Details

Hits: 3746

Вивчення механізмів утворення та самоорганізації дефектно-деформаційних наноструктур в кристалах А2В6, А3В5 при їх взаємодії з потужним лазерним випромінюванням

№17 Відділ проблем дефектоутворення і нерівноважних процесів у складних напівпровідниках
   О.І. Власенко, А. Байдулаєва

Метою даного проекту є вивчення індукованих імпульсним лазерним випромінюванням процесів самоорганізації дефектів та формування поверхневих нанорозмірних структур у кристалах А2В6 та А3В5. Лазерне опромінення і спричинена ним дія ударних хвиль утворює у твердих тілах високу концентрацію точкових дефектів. При перевищенні критичної концентрації відбувається їх кластеризація та утворення острівців нанометрових розмірів. При допороговому опроміненні одиночним наносекундним імпульсом рубінового лазера кристалів CdTe утворюються нанокластери з латеральними розмірами ~ (19-50) нм і середньою висотою ~(3.40-9.38) нм. При підвищенні потужності лазерних імпульсів розміри наночастинок спочатку збільшуються, а потім зменшуються, причому вони впорядкуються в різні (в залежності від параметрів імпульсів) структури. Запропоновано плазмово-деформаційний механізм утворення впорядкованого ансамблю нанокластерів на поверхні кристалів CdTe, що якісно та кількісно описує результати експерименту.

Нанорозмірні напівпровідники CdTe перспективні для створення:
•    швидкодіючих фотодіодів,
•    сонячних елементів,
•    швидкодіючих оптичних модуляторів,
•    приладів фотоніки.