотометричних портативних засобів та приладів для проведення хімічних і клінічних широкопрофільних аналізів в медицині, сільскому господарстві, в службах екологічного моніторингу, в харчовій та фармацевтичній галузях промисловості.  

   Відділ приймає активну участь у дослідженнях за цільовими програмами відділення фізики та астрономії НАН України, Державними науково-технічними програмами, виконувала конкурсні інноваційні науково-технічні проекти НАН України, здійснювала дослідження за грантовими програмами   FP7, МОН та ін. 

 

Досягнення

   

Найвизначніші досягнення та результати за останні три роки:

      Розроблено фізико-технологічні основи технології отримання структур карбіду кремнію широкозонного політипу SiC-4H та ін. широкозонних напівпровідників, здатних тривалий час функціонувати в умовах високих температур й агресивних середовищ. Основна ідея полягає в створенні в активних областях p-i-n структур і діодів Шоттки штучних неоднорідностей (у тому числі й опроміненням електронами високих енергій), що полегшують керування зовнішнім полем процесами струмоперенесення й електролюмінесценції при підвищених температурах. Це дозволить реалізувати напівпровідникові прилади та джерела фотонів, що працюють при Т≥700 К.

         Розроблено фізико-технологічні основи способів отримання приладових напівпровідникових структур для низькорозмірних систем обробки та передавання інформації. Мета роботи - розробка нових способів отримання і формування структур напівпровідникових приладів А3В5, А4В4 та ін., здатних за допомогою керування електричними сигналами ефективно генерувати, детектувати й контролювати слабке імпульсне когерентне випромінювання і навіть одиночні фотони для застосувань у складі квантових телекомунікаційних систем та цифрових систем обробки й передачі інформації. Основна ідея роботи полягає в застосуванні оригінальних методів отримання і спецобробок напівпровідникових приладових структур, що дозволяють вводити в активну область штучні неоднорідності типу центрів забарвлення, атомно-розмірних точкових дефектів, гетероструктур з розмірним квантуванням та ін. для вирішенням  розробки простих, високоефективних та недорогих джерел і детекторів одиночних фотонів, що працюють при кімнатній температурі та сумісні з оптичним скловолокном й легко інтегруються з сучасними  технологіями напівпровідникових приладів та інтегральних схем.

         Розроблено новий метод рідиннофазної епітаксії для виготовлення дослідних зразків структур на основі твердих розчинів сполук системи А3В5. Метою роботи є розробка науково-технологічних основ процесів гетероепітаксійного рідиннофазного нарощування малорозмірних та/або багатоперіодних шарів на основі сполук А3В5 та їх твердих розчинів. Проведені дослідження дозволять розширити межі застосування розробленого нового різновиду рідиннофазної епітаксії та встановити технологічні  режими отримання окремих приладових структур для приладів сучасної опто-, мікроелектроніки з підвищеними енергоекономічними та експлуатаційними параметрами. Цей метод дозволив отримати  досконалі тонкі та надтонкі шари не тільки на споріднених підкладках, а також на підкладках з відмінністю кристалічних граток. Зокрема, метод дозволить отримувати з рідкої фази приладові структури в системах Ge/GaAs, GaAsP/GaAs, GaInP/GaAs, InGaAsP/InP та ін., що є цікавими для цілого ряду приладів оптоелектроніки. Вперше методом скануючої рідиннофазної епітаксії проведено надшвидкісне вирощування гетероепітаксійних шарів, в умовах близьких до граничного пересичення розчину-розплаву, при короткочасному контакті підкладки з розчином розплавом.

          Оптичні властивості тонких плівок халькогенідних стекол та гібридних (органічно-неорганічних) плівок, тонких полімерних плівок на основі поліепоксіпропілкарбазолу (ПЕПК) були досліджені з метою отримання полімерних покрить методом нанесення з розчину із заданими товщинами  і оптичними властивостями. Спектроскопія тонких плівок показала хорошу однорідність отриманих шарів і високу якість поверхні.  

