Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

Історія ІФН

       Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України (далі Інститут) створено у 1960 році на базі відділів та лабораторій Інституту фізики АН УРСР на виконання постанови Ради Міністрів УРСР від 3 вересня 1960 р. №1449 «Про організацію у складі Академії наук УРСР Інституту напівпровідників» та відповідної постанови Президії АН УРСР від 7.10.1960 р. Вирішальне значення при цьому мав той факт, що в Інституті фізики на той час склалися наукові школи з фізики нерівноважних процесів у напівпровідниках і теорії напівпровідників, очолювані академіком АН УРСР, проф. В. Є. Лашкарьовим і д.ф.-м.н., проф. С. І. Пекарем. Серед заснованих в НАН України премій імені видатних учених України є премії імені В. Є. Лашкарьова і С. І. Пекаря. Великий внесок у створення і організацію подальшої діяльності Інституту зробили також перші керівники науково-дослідних відділів і лабораторій, створених у 1960-1961-х роках: д.ф.-м.н. М. Ф. Дейген, к.ф.-м.н. М. П. Лисиця, д.ф.-м.н., проф. В. І. Ляшенко, к.х.н. І. Б. Мізецька, к.ф.-м.н. О. Г. Міселюк, к.ф.-м.н. Е. І. Рашба, к.т.н. С. В. Свєчніков, к.ф.-м.н. О. В. Снітко, к.ф.-м.н. Г. А. Федорус .
     Згідно з постановою Президії АН України від 30.12.1992р. №353 Інститут напівпровідників перейменовано на «Інститут фізики напівпровідників». Розпорядженням Кабінету Міністрів України від 25.12.2002р. №714-р “Про присвоєння Інституту фізики напівпровідників Національної академії наук України імені В.Є.Лашкарьова” і відповідною постановою Президії НАН України від 04.02.2003р. №6 Інституту присвоєно ім’я В.Є.Лашкарьова. З 1960 р. по 1970 р. першим директором Інституту був академік АН УРСР Вадим Євгенович Лашкарьов (1903-1974 рр.). З 1970 р. по 1990 р. Інститут очолював академік АН УРСР Олег Вячеславович Снітко (1928-1990 рр.). З 1991 р. по 2003 р. директором Інституту був академік НАН України Сергій Васильович Свєчніков. З 2003 р. по 2014 р. Інститут очолював академік НАН України Володимир Федорович Мачулін. З 2014 р. Інститут очолює член-кореспондент НАН України Олександр Євгенович Бєляєв. В Інституті працювали і працюють відомі українські вчені, серед них 6 академіків НАН України: В.Є.Лашкарьов (1903-1974 рр.), М.П.Лисиця (1921-2012 рр.), С.І.Пекар (1917-1985 рр.), С.В.Свєчніков, О.В.Снітко (1928-1990 рр.), В. Ф. Мачулін (1950-2014 рр.); 13 членів-кореспондентів НАН України: О.Є.Бєляєв, М.Я.Валах, Є.Ф.Венгер, М.Ф.Дейген (1918-1977 рр.), В.П. Кладько, В.С.Лисенко, В.Г.Литовченко, Б.О.Нестеренко (1938-2003 рр.), П.Ф. Олексенко, Ф.Ф. Сизов, В.М. Сорокін, К.Б. Толпиго (1916-1998 рр.), М.К. Шейнкман (1929-2009 рр.). На початку 2015 р. в Інституті працює 82 докторів наук (серед них 51 професорів), 212 кандидати наук. Дослідження і розробки проводяться 8 науковими відділеннями (теоретичних проблем, фотоелектроніки, оптоелектроніки, оптики напівпровідників, фізики поверхні та мікроелектроніки, фізико-технологічних проблем напівпровідникової інфрачервоної техніки, технології і матеріалів сенсорної техніки, структурного та елементного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем). До складу відділень входять науково-дослідні підрозділи: 30 відділів та 5 лабораторій, що очолюються переважно докторами наук. Інститут здійснює плідне наукове та науково-технічне співробітництво з рядом університетів і наукових центрів США, Великої Британії, Франції, Італії, Іспанії, Ізраїлю, Японії, Німеччини, Китаю та ін, а також підтримує тісні наукові контакти з провідними науковими установами Росії та інших країн-членів СНД, Прибалтики. Інститут видає збірник "Оптоэлектроника и полупроводниковая техника" і журнал "Semiconductor Physics. Quantum Electronics & Орtоеlеctronics", який у повному обсязі видається і поширюється англійською мовою. Велика увага приділяється вихованню і підготовці наукових кадрів. В Інституті діє аспірантура і докторантура, працюють спеціалізовані вчені ради по захисту дисертацій на здобуття наукового ступеня доктора наук (зі спеціальностей: 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків; 01.04.18 – фізика і хімія поверхні; 05.12.20 оптоелектронні системи) і кандидата наук (зі спеціальностей: 01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем; 01.04.07 – фізика твердого тіла; 05.27.01 – твердотільна електроніка; 05.27.06 - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки), здійснюється підготовка кадрів через аспірантуру (зі спеціальностей: 01.04.07 – фізика твердого тіла; 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків; 05.12.20 – оптоелектронні системи; 05.27.01 – твердотільна електроніка; 05.27.06 - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки) та докторантуру (зі спеціальності: 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків). В Інституті діють наукові збори, на яких заслуховуються наукові доповіді провідних вітчизняних і зарубіжних вчених, а також матеріали докторських дисертацій. Для молодих дослідників організуються читання курсів лекцій провідними українськими вченими. В Інституті діє Рада молодих дослідників. Періодично проводяться Лашкарьовські читання для молодих вчених. Залученню талановитої молоді як на роботу в Інститут, так і до навчання в аспірантурі сприяє те, що: провідні вчені Інституту читають курси лекцій в навчальних закладах України (Київському національному університеті імені Тараса Шевченка, Київському політехнічному університеті та інших); групи студентів постійно проходять бакалаврську, магістерську, виробничу, переддипломну та дипломну практику, науковими керівниками котрих є кваліфіковані науковці і спеціалісти (кандидати і доктори наук), частина випускників залишається в Інституті; вчені Інституту беруть активну участь в Днях відчинених дверей, що проводяться вищими навчальними закладами України. При Інституті фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України діє госпрозрахункове Спеціальне конструкторсько-технологічне бюро з дослідним виробництвом (СКТБ з ДВ). Інститут активно використовує нові форми організації наукових досліджень та впровадження їх результатів. Так, в Інституті діють наступні організації і підрозділи:
  • технологічний парк "Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка";
  • центр колективного користування приладами НАН України „Діагностика напівпровідникових матеріалів, структур та приладних систем”;- випробувальна лабораторія голографічних захисних елементів (сертифікована за міжнародним стандартом ISO 9001);
  • центральна випробувальна лабораторія напівпровідникового матеріалознавства (атестат акредитації Укр. Державного виробничого центру стандартизації, метрології та сертифікації за №ПТ-0400/01 від 28.12.2001р.);
  • центр випробувань фотоперетворювачів та фотоелектричних батарей (атестат акредитації Держспоживстандарту України за № ПТ-0327/03 від 20.04.2003 р.);
  • центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі.

