- Деталі
- Перегляди: 4826
V. Dobrovolsky, Electrodynamic model of the field effect transistor application for THz/subTHz radiation detection: Subthreshold and above threshold operation. J. Appl. Phys. 2014. 116, p. 154503-1 – 154503-10.
 |
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України |
V. Dobrovolsky, Electrodynamic model of the field effect transistor application for THz/subTHz radiation detection: Subthreshold and above threshold operation. J. Appl. Phys. 2014. 116, p. 154503-1 – 154503-10.