     Методом позитронної анігіляційної спектроскопії (а саме методу вивчення часового розподілу анігіляційних фотонів) досліджено дефектна структура халькогенідних стекол Ge5As37S58. Для складу Ge5As37S58.оцінено розмір нанопорожнин. Аналіз структури стекол також був проведений з використанням комбінаційного розсіювання і показав присутність, окрім основних структурних одиниць Ge(S1/2)4 та As(S1/2)3, також наявність нестехіометричних структурних елементів 

       Показана можливість електронно-променевого та голографічного запису поверхнево-рельєфних структур з використанням багатошарових наноструктур на основі халькогенідних стекол як реєструючих середовищ. З використанням електронно-променевого та голографічного запису  на багатошарових наноструктурах Ge5As37S58–Se записані дифракційні решітки. Дослідження комбінаційного розсіювання показали активну роль Se у формуванні рельєфів решіток в наномультішарових структурах Ge5As37S58–Se. АСМ дослідження показали високу якість рельєфів отриманих голограмних решіток. Також електронним променем попіксельно записані зображення гербів України і Молдови, тексти, розмір зображення складав 512×512 пікселів (розмір одного пікселю складав ~2 мкм).. З використанням багатошарових наноструктур As2S3-Se записані голограмні решітки з просторовою частотою 1000-1400мм-1. 

      Встановлена поляризаційна залежність кінетики формування поверхневого рельєфу оптичних елементів з використанням композитних наноструктур на основі халькогенідних склоподібних напівпровідників як реєструючих середовищ. Отримані композиційні залежності люмінесцентних властивостей халькогенідних стекол з модифікуючими елементами. Вперше показана можливість одночасного формування поверхневого та магнітного рельєфів при прямому голографічному записі з використанням багатошарових наноструктур на основі халькогенідних стекол. 

       В високодисперсних напівпровідникових матеріалах виявлена нелінійна залежність квантового виходу фотолюмінесценції від розміра частинок, в діапазоні розмірів від десятків і вище мікрон до одиниць нанометрів. Зменшення розмірів частинок до величин близьких або менших подвоєної довжини області просторового заряду приводить до суттєвого падіння ефективності люмінесценції або її повної відсутності. Це зумовлено зменшенням висоти поверхневого бар’єра (Usp), що полегшує вихід фотозбуджених носіїв на поверню з наступною їх безвипромінювальною рекомбінацією. Окрім цього, зниження положення EF також приводить до збільшення внеску в рекомбінацію безвипромінювальних каналів. В той же час, зменшення розмірів частинок до величин менше Боровського радіуса екситона, приводить вже до збільшення квантового виходу їх люмінесценції внаслідок більш високої швидкості випромінювальної рекомбінації в в квантово-размірних частинках у порівнянні з об’ємним матеріалом. 

        Розроблено та створено метеорологічний оптоелектронний датчик, в якому реалізовані запропоновані методи збільшення точності (зменшення методичної похибки за нефелометричним рівнянням до 1,4 %), розширення динамічного діапазону та покращення завадозахищеності від фонового засвічення при вимірюванні метеорологічної дальності видимості, що досягнуто за рахунок використання програмно-алгоритмічного та інструментального підходів. Пов’язана по розробленій програмі з ПК дана модель оптоелектронного датчика режимно керується оператором, автоматично надає результати вимірювання і з функціональної належності є завершеним приладно-вимірювальним засобом метеорологічної дальності видимості.

     В результаті порівняльного аналізу різних методів та технологій формування нанорозмірних структур на плівках халькогенідних склоподібних напівпровідників з метою збільшення щільності запису інформації та досліджень по оптимізації режимів запису показано, що при експонуванні плівок халькогенідних склоподібних напівпровідників оптичним випромінюванням, яке сфокусовано дифракційно обмежиними оптичними системами, необхідно використовувати плівки з нелінійною пороговою експозиційною характеристикою. Нелінійна порогова експозиційна характеристика неорганічних фоторезистів сприяє можливості отримання на них нанорозмірних структур при лазерному експонуванні для формування оригіналів оптичних сигналограмм.

