- Деталі
- Перегляди: 9107
Історія ІФН
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України (далі Інститут) створено у 1960 році на базі відділів та лабораторій Інституту фізики АН УРСР на виконання постанови Ради Міністрів УРСР від 3 вересня 1960 р. №1449 «Про організацію у складі Академії наук УРСР Інституту напівпровідників» та відповідної постанови Президії АН УРСР від 7.10.1960 р. Вирішальне значення при цьому мав той факт, що в Інституті фізики на той час склалися наукові школи з фізики нерівноважних процесів у напівпровідниках і теорії напівпровідників, очолювані академіком АН УРСР, проф. В. Є. Лашкарьовим і д.ф.-м.н., проф. С. І. Пекарем. Серед заснованих в НАН України премій імені видатних учених України є премії імені В. Є. Лашкарьова і С. І. Пекаря. Великий внесок у створення і організацію подальшої діяльності Інституту зробили також перші керівники науково-дослідних відділів і лабораторій, створених у 1960-1961-х роках: д.ф.-м.н. М. Ф. Дейген, к.ф.-м.н. М. П. Лисиця, д.ф.-м.н., проф. В. І. Ляшенко, к.х.н. І. Б. Мізецька, к.ф.-м.н. О. Г. Міселюк, к.ф.-м.н. Е. І. Рашба, к.т.н. С. В. Свєчніков, к.ф.-м.н. О. В. Снітко, к.ф.-м.н. Г. А. Федорус .
Згідно з постановою Президії АН України від 30.12.1992р. №353 Інститут напівпровідників перейменовано на «Інститут фізики напівпровідників». Розпорядженням Кабінету Міністрів України від 25.12.2002р. №714-р “Про присвоєння Інституту фізики напівпровідників Національної академії наук України імені В.Є.Лашкарьова” і відповідною постановою Президії НАН України від 04.02.2003р. №6 Інституту присвоєно ім’я В.Є.Лашкарьова. З 1960 р. по 1970 р. першим директором Інституту був академік АН УРСР Вадим Євгенович Лашкарьов (1903-1974 рр.). З 1970 р. по 1990 р. Інститут очолював академік АН УРСР Олег Вячеславович Снітко (1928-1990 рр.). З 1991 р. по 2003 р. директором Інституту був академік НАН України Сергій Васильович Свєчніков. З 2003 р. по 2014 р. Інститут очолював академік НАН України Володимир Федорович Мачулін. З 2014 р. Інститут очолює академік НАН України Олександр Євгенович Бєляєв. В Інституті працювали і працюють відомі українські вчені, серед них 7 академіків НАН України: В.Є.Лашкарьов (1903-1974 рр.), М.П.Лисиця (1921-2012 рр.), С.І.Пекар (1917-1985 рр.), С.В.Свєчніков, О.В.Снітко (1928-1990 рр.), В. Ф. Мачулін (1950-2014 рр.), О.Є. Бєляєв; 12 членів-кореспондентів НАН України: М.Я.Валах, Є.Ф.Венгер, М.Ф.Дейген (1918-1977 рр.), В.П. Кладько, В.С.Лисенко, В.Г.Литовченко, Б.О.Нестеренко (1938-2003 рр.), П.Ф. Олексенко, Ф.Ф. Сизов, В.М. Сорокін, К.Б. Толпиго (1916-1998 рр.), М.К. Шейнкман (1929-2009 рр.). На початку 2015 р. в Інституті працює 82 докторів наук (серед них 51 професорів), 212 кандидати наук. Дослідження і розробки проводяться 8 науковими відділеннями (теоретичних проблем, фотоелектроніки, оптоелектроніки, оптики напівпровідників, фізики поверхні та мікроелектроніки, фізико-технологічних проблем напівпровідникової інфрачервоної техніки, технології і матеріалів сенсорної техніки, структурного та елементного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем). До складу відділень входять науково-дослідні підрозділи: 30 відділів та 5 лабораторій, що очолюються переважно докторами наук. Інститут здійснює плідне наукове та науково-технічне співробітництво з рядом університетів і наукових центрів США, Великої Британії, Франції, Італії, Іспанії, Ізраїлю, Японії, Німеччини, Китаю та ін, а також підтримує тісні наукові контакти з провідними науковими установами Росії та інших країн-членів СНД, Прибалтики. Інститут видає збірник "Оптоэлектроника и полупроводниковая техника" і журнал "Semiconductor Physics. Quantum Electronics & Орtоеlеctronics", який у повному обсязі видається і поширюється англійською мовою. Велика увага приділяється вихованню і підготовці наукових кадрів. В Інституті діє аспірантура і докторантура, працюють спеціалізовані вчені ради по захисту дисертацій на здобуття наукового ступеня доктора наук (зі спеціальностей: 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків; 01.04.18 – фізика і хімія поверхні; 05.12.20 оптоелектронні системи) і кандидата наук (зі спеціальностей: 01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем; 01.04.07 – фізика твердого тіла; 05.27.01 – твердотільна електроніка; 05.27.06 - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки), здійснюється підготовка кадрів через аспірантуру (зі спеціальностей: 01.04.07 – фізика твердого тіла; 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків; 05.12.20 – оптоелектронні системи; 05.27.01 – твердотільна електроніка; 05.27.06 - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки) та докторантуру (зі спеціальності: 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків).
