- Деталі
- Перегляди: 16142
Про відділ
ЦЕНТР КОЛЕКТИВНОГО КОРИСТУВАННЯ НАУКОВИМ ОБЛАДНАННЯМ
при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
„ДІАГНОСТИКА НАПІВПРОВІДНИКОВИХ МАТЕРІАЛІВ, СТРУКТУР ТА ПРИЛАДНИХ СИСТЕМ"
Запрошуємо до співпраці установи НАН України, заклади вищої освіти, підприємства та інші суб'єкти наукової, науково-технічної та інноваційної діяльності до проведення робіт з пріоритетних напрямків фундаментальних досліджень і прикладних розробок.
Пріоритетні напрямки діяльності:
- фізика напівпровідникових матеріалів і структур;
- фізика поверхні, оптоелектроніка і фотоніка;
- ТГц- і ІЧ-функціональна напівпровідникова мікро- та нанофотоелектроніка;
- фізика і технологія сенсорних систем;
- напівпровідникова світлотехніка;
- наземне і космічне фотоенергетичне приладобудування.
Структурні підрозділи:
- Комплекс скануючої зондової мікроскопії;
- Лабораторія Раманівсько-люмінесцентної та інфрачервоної Фур'є спектроскопії;
- Лабораторія високороздільної Х-променевої дифрактометрії;
- Комплекс мас-спекрометричного аналізу та Х-променевої фотоелектронної спектроскопії;
- Лабораторія спектральної багатокутової еліпсометрії;
- Вимірювальний комплекс для експресного контролю напівпровідникових матеріалів і нанорозмірних приладів;
- Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі;
- Центр випробувань фотоперетворювачів та батарей фотоелектричних.
Інформація про обладнання та методи дослідження (завантажити буклет)
КОНТАКТИ
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки, 41, Київ 03028
Петро ЛИТВИН, керівник Центру
тел./факс: +38(044) 525-59-40
e-mail:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
Андрій НІКОЛЕНКО, заступник
тел. (044) 525-60-53,
e-mail:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
Веб-сайт www.ccu-semicond.net
Склад відділу
Лабораторія
Комплекс скануючої зондової мікроскопії
Литвин Петро Мар'янович
Завідувач Центру
канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.
+38 (044) 525-54-40
:p
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
|
|
|
Корчовий Андрій Адамович
канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.
+38 (044) 525-83-93
|
|
|
|
Мєшкова Ірина Андріївна
провідний інженер
+38 (044) 525-59-40
:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
Лабораторія
Раманівсько-люмінесцентної та інфрачервоної Фур'є спектроскопії
Ніколенко Андрій Сергійович
Заступник завідувача Центру
канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.
+38 (044) 525-60-53
:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
|
Стрельчук Віктор Васильович
док. фіз.-мат. наук, пр.н.с., професор
+38 (044) 525-64-73
|
|
|
|
Коломис Олександр Федорович
канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.
+38 (044) 525-83-93
:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
Лабораторія
високороздільної Х-променевої дифрактометрії
Поліщук Юлія Олегівна
канд. фіз.-мат. наук, н.с.
+38 (044) 525-58-53
:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
Комплекс
мас-спектрометричного аналізу та Х-променевої фотоелектричної спектроскопії
Оберемок Олександр Степанович
канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.
+38 (044) 525-57-24
|
|
|
|
Сабов Томаш Мар'янович
м.наук, н.с.
+38 (044) 525-57-24
:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
Лабораторія
спектральної багатокутової еліпсометрії
Кондратенко Ольга Сергіївна
канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.
+38 (044) 525-65-46
|
Вимірювальний комплекс
для експресного контролю напівпровідникових матеріалів і нанорозмірних приладів
Гоменюк Юрій Вікторович
канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.
+38 (044) 525-59-40
|
|
|
|
Тягульський Ігор Петрович
канд. фіз.-мат. наук, ст.н.с.
|
Лабораторія
"Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі"
Рибалочка Андрій Володимирович
канд. т. наук, ст.н.с.
+38 (044) 525-59-37
|
|
|
|
Калустова Дар'я Олександрівна
канд. т. наук, н.с.
+38 (044) 525-55-20
:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
|
Лабораторія
"Центр випробувань фотоперетворювачів та батарей фотоелектричних"
Костильов Віталій Петрович
док. фіз.-мат. наук, професор, пр.н.с.
+38 (044) 525-57-88
|
|
|
|
Черненко Володимир Васильович
канд. фіз.-мат. наук, с.н.с.