        На основі комплексних досліджень характеристик плівок золота на пластиковій підкладці, як чутливого сенсорного елемента на основі поверхневого плазмонного резононсу, оптимізовано товщини плівки золота та матеріал підкладки для багатоелементного перетворювача на основі поверхневого плазмонного резононсу. Розроблено макет оптичної системи зчитування данних з фотоперетворювача для багатоелементного імуносенсора на основі поверхневого плазмонного резононсу. 

            На основі комплексних досліджень впливу температурних режимів відпалу плівок золота на ефективність перетворювачів ППР і стабільність їхніх параметрів при зберіганні показано, що найкращі експлуатаційні характеристики досягаються при відпалі при температурі 120°С протягом 30 хвилин на повітрі. Для цієї температури характерне згладжування дрібномасштабного рельєфу поверхні плівки золота, що дозволяє знизити інтенсивність розсіювання в умовах ППР, зменшити коефіцієнт екстинкції, стабілізувати оптичні характеристики та сформувати на поверхні високо-впорядкований нанорозмірний захисний та стабілізуючий шар тіолу. 

      

 

Розробки

 

    • Визначенно домінуючі фізичні процеси і встановленно фундаментальні механізми трасформації точково-дефектної структури та морфології поверхні напівпровідникових кристалів CdTe, що мають місце при дії коротких імпульсів лазера у випадках формування дефектно-деформаційних мікро- і наноструктур, поверхнево- бар’єрних структур, наношарів із заданими електричними властивостями, а також поверхонь з наноструктурованим рельєфом.

    • Розроблено лазерні та іонно-плазмові методи для ефективної обробки поверхні напівпровідників CdTe і Cd1-xZnxTe, щоб забезпечити модифікацію поверхневого стану, формування омічних контактів чи випрямляючих контактів Шотткі, легування поверхневого шару і створення p-n переходу та пасивацію поверхні кристалів для отримання детекторів рентгенівського і гамма випромінювання з низьким струмом витоку (темновим струмом), високою енергетичною роздільною здатністю і достатньою стабільністю параметрів при функціонуванні при кімнатній температурі  в умовах жорсткої радіації.

    • Виготовлено детектори рентгенівського і гамма випромінювання як діодні структури на основі напівпровідникових кристалів CdTe (10×10×10×0.75 мм3) сформовано детекторні модулі (по 4 детектори), розроблено відповідну електроніку (спільно із японськими партнерами) і сконструйовано та протестовано 7 портативних спектрометрів з високою детектуючою здатністю.

    • Виготовлення оптичних елементів на основі AsSSe халькогенідних стекол для CD/DVD технологій.

 

Обладнання

 

Наявність високотехнологічного наукового-технічного обладнання

- Установка для опромінення матеріалів на базі сучасного чотиримодового імпульсного лазера Nd:YAG LS2131U (LOTIS TII).

- Лазери (рубіновий, гелій-неоновий, азотний, СО2-лазер, аргоновий).

- Прилад для вимірювання електричних характеристик SourceMeter 2400 (Keithley). 

- Спектральні комплекси на базі монохроматорів.

- Установки для вакуумного напилення матеріалів ВУП-4 та ВУП-5.

- Високотемпературна піч NABERTHERM LHT 04/17.

- Планетарний кульовий млин PM 100 - RETSCH.

- Експериментальна установка скануючої рідиннофазної епітаксії.

     Лабораторія обладнана іншим сучасним устаткуванням та пристроями (витяжна хімічна шафа ВШ-1-1, станки для різки та полірування кристалів.  Також є необхідні матеріали (абразивні порошки, хімічні реактиви) для проведення механічної (різка, шліфування та полірування) та хімічної (промивання, селективне і поліруюче травлення) обробки зразків. Оптичні столи, оптична плита, HeNe лазер, ЛГН-222, кріплення оптичних елементів, просторові фільтри з отворами 10, 15, 20 та 30 мікрон, розсіювальні лінзи, призми, градієнтний нейтральний фільтр.