В Інституті діють наукові збори, на яких заслуховуються наукові доповіді провідних вітчизняних і зарубіжних вчених, а також матеріали докторських дисертацій. Для молодих дослідників організуються читання курсів лекцій провідними українськими вченими. В Інституті діє Рада молодих дослідників. Періодично проводяться Лашкарьовські читання для молодих вчених. Залученню талановитої молоді як на роботу в Інститут, так і до навчання в аспірантурі сприяє те, що: провідні вчені Інституту читають курси лекцій в навчальних закладах України (Київському національному університеті імені Тараса Шевченка, Київському політехнічному університеті та інших); групи студентів постійно проходять бакалаврську, магістерську, виробничу, переддипломну та дипломну практику, науковими керівниками котрих є кваліфіковані науковці і спеціалісти (кандидати і доктори наук), частина випускників залишається в Інституті; вчені Інституту беруть активну участь в Днях відчинених дверей, що проводяться вищими навчальними закладами України. При Інституті фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України діє госпрозрахункове Спеціальне конструкторсько-технологічне бюро з дослідним виробництвом (СКТБ з ДВ). Інститут активно використовує нові форми організації наукових досліджень та впровадження їх результатів. Так, в Інституті діють наступні організації і підрозділи:
- технологічний парк "Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка";
- центр колективного користування приладами НАН України „Діагностика напівпровідникових матеріалів, структур та приладних систем”;- випробувальна лабораторія голографічних захисних елементів (сертифікована за міжнародним стандартом ISO 9001);
- центральна випробувальна лабораторія напівпровідникового матеріалознавства (атестат акредитації Укр. Державного виробничого центру стандартизації, метрології та сертифікації за №ПТ-0400/01 від 28.12.2001р.);
- центр випробувань фотоперетворювачів та фотоелектричних батарей (атестат акредитації Держспоживстандарту України за № ПТ-0327/03 від 20.04.2003 р.);
- центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі.
50 років ІФН
ЗМІСТ
| Вступне слово Б.Є. Патона ........................................................................... |
3 |
| Передісторія створення Інституту напівпровідників ......................................... | 4 |
| Діяльність відділень Інституту | |
| Відділення теоретичних проблем.................................................................... | 29 |
| Відділення оптоелектроніки............................................................................ | 29 |
| Відділення оптики і спектроскопії.................................................................... | 31 |
| Відділення фотоелектроніки........................................................................... | 31 |
| Відділення фізики поверхні та мікроелектроніки............................................... | 32 |
| Відділення структурного і елементного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем ......................................................................................................... |
33 |
| Відділення фізико-технологічних проблем напівпровідникової ІЧ -техніки ......... |
34 |
| Відділення технологій і матеріалів сенсорної техніки........................................ |
35 |
| Технологічний парк «Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка» ..................................................................................... |
36 |
| Спеціальне конструкторсько-технологічне бюро з дослідним виробництвом Інституту....................................................................................................... |
37 |
| Заключення.................................................................................................. |
38 |
| Вадим Евгеньевич Лашкарёв.......................................................................... |
44 |
| Снітко Олег В’ячеславович............................................................................. |
61 |
| Свєчніков Сергій Васильович.......................................................................... |
65 |
| Мачулін Володимир Федорович....................................................................... |
69 |
| Об исследованиях в области теоретической физики в ИФП НАН Украины: даты, люди, тематика, результаты .................................................................. |
73 |
| Відділ фотоелектричних явищ у напівпровідниках............................................ |
137 |
| Відділ розробки і флуктуаційного аналізу напівпровідникових матеріалів та структур (відділ № 34) .................................................................................. |
147 |
| Лабораторія кріомагнітної електроніки ........................................................... |
155 |
