- Details
- Hits: 4621
Фосфидиндиевый диод Ганна
№ 33 Laboratory of Physical and technological problems of solid-state microwave electronics
R.V. Konakova, A.E. Belyaev
Частотный диапазон: 100-150 ГГц
Напряжение: до 3,5 В
Рабочий ток: до 1,5А
Диоды Ганна разработаны на основе эпитаксиальных слоёв InP, выращенных на пористой наноструктурированной подложке и омических контактов с использованием наноструктурированных слоёв диборида титана.
Области применения.
• СВЧ-техника;
• Телекоммуникационные технологии.
Внедрение.
Используется в разработках Государственного предприятия НИИ «Орион» Министерства промышленной политики Украины