 

Проекти

1. Development of Cd(Zn)Te-based X/gamma-ray detectors with high resolution for security and diagnostics instruments. [1], [2], [8]. 2020 Cooperative Research at Research Center of Biomedical Engineering, (Research Institute of Electronics, Shizuoka University), Japan (No 2018), 01.06.2020-31.03.2021.

2. Development of the compact Pockels cell driver for formation of power subnanosecond laser pulses. [1], [2], [14]. 2020 Cooperative Research at Research Center of Biomedical Engineering, adopted as 2020 Cooperative Research at Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Japan, (No 2071), 01.06.2020-31.03.2021. 

3. Substrate formation for low dimensional structures. [1], [2], [15], [16], [18]. 2020 Cooperative Research at Research Center of iomedical Engineering, adopted as 2020 Cooperative Research at Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Japan, (No 2067), 01.06.2020-31.03.2021. 

4. Continuous microcrystallization during thermally induced motion of inclusions. [1], [2], [15], [16], [18]. 2020 Cooperative  Research at Research Center of Biomedical Engineering, adopted as 2020 Cooperative Research at Research Institute of electronics, Shizuoka University, Japan (No 2066), 01.06.2020-31.03.2021. 

5. Fabrication and characterization of high energy resolution CdZnTe detectors for radiation detection applications. [1], [8], [20]. The Fundamental Research Funds for the Central Universities, China, (No 3102019ghxm015), 01.01.2019-31.12.2020. 

 6. Exploring novel perovskite single-crystal based gamma-ray detector for trace environmental radioactivity monitoring. [1], [8], [19]. Proposals of the Joint Ukraine - The People’s Republic of China R&D Projects for the period of 2019-2020 (adopted by the Ministry of Science and Technology of the People's Republic of China, (No CU03-15), 05.2019-31.12.2020. 

7. Formation of a quasiperiodic relief on vicinal surfaces. [1], [2], [15], [16], [18]. 2019 Cooperative Research at Research Center of Biomedical Engineering, adopted as 2019 Cooperative Research at Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Japan (No 2077), 01.08.2019-31.03.2020.     

8. Development of Cd(Zn)Te-based X/gamma-ray detectors with high resolution for security and diagnostics instruments. [1], [2], [8]. 2019 Cooperative Research at Research Center of Biomedical Engineering, (Research Institute of Electronics, Shizuoka University), Japan, (No 2022), 14.05.2019-31.03.2020. 

9. Radiation-induced motion of liquid inclusions in crystals. [1], [2], [15], [16], [18]. 2019 Cooperative Research at Research Center of Biomedical Engineering, adopted as 2019 Cooperative Research at Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Japan (No 2076), 14.05.2019-31.03.2020.     

10. Development of perovskite single crystal ray detectors for environmental radioactive contamination monitoring. [1], [19]. Collaborative research project in the frame of Short-term Recruitment Program of Foreign Experts in Anhui (APFEP), China, 05.2019-12.2019. 

11. Development of Cd(Zn)Te-based X/gamma-ray detectors with high resolution for security and diagnostics instruments. [1], [2], [8]. 2018 Cooperative Research at Research Center of Biomedical Engineering, (Research Institute of Electronics, Shizuoka University), Japan, (No 2035), 14.05.2018-31.03.2019. 

12. Nonlinear waves of elementary step density on the vicinal surfaces of growth. [1], [2], [16], [17], [18]. 2018 Cooperative Research at Research Center of Biomedical Engineering, adopted as 2018 Cooperative Research at Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Japan, (No 2021), 14.05.2018-31.03.2019. 

