Details

Hits: 6993

Системы Кремния-На-Изоляторе (КНИ) и КМОН КНИ - интегральная микросхема ВА86Р

№15 Отдел физико-технических проблем ионно легированных полупроводников и многослойных структур на их основе
В.С.Лысенко, А.Н. Назаров, Л. И. Самотовка

Применение. Структуры КНИ предназначены для создания КМОН ИС малого та среднего степеней интеграции, которые могут работать при повышенном  уровне электрических помех  в температурном диапазоне до 300^оС.
Интегральная КМОН- схема на КНИ BA86P предназначена для обеспечения обмена импульсной информацией в системах сбора и обработки информации, которые работают  при повышенной температуре до 2000С.

Зонная лазерная рекристаллизация пленок поликристаллического кремния
Пластина КНИ диаметром 4”, изготовленная методом зонной лазерной рекристаллизации	Интегральная КМОН- схема BA86P и  ее фрагменты

Основные технические характеристики и параметры КНИ- систем:

-    толщина кремниевой пленки от100 до 500 нм с неоднородностью по толщине 10% на термически выращенной двуокиси кремния или на многослойном диэлектрике типа SiO2-Si3N4-SiO2;
-    толщина внутреннего диэлектрика от  400 до 700 нм (неоднородность за толщиной – 5%);
-    диаметр кремниевой пластины – 4”;
-    толщина кремниевой пластины – 300 мкм;

Основные электрические параметры КМОН КНИ ИС ВА86Р
в диапазоне температур от 20^оС до 200^оС
Микросхема за входами и выходами совпадает  с микросхемами транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ).
Выходное напряжение високого уровня (IOH=4мА, UCC=4,5B) - не меньше 3,2 В
Выходное напряжение низкого уровня (IOL=12мА, UCC=4,5B) – не больше 0,35 В
Напряжение потребления   (UCC=5,5B, UІН> UCC -0,4В, UІL<0,4В) - 150 мкА
Время задержки  распространения сигнала при переходе из состояния высокого или низкого уровня в состояние «Выключено»(UCC=4,5B, CL=50пФ) - 35 нс
Время задержки распространения сигнала при переходе из состояния «Выключено» в  состояние высокого или низкого уровня (UCC=4,5B, CL=100пФ) – 65 нс
Входная емкость (UІ= UCC або 0В; UCC=5B) – 18 пФ