+38 (044) 525-57-34
|
Обладнання
Лабораторія
Комплекс скануючої зондової мікроскопії
Обладнання
-
скануючий зондовий мікроскоп NanoScope IIIa Dimension 3000тм (Bruker Corp.);
-
оптичний мікроскоп NU-2E (Carl Zeiss).
Можливості
-
атомно-силова мікроскопія (АСМ) і спектроскопія;
-
магнітна та електростатична мікроскопія;
-
силова Кельвін-зонд мікроскопія;
-
провідна та ємнісна мікроскопія (картографування та локальні ВАХ і ВФХ);
-
наноіндентування і картографування пружних властивостей поверхонь;
-
нанотрібологія та зносостійкість;
-
елементи нанолітографії (механічна та електрична) і наноманіпуляцій;
-
розмір об'єму сканування 100х100х4,5 мкм, максимальний діаметр зразків 200 мм, висота 15 мм;
-
чутливість поверхневого потенціалу 0,1 мВ;
-
діапазон струмів провідної АСМ від 1 пА до 1 мкА, напруги зміщення в діапазоні +/- 12 В;
-
чутливість ємнісної мікроскопії 10-22Ф/Гц0,5, амплітуда змінної напруги від 0,1 до 15 В, частота від 5 до 100 кГц.
-
діапазон навантажень при індентуваннві від одиниць нН до сотень мкН;
-
набір методів цифрової оптичної мікроскопії, у тому числі стекова мікроскопія динамічного фокусу та фотограмметрія;
-
атестовані метрологічні вимірювання геометрії елементів поверхонь мікронних та нанометрових розмірів.
Лабораторія
Раманівсько-люмінесцентної та інфрачервоної Фур’є спектроскопії
Обладнання
- потрійний спектрометр Horiba Jobin-Yvon T64000 (200 ÷ 1700 нм): конфокальний мікроскоп UV-Visible-NIR Olympus BX41; моторизований XYZ скануючий столик з кроком 0,1 мкм (Marghauser GmbH); He-Cd лазер KIMMON KOHA IK5651R-G (325 та 442 нм), Ar-Kr лазер Stabilite 2018-RM Spectra Physics (488 нм), твердотільні лазери Spectra Physics EXLSR-532-150-CDRH (532 нм) та Toptica Photonics iBeam-Smart-785-S-WS (785 нм); оптичний мікро-кріостат RC102-CFM (3.5 ÷ 325 К) (CIA CRYO Industries); мікро-температурна комірка Linkam Scientific Instruments THMS600 (78 ÷ 900K);
- інфрачервоний (ІЧ) вакуумний Фур'є спектрометр Bruker Vertex 70V (12500 ÷ 50 см-1): приставки для вимірювання ІЧ спектрів оптичного пропускання, дифузного та дзеркального відбивання, ATR та ІЧ випромінювання; оптичні ІЧ гелієвий та азотний кріостати (3,5 ÷ 500 К).
Можливості
-
мікро-Раманівський, фотолюмінесцентний (ФЛ) та ІЧ аналіз випромінювальних властивостей, структури, хімічного складу, електронних і фононних збуджень в твердих тілах, фізико-хімічних характериcтик напівпровідників, хімічних сполук, наноструктур та нанокомпозитів з субмікронним просторовим розділенням;
-
мікро-Раманівське і люмінесцентне 2D-3D просторове картографування: деформацій та хімічного складу; температури; концентрації і рухливості носіїв заряду; оптичного випромінювання наноструктур;
-
оптичні низькотемпературні дослідження фононних, плазмон-фононних, електронних збуджень, випромінювальної рекомбінації носіїв заряду в конденсованих системах;
-
інфрачервона спектроскопія пропускання, ATR, дифузного та дзеркального відбивання;
-
атестовані метрологічні вимірювання якихось штук згідно галузі.
Лабораторія
високороздільної Х-променевої дифрактометрії
Обладнання
- високороздільний рентгенівський дифрактометр PANalytical X'Pert PRO MRD (Philips) з набором рентгено-оптичних компонент для використання в стандартній компланарній схемі дифракції, а також для дифракції в ковзній геометрії i рефлектометрії.
Можливості
-
атомно-силова мікроскопія (АСМ) і спектроскопія;
-
фазовий аналіз зразків різних форм та розмірів;
-
структурний та фазовий аналіз тонких плівок в ковзній геометрії;
-
Х-променева рефлектометрія;
-
аналіз текстур: вимірювання полюсних фігур та визначення функцій розподілу орієнтації;
-
структурний аналіз, визначеня залишкових напруг в режимах як Psi, так і Omega сканування;
-
діагностика структурної якості за високороздільними картами розсіяння в околі вузлів оберненої гратки.