13. Sensor network for the localization and identification of radiation sources (SENERA). [1], [2], [4], [5], [6], [7], [8], [9]. Collaborative project of The Science for Peace and Security Program of NATO (Grant NUKR.SFPP 984705), 2015-2018. 

14. Development of Cd(Zn)Te-based X/gamma-ray detectors with high resolution for security and diagnostics instruments. [1], [2], [8]. 2017 Cooperative Research at Research Center of Biomedical Engineering, Japan (Research Institute of Electronics, Shizuoka University), Japan, (No 2015), 17.04.2017-31.03.2018. 

15. Laser-induced marking in glasses and polymers doped by light-absorbing microinclusions and nanocrystals. [1], [2], [8], [13], [14]. 2017 Cooperative Research at Research Center of Biomedical Engineering, adopted as 2017 Cooperative Research at Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Japan, (No 2014), 17.04.2017-31.03.2018. 

 

Partner institutions of the international research projects and programs listed above:

    [1] V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine.

    [2] Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan.

    [3] Technological Educational Institute of Sterea Ellada, Psahna - Evia, Greece.

    [4] Institute of Nuclear and Particle Physics, National Center for Scientific Research “Demokritos”, Athens, Greece.

    [5] The Greek Atomic Energy Commission, Athens, Greece.

    [6] The Hellenic Army Academy, Athens, Greece.

    [7] Yuriy Fedkovych Chernivtsi National University, Chernivtsi, Ukraine.

    [8] Taras Shevchenko National University of Kyiv, Kyiv, Ukraine.

    [9] National Center of Radiobiology and Radiation Protection, Sofia, Bulgaria.

    [10] Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland.

    [11] College of Nanotechnology, King Mongkut's Institute of Technology Ladkrabang, Bangkok, Thailand.

    [12] Synchrotron Light Research Institute, Nakhon Ratchasima, Thailand.

    [13] Saint-Petersburg State Technological Institute (Technical University), Saint-Petersburg, Russian Federation.

    [14] Saint-Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics, Saint-Petersburg, Russian Federation.

    [15] V.N. Karazin Kharkiv National University, Kharkiv, Ukraine.

    [16] National Aerospace University “Kharkiv Aviation Institute”, Kharkiv, Ukraine.

    [17] Bar-Ilan University, Ramat-Gan, Israel.

    [18] National Science Center "Kharkiv Institute for Physics and Technology" of the National Academy of Sciences of Ukraine, Kharkiv, Ukraine.

    [19] Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics (AIOFM), Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences, Hefei, Anhui, China.

    [20] Northwestern Polytechnical University, Xi’an, China.

 

 

1) SECURE-R2I – проект 7-ої рамкової програми ЕС, 2013-2016рр.

2) Українсько-молдовський проект МОН України  2017р-2018р.. 

3) № ІІІ-2-11. «Дослідження оптичних та електронних явищ в штучностворенних однорідних і неоднорідних середовищах для розробки нових технологій оптоелектронного і мікросистемного приладобудування», державний реєстраційний номер теми 0111U002373;

4) № ІІІ-41-12 «Фізичні та фізико-технологічні аспекти створення сучасних напівпровідникових матеріалів і функціональних структур для нано- і оптоелектроніки», державний реєстраційний номер теми 0112U002349;

5) Проект 7-ї Рамкової програми Комісії Європейського Союзу №609534 (FP7—SECURE-R2I) «Впровадження захисних голограм з використанням дифракційних оптичних елементів на основі халькогенідних стекол та азополімерів» (Implement Security Holograms utilising Diffractive Optical Elements based on Chalcogenide Glasses and Azopolymers);

6) № ІІІ-2-16 «Дослідження особливостей хвильових оптичних явищ наноструктурованих/ нанокомпозитних середовищ та розробка технології функціональних матеріалів і структур оптоелектроніки», державний реєстраційний номер теми 0116U002606;

 

Публікації

2019

Хміль Денис Миколайович
наук. співр.
Тел.: 525-61-68,; внутр.: 4-61
Ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.