| Відділ № 4 ................................................................................................... |
159 |
| Відділення оптики та спектроскопії напівпровідників ...................................... |
166 |
| До історії виникнення і діяльності Відділу № 7 «Електричні і гальваномагнітні явища в напівпровідниках» ........................................................................... |
196 |
| Відділення структурного та елементного аналізу напівпровідникових матеріалів та систем ..................................................................................................... |
217 |
| Основні напрямки діяльності відділу №19 ...................................................... |
228 |
| Основні напрямки діяльності відділу №11 ...................................................... |
232 |
| До історії створення відділу радіоспектроскопії ............................................... |
234 |
| Відділ № 9 ................................................................................................... |
250 |
| Відділ фотохімічних явищ у напівпровідниках (№ 14) ..................................... |
263 |
| Відділ №39 поляритонної оптоелектроніки ..................................................... |
270 |
| Відділ фізико-технічних основ напівпровідникової фотоенергетики ( №41) ....... |
279 |
| Найбільш важливі досягнення відділу №41. .................................................... |
282 |
| Відділ напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання (№47) ........ |
286 |
| Відділ фізики поверхні напівпровідників № 10 (1961 – 1997 рр.)...................... |
292 |
| Відділ фізико -технічних проблем іонно-легованих шаруватих структур ........... |
307 |
| Вiддiл плазмових явищ в напiвпровiдниках (відділ 24)...................................... |
331 |
| До історії відділу №16.................................................................................... |
336 |
|
Розвиток хімії напівпровідників в Інституті фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова........................................................................................
|
340 |
| Відділ напівпровідникових гетероструктур (№ 18)........................................... |
345 |
| Відділ анізотропних напівпровідників (№ 25)................................................... |
356 |
| Відділ фізико-технологічних основ сенсорного матеріалознавства(№27)......... |
360 |
| Відділення фізико-технологічних проблем напівпровідникової ІЧ-техніки ......... |
367 |
| Відділ фізики і технології низьковимірних систем (№ 38) ................................. |
368 |
| Відділ фотонних напівпровідникових структур (№20)...................................... |
378 |
| Відділ напівпровідникової інфрачервоної фотоелектроніки (№22) ..................... |
386 |
| Спогади зав. кафедрою фізики твердого тіла Волинського національного університету імені Лесі Українки...................................................................... | 392 |
| Наукова Рада з проблеми «Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої» ..................................................................................................... | 394 |
| Спеціальне конструкторсько-технологічне бюро з дослідним виробництвом ... | 400 |
| З історії відділу кріогенної термометрії СКТБ №2 по розробці функціональної електроніки................................................................................................... | 406 |
| №4 - Відділ технології оптоелектроніки й сенсорики....................................... | 410 |
| Відділ розробки фотоелектричних сонячних батарей. (№5)............................. | 413 |
| №6 - відділ технології вирощування кристалів карбіду кремнію ....................... | 415 |
| №7 - відділ автоматизації технологічних процесів на базі мікропроцесорної техніки ......................................................................................................... | 416 |
| №8 – відділ інноваційних технологій............................................................... | 416 |
| Координація наукової діяльності .................................................................... | 417 |
| Нагороди співробітників Інституту ................................................................. | 438 |
Видатні вчені
|
|
|
Лисиця Михайло Павлович (15.01.1921 – 10.01.2012) |
 |
(23.04.1950 - 27.03.2014) |
|
|||
|
|
|
|||||||
 |
Ляшенко Василь Іванович (30.01.1902 – 18.03.1975) |
 |
(14.04.1928 - 1990) |
|||||
 |
(18.06.1918 – 10.11.1977) |
 |
Пекар Соломон Ісаакович
(16.03.1917 - 08.07.1985) |
|||||
 |
(18.11.1929-03.02.2009) |
 |
Рашба Эммануил Иосифович
(1927) |
|||||
 |
(7.10.1903 – 01.12.1974) |
 |
Толпыго Кирилл Борисович
(3.05.1916-13.05.1994) |
|
||||
|
|
||||||||
 |
Грибников Зиновий Самойлович |  |
(1911-1994) |
|
||||
|
|
||||||||
 |
(29.01.1933-19.01.2004) |
|