-
Джерело випромінювання з довжиною хвилі CuKα (0,154 нм). Спектральна та кутова монохроматизація пучка здійснюється за допомогою чотирьох кратного асиметричного монохроматора Ge(220). Тримач зразків має 6 ступенів вільності, що дозволяє локально досліджувати як пласкі, так і зігнуті зразки по всій поверхні (максимальний розмір 100х100х21 мм).
Комплекс мас-спектрометричного аналізу та Х-променевої фотоелектронної спектроскопії
Обладнання
- ATOMIKA 4000 квадрупольний іонно-зондовий мас-спектрометр вторинних іонів (... Inc); три джерела первинних іонів: 133Cs+ та (16O2)+ для глибинного дослідження та 69Ga+ для поверхневого аналізу (іонне мапування).
- INA-3 мас-спектрометр вторинних нейтралів (SNMS) (Leybold-Heraeus Inc.)
- Х-променевий фотоелектронний спектрометр Perkin-Elmer PHI 5600 LS (...Inc): рентгенівська джерело Al K-alpha (енергія 1486,6 еВ); іонна гармата для травлення зразків з енергією іонів до 5 кеВ.
Можливості
-
ATOMIKA 4000: визначення елементного складу на поверхні зразків від водню до урану, концентрації на рівні від ppm до ppb. Профілювання домішок по глибині та розподіл домішок по поверхні зразків з роздільною здатністю не гірше 3 нм та 0,5 мкм, відповідно.
- INA-3: елементний аналіз в режимах прямого (DBM) і високочастотного (HFM) бомбардування. Діапазон мас 1- 250 а.о.м. Чутливість < 10 ppm. Гранична роздільна здатність по глибині < 1 nm.
- XPS: кількісний елементний від Li до U, аналіз поверхні з чутливістю до 0,1 ат.%; аналіз хімічних зв'язків на поверхні, що, зокрема, дозволяє визначити кількісний фазовий та хімічний склад; аналіз поверхні на глибину до 10 нм та по площі 0,5-1 мм х 3,5 мм..
Лабораторія
спектральної багатокутової елепсометрії
Обладнання
-
Спектральний еліпсометр з обертовим компенсатором SE-2000 SEMILAB (λ = 245-2150 нм, діапазон кута падіння 15°-90°, діаметр пучка 470 мкм x0.365мкм).
Можливості
-
визначення оптичних констант (показника заломлення, коефіцієнта поглинання) і товщини плівок в багатошарових системах та об’ємних матеріалів. Типові об’єкти дослідження: тонкі металеві, діелектричні та напівпровідникові плівки (від мікронних до нанометрових розмірів); органічні шари і полімери; R&D матеріали, 2D та 3D наноструктури;
-
комплексна пошарова характеризація та моделювання оптичних властивостей складових для багатошарових структур (для кожного шару окремо) з використанням відповідних дисперсійних залежностей;
-
математичне моделювання оптичних констант як функції довжини хвилі, або енергії фотона в рамках Моделей Коші, Селлмайєра та інші (прозора область), Лоренц, Гаусс, Таук-Лоренц та інші (область поглинання);
-
спектроскопія пропускання плівок на скляних підкладках.
Вимірювальний комплекс
для експресного контролю напівпровідникових матеріалів і нанорозмірних приладів
Обладнання
- оптичний мікроскоп Axioskop 2 MAT (Сarl Zeiss);
- аналізатор параметрів напівпровідникових структур Agilent 4156;
- вимірювач LCR Agilent 4284;
- прецизійне джерело живлення Keithley 6487;
- пікоамперметр Keithley 6485;
- чотиризондова установка з можливістю нагріву зразка до 120 oС;
- азотний кріостат з двома зондами для вимірювань в діапазоні температур 77 - 350 К;
- система вимірювання ефекту Холла ezHEMS™ (NanoMagnetic Instruments).
Можливості
-
електрофізичні дослідження напівпровідникових структур в режимах постійного та змінного струму;
-
на постійному струмі: вольт-амперні характеристики (діапазон напруг - 0.01 - 200 В, діапазон струмів - 10 пА - 20 мА);
-
на змінному струмі (діапазон частот 50 Гц - 1 МГц):
вольт-фарадні характеристики;
адмітансна спектроскопія (G, C vs. V, T);
імпедансна спектроскопія (R, X vs. V, T); -
Холл вимірювання: вольт-амперні характеристики, опір, питомий опір, поверхневий опір, магнітоопір, концентрація носіїв, рухливість Холла, коефіцієнт Холла як функції температури. Вимірювання проводяться в режимі постійного струму / в постійному магнітному полі (± 0,976 Тесла) в діапазоні температур 80 - 775 К. Зразки у конфігурації ван дер Пау та Холла;
-
цифрова оптична мікроскопія: світле та темне поле, поляризаційний контраст, люмінесценція, диференційно-інтерференційний контраст.
Лабораторія
"Центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі"
Обладнання
-
спектрометр Instrument Systems CAS 140 CT 151M (діапазон довжин хвиль 360 – 830 нм);
-
інтегруюча сфера Instrument Systems ISP 2000 (внутрішній діаметр 1,9 м);
-
гоніофотометр для світильників і ламп Everfine GO-2000 (до 60 кг та до 2x2 м);
-
джерело живлення Agilent 6812B;
-
багатоканальне джерело живлення HAMEG HMP4040;
-
тепловізор FLIR SC305 та багатоканальний вимірювач температури YF-500.
Можливості
-
абсолютні вимірювання спектрального складу випромінювання розширеного видимого діапазону довжин хвиль (Вт/нм);
- вимірювання електричних параметрів живлення/споживання: напруга (В), струм (A), коефіцієнт потужності (PF), напруги завад на контактах у діапазоні частот 100 кГц - 30 МГц та т.і.
- визначення: енергетичної потужності випромінювання (Вт), світлового потоку (лм), світлової віддачі (лм/Вт), координат колірності (x, y), корельованої колірної температури (ССТ, К), індексу кольоропередачі (Ra), фотосинтетичного фотонного потоку (мкмоль/сек), ефективності фотонного потоку (мкмоль/Дж);
- визначення температурних режимів роботи внутрішніх та зовнішніх елементів світильників;
- вимірювання просторового розподілу фотометричних параметрів освітлювальних пристроїв з формуванням IES-файлів для проектування та візуалізації освітлення за світовим стандартом програмного забезпечення для світлодизайну DiaLux.
Лабораторія
"Центр випробовувань фотоперетворювачів та батарей фотоелектричних"
Обладнання
- установка для визначення відносної спектральної характеристики фотоперетворювачів;
-
установка для фототехнічних випробувань сонячних елементів (СЕ);
-
установка для електричних і фототехнічних випробувань сонячних батарей (модулів);
-
контрольно-перевірочна апаратура вимірювач фотоенергетичних параметрів сонячних фотоелектричних модулів ФОТОН-3;
-
зразкові фотоперетворювачі (еталонні сонячні елементи);
-
лазерний еліпсометр.
Можливості
-
атестований уповноваженими державними органами України на технічну компетентність і незалежність з правом проведення вимірювань показників фотоелектричних перетворювачів і батарей фотоелектричних. При проведенні випробувань використовуються стаціонарний і імпульсний імітатори сонячного випромінювання, а також метрологічно атестовані еталонні сонячні елементи;
-
галузь атестації Центру – наземне і космічне фотоенергетичне приладобудування;
-
визначення фотоенергетичних і електричних параметрів СЕ і модулів в широкому діапазоні рівнів освітленості та в стандартних умовах;
-
отримання спектральних характеристик чутливості і спектральних залежностей зовнішнього і внутрішнього квантового виходу;
-
безконтактне вимірювання спектральних залежностей поверхневої фотонапруги напівпровідників;
-
визначення оптичних констант і товщини діелектричних плівок і просвітлюючих (антивідбиваючих) покриттів.
мікро-Раманівський, фотолюмінесцентний (ФЛ) та ІЧ аналіз випромінювальних властивостей, структури, хімічного складу, електронних і фононних збуджень в твердих тілах, фізико-хімічних характериcтик напівпровідників, хімічних сполук, наноструктур та нанокомпозитів з субмікронним просторовим розділенням;
мікро-Раманівське і люмінесцентне 2D-3D просторове картографування: деформацій та хімічного складу; температури; концентрації і рухливості носіїв заряду; оптичного випромінювання наноструктур;
оптичні низькотемпературні дослідження фононних, плазмон-фононних, електронних збуджень, випромінювальної рекомбінації носіїв заряду в конденсованих системах;
інфрачервона спектроскопія пропускання, ATR, дифузного та дзеркального відбивання;