50 років ІФН

ЗМІСТ

Вступне слово Б.Є. Патона ...........................................................................
3
Передісторія створення Інституту напівпровідників ......................................... 4
Діяльність відділень Інституту  
Відділення теоретичних проблем.................................................................... 29
Відділення оптоелектроніки............................................................................ 29
Відділення оптики і спектроскопії.................................................................... 31
Відділення фотоелектроніки........................................................................... 31
Відділення фізики поверхні та мікроелектроніки............................................... 32
Відділення структурного і елементного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем .........................................................................................................

 

33

Відділення фізико-технологічних проблем напівпровідникової ІЧ -техніки .........

34

Відділення технологій і матеріалів сенсорної техніки........................................

35

Технологічний парк «Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка» .....................................................................................

36

Спеціальне конструкторсько-технологічне бюро з дослідним виробництвом Інституту.......................................................................................................

37

Заключення..................................................................................................

38

Вадим Евгеньевич Лашкарёв..........................................................................

44

Снітко Олег В’ячеславович.............................................................................

61

Свєчніков Сергій Васильович..........................................................................

65

Мачулін Володимир Федорович.......................................................................

69

Об исследованиях в области теоретической физики в ИФП НАН Украины: даты, люди, тематика, результаты ..................................................................

73

Відділ фотоелектричних явищ у напівпровідниках............................................

137

Відділ розробки і флуктуаційного аналізу напівпровідникових матеріалів та структур (відділ № 34) ..................................................................................

147 

Лабораторія кріомагнітної електроніки ...........................................................

155

Відділ № 4 ...................................................................................................

159

Відділення оптики та спектроскопії напівпровідників ......................................

166

До історії виникнення і діяльності Відділу № 7 «Електричні і гальваномагнітні явища в напівпровідниках» ...........................................................................

196

Відділення структурного та елементного аналізу напівпровідникових матеріалів та систем .....................................................................................................

217

Основні напрямки діяльності відділу №19 ......................................................

228

Основні напрямки діяльності відділу №11 ......................................................

232

До історії створення відділу радіоспектроскопії ...............................................

234

Відділ № 9 ...................................................................................................

250

Відділ фотохімічних явищ у напівпровідниках (№ 14) .....................................

263

Відділ №39 поляритонної оптоелектроніки .....................................................

270

Відділ фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики ( №41) .......

279

Найбільш важливі досягнення відділу №41. ....................................................

282

Відділ напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання (№47) ........

286

Відділ фізики поверхні напівпровідників № 10 (1961 – 1997 рр.)......................

292

Відділ фізико -технічних проблем іонно-легованих шаруватих структур ...........

307

Вiддiл плазмових явищ в напiвпровiдниках (відділ 24)......................................

331

До історії відділу №16....................................................................................

336

340

Відділ напівпровідникових гетероструктур (№ 18)...........................................

345

Відділ анізотропних напівпровідників (№ 25)...................................................

356

Відділ фізико-технологічних основ сенсорного матеріалознавства(№27).........

360

Відділення фізико-технологічних проблем напівпровідникової ІЧ-техніки .........
367
Відділ фізики і технології низьковимірних систем (№ 38) .................................

368

Відділ фотонних напівпровідникових структур (№20)......................................

378

Відділ напівпровідникової інфрачервоної фотоелектроніки (№22) .....................

386

Спогади зав. кафедрою фізики твердого тіла Волинського національного університету імені Лесі Українки...................................................................... 392
Наукова Рада з проблеми «Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої» ..................................................................................................... 394
Спеціальне конструкторсько-технологічне бюро з дослідним виробництвом ... 400
З історії відділу кріогенної термометрії СКТБ №2 по розробці функціональної електроніки................................................................................................... 406
№4 - Відділ технології оптоелектроніки й сенсорики....................................... 410
Відділ розробки фотоелектричних сонячних батарей. (№5)............................. 413
№6 - відділ технології вирощування кристалів карбіду кремнію ....................... 415
№7 - відділ автоматизації технологічних процесів на базі мікропроцесорної техніки ......................................................................................................... 416
№8 – відділ інноваційних технологій............................................................... 416
Координація наукової діяльності .................................................................... 417
Нагороди співробітників Інституту ................................................................. 438

Видатні вчені

 

Lysytca 

  

 

Лисиця Михайло Павлович

 

(15.01.1921  10.01.2012)  
    d303   

 

 

Мачулін Володимир Федорович

 

(23.04.1950 - 27.03.2014)

 

 

 

 

 

              
image001   Ляшенко Василь Іванович

 

(30.01.1902 – 18.03.1975)
  Snitko  

Снітко Олег В’ячеславович

 

(14.04.1928 - 1990)

   
                 
Безымянный  

 

(18.06.1918 – 10.11.1977)

   scan0002    Пекар Соломон Ісаакович

 

(16.03.1917 - 08.07.1985)

   
                 
SheynkmanMK  

 

(18.11.1929-03.02.2009)

   rashba     Рашба Эммануил Иосифович

 

(1927)

   
                 
Lashkarev40  

Лашкарьов Вадим Євгенович

 

(7.10.1903  01.12.1974)

   Кирилл Борисович Толпыго  

 

Толпыго Кирилл Борисович

 

(3.05.1916-13.05.1994)

 

 

 

   

 

           
 Грибников   Грибников Зиновий Самойлович    Мізецька Ірина Борисівна    

Мізецька Ірина Борисівна

 

(1911-1994)

 

 

 

 

 

 

             

 

Даценко Леонід Іванович  

 

Даценко Леонід Іванович

 

(29.01.1933-19.